磁控溅射阳极以及磁控溅射设备制造技术

本实用新型专利技术提供磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。所述磁控溅射阳极与布气组件以及旋转阴极一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。本实用新型专利技术能提高磁控溅射阳极捕获电子的能力，减少电子逃逸以及电子达到基片上的概率，提高溅射稳定性。提高溅射稳定性。提高溅射稳定性。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅射阳极以及磁控溅射设备


[0001]本技术涉及太阳能电池制造领域，特别涉及磁控溅射阳极以及磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]硅基薄膜异质结电池(HIT或HJT)是第三代高效太阳能电池技术，其结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系低等特点，具有很好的市场前景。HIT太阳能电池的硅片正面的第一本征钝化层、N型非晶或者微晶层以及硅片背面的第二本征非晶或微晶硅钝化层、P型非晶或者微晶层是采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)工艺沉积。
[0003]形成在N型非晶或者微晶层、P型非晶或者微晶层上的第一电极和第二电极是通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺沉积形成，磁控溅射工艺是现今普遍使用的PVD工艺。磁控溅射工艺是目前市面上最为常用的PVD工艺之一，磁控溅射的工作原理是电子在电场E的作用下，在飞向基片(例如硅片)过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片、腔壁、护板等，Ar正离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射阳极，其与旋转阴极以及布气组件一并布置在磁控溅射设备的溅射腔中，其特征在于，所述磁控溅射阳极设置在所述溅射腔的盖板或底板与所述旋转阴极之间，并且构造成包覆所述旋转阴极并将其旋转轴及面向基片的溅射端露出的U形罩，所述U形罩底部开设有适于所述布气组件穿设的通槽，所述U形罩接收及限制所述布气组件提供的气体并且收集所述旋转阴极表面的靶材在溅射过程中产生的电子。2.根据权利要求1所述的磁控溅射阳极，其特征在于，所述U形罩的内侧壁上横向开设有多条凹槽，所述多条凹槽将所述内侧壁划分为多个分区，所述U形罩为不锈钢U形罩、铝合金U形罩或钛合金U形罩。3.根据权利要求1所述的磁控溅射阳极，其特征在于，所述U形罩的自由端上设置有朝外延伸的卷边，液冷模块临近所述卷边设置在所述U形罩的两侧壁上，所述U形罩的长度比旋转阴极的靶材区长5mm
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50mm。4.根据权利要求1所述的磁控溅射阳极，其特征在于，所述旋转阴极的直径范围为70mm
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200mm，所述U形罩与所述旋转阴极之间的间距范围为15mm
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100mm，所述旋转阴极的靶面高出或低于所述U形罩10mm
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30mm。5.一种磁控溅射设备，其包括溅射腔以及布置在所述溅射腔中的阳极、布气组件以及旋转阴极，其特征在于，所述阳极为权利要求1至4中任一项所述的磁控溅射阳极，所述布气组件的进气端设置在所述溅射腔的盖板或底板上，出气端设置在所述U形罩的通槽中。6.根据权利要求5所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述布气组件包括布气板以及罩设在所述布气板上的布气罩，所述布气板分为n个布气区，所述布气罩在与布气板相邻的一侧形成缓冲腔，所述缓冲腔通过n
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1个肋条分成n个缓冲区，所述n个缓冲区与n个布气区相互对准，所述溅射腔的盖板或底板对应所述布气板开设有供气通道。7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述布气罩穿过所述U形罩的通槽并且从U形罩的底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐升东，
申请(专利权)人：理想万里晖半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：