一种真空磁控溅射双面镀膜机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空磁控溅射双面镀膜机，包括抽真空机构和镀膜室，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘，转盘位于镀膜室内，转盘上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件分别位于转盘的上方和下方，镀膜室包括腔体侧壁、顶盖和下底，腔体侧壁、顶盖和下底围合成镀膜室的内部容腔，顶盖可拆卸地盖合在腔体侧壁的顶面、下底位于侧壁的底面。本实用新型专利技术镀膜室长期处于稳定的真空环境，不破空，工艺状态稳定，可满足一次双面成膜，低温成膜，成膜重复性好，膜质稳定，长期工艺稳定。长期工艺稳定。长期工艺稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种真空磁控溅射双面镀膜机


[0001]本技术属于磁控溅射镀膜
，具体为一种真空磁控溅射双面镀膜机。

技术介绍

[0002]磁控溅射镀膜是将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。随着现代工业的不断发展、对产品质量要求的不断提高，对镀膜技术的要求也不断提高。对于需要双面镀膜的产品，现有技术还存在很多很多缺陷，例如，有的需要镀完一面后再镀另一面，这显然降低了镀膜效率，另外要对基片进行翻面或转向操作，以对另一面进行镀膜，这降低了基片两面镀膜的一致性。再如，需对塑料基材镀覆导电膜时，现有镀膜工艺难以一次性实现，且存在工序不连贯、一体化成型效果差、生产效率低下、污染环境等问题。再有，现有许多双面镀膜设备体积大、占地面积大，大大提高了生产成本。因此，需要提供一种具有均匀性好、成膜稳定、效率高等特点的镀膜设备。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的是提供一种真空磁控溅射双面镀膜机，镀膜室长期处于稳定的真空环境，不破空，工艺状态稳定，可满足一次双面成膜，低温成膜，成膜重复性好，膜质稳定；转盘双面均可配置多对旋转阴极及ICP离子源系统、AF蒸发系统，可以适用于多种产品单/双面镀膜工艺需求，如导电膜、半导体、超硬膜、截止滤光片、车载激光雷达等；转盘可适应多种规格尺寸晶圆及产品，转盘可带水冷，满足定制需求；ICP离子源系统气体裂解率高，可达90％左右，集成匹配器射频转换效率高，离子能量密度高，长期工艺稳定。
[0004]为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案是：
[0005]一种真空磁控溅射双面镀膜机，包括抽真空机构和镀膜室，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘，转盘位于镀膜室内，转盘上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件分别位于转盘的上方和下方，镀膜室包括腔体侧壁、顶盖和下底，腔体侧壁、顶盖和下底围合成镀膜室的内部容腔，顶盖可拆卸地盖合在腔体侧壁的顶面、下底位于侧壁的底面。
[0006]作为上述技术方案的进一步改进：
[0007]所述双面镀膜机还包括门升降组件，门升降组件连接并驱动顶盖下降至盖合在腔体侧壁的顶面或者驱动顶盖上升至脱离腔体侧壁。
[0008]设有多组上阴极磁控溅射组件，多组上阴极磁控溅射组件间隔布置在镀膜室的顶盖上，设有多组下阴极磁控溅组件，多组下阴极磁控溅组件间隔布置在镀膜室的下底上。
[0009]所述双面镀膜机还包括至少一组下阴极驱动组件，下阴极驱动组件位于镀膜室的下底的下方，下阴极驱动组件支撑并驱动下阴极磁控溅组件上升或下降或移出下底的正下
方或移入下底的正下方。
[0010]下阴极驱动组件包括抽屉导轨、驱动部件和可升降的升降平台，驱动部件连接并驱动升降平台升降，升降平台可滑动地设置在抽屉导轨上，升降平台在抽屉导轨上沿着直线滑动至任一位置后通过螺栓锁紧，升降平台上支撑有阴极门总装，阴极门总装由下阴极磁控溅组件和密封门组成，镀膜室的下底上设有为通孔的安装位，当阴极门总装插入安装位后，下阴极磁控溅组件进入镀膜室内，所述密封门和下底对合密封连接。
[0011]升降平台为剪叉式升降结构，升降平台包括下支撑座、上支撑座和两组剪叉式组件，两组剪叉式组件平行间隔布置，剪叉式组件的上端连接上支撑座、下端连接下支撑座，下支撑座可滑动地设置在抽屉导轨上。
[0012]转盘的上方和下方还各自安装有至少一组AF蒸发系统。
[0013]抽真空机构包括至少一组低真空泵组和至少一组高真空泵组，低真空泵组包括干式螺杆真空泵，高真空泵组包括多台分子泵。
[0014]转盘上设置有水冷管，水冷管通过滑阀连接外部供水系统。
[0015]转盘的上方和下方还各设置有一个ICP离子源。
[0016]本技术的有益效果是：镀膜室长期处于稳定的真空环境，不破空，工艺状态稳定，可满足一次双面成膜，低温成膜，成膜重复性好，膜质稳定；转盘双面均可配置多对旋转阴极及ICP离子源系统、AF蒸发系统，可以适用于多种产品单/双面镀膜工艺需求，如导电膜、半导体、超硬膜、截止滤光片、车载激光雷达等；转盘可适应多种规格尺寸晶圆及产品，转盘可带水冷，满足定制需求；ICP离子源系统气体裂解率高，可达90％左右，集成匹配器射频转换效率高，离子能量密度高，长期工艺稳定。
附图说明
[0017]图1是本技术一个实施例的结构示意图。
[0018]图2是本技术一个实施例的转盘的结构示意图。
[0019]图3是本技术一个实施例的转盘和旋转机构的结构示意图。
[0020]图4是本技术一个实施例的带水冷管的转盘的结构示意图。
[0021]图5是本技术一个实施例的下阴极驱动组件示意图。
具体实施方式
[0022]以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。
[0023]为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
[0024]一种真空磁控溅射双面镀膜机，如图1～5所示，包括控制系统、抽真空机构、门升降组件、至少一组下阴极驱动组件3和镀膜室。
[0025]镀膜室包括腔体侧壁11
’
、顶盖12
’
和下底。腔体侧壁11
’
、顶盖12
’
和下底围合成镀膜室的内部容腔。顶盖12
’
盖合在腔体侧壁11
’
的顶面、下底位于侧壁11
’
的底面。顶盖12
’
可拆卸地盖合在腔体侧壁11
’
的顶面，以实现对镀膜室内部件的安装和拆卸。腔体侧壁11
’
上设有和其它腔室连通的通孔。镀膜室内表面抛光处理。镀膜室的靶位周边配有观察窗，便于观察镀膜室内的工作状况。观察窗可设在侧壁11
’
或顶盖12
’
上。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空磁控溅射双面镀膜机，其特征在于，包括抽真空机构和镀膜室，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘(11)，转盘(11)位于镀膜室内，转盘(11)上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位(111)，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件(141)和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件(141)和下阴极磁控溅组件分别位于转盘(11)的上方和下方，镀膜室包括腔体侧壁(11
’
)、顶盖(12
’
)和下底，腔体侧壁(11
’
)、顶盖(12
’
)和下底围合成镀膜室的内部容腔，顶盖(12
’
)可拆卸地盖合在腔体侧壁(11
’
)的顶面、下底位于侧壁(11
’
)的底面。2.根据权利要求1所述的双面镀膜机，其特征在于：所述双面镀膜机还包括门升降组件，门升降组件连接并驱动顶盖(12
’
)下降至盖合在腔体侧壁(11
’
)的顶面或者驱动顶盖(12
’
)上升至脱离腔体侧壁(11
’
)。3.根据权利要求1所述的双面镀膜机，其特征在于：设有多组上阴极磁控溅射组件(141)，多组上阴极磁控溅射组件(141)间隔布置在镀膜室的顶盖(12
’
)上，设有多组下阴极磁控溅组件，多组下阴极磁控溅组件间隔布置在镀膜室的下底上。4.根据权利要求1所述的双面镀膜机，其特征在于：所述双面镀膜机还包括至少一组下阴极驱动组件(3)，下阴极驱动组件(3)位于镀膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘柏桢，凌云，祝海生，黄乐，左莉，王聪，寇立，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：