一种真空磁控溅射双面镀膜系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种真空磁控溅射双面镀膜系统，包括抽真空机构、入口室、加热室、中转室和镀膜室，入口室、中转室和镀膜室依次连接，加热室和中转室连接，镀膜室上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘，转盘位于镀膜室内，转盘上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件和至少一组下阴极磁控溅组件，上阴极磁控溅射组件和下阴极磁控溅组件分别位于转盘的上方和下方。本实用新型专利技术基片两面可实现同步镀膜，制备的膜层附着力强，膜层致密、均匀性好、成膜稳定、效率高，适应导电膜、半导体、超硬AR膜、截止滤光片、车载激光雷达等膜层的镀制。层的镀制。层的镀制。

【技术实现步骤摘要】
一种真空磁控溅射双面镀膜系统


[0001]本技术属于磁控溅射镀膜
，具体为一种真空磁控溅射双面镀膜系统。

技术介绍

[0002]磁控溅射镀膜是将涂层材料做为靶阴极，利用氩离子轰击靶材，产生阴极溅射，把靶材原子溅射到工件上形成沉积层的一种镀膜技术。随着现代工业的不断发展、对产品质量要求的不断提高，对镀膜技术的要求也不断提高。对于需要双面镀膜的产品，现有技术还存在很多很多缺陷，例如，有的需要镀完一面后再镀另一面，这显然降低了镀膜效率，另外要对基片进行翻面或转向操作，以对另一面进行镀膜，这降低了基片两面镀膜的一致性。再如，需对塑料基材镀覆导电膜时，现有镀膜工艺难以一次性实现，且存在工序不连贯、一体化成型效果差、生产效率低下、污染环境等问题。再有，现有许多双面镀膜设备体积大、占地面积大，大大提高了生产成本。因此，需要提供一种具有均匀性好、成膜稳定、效率高等特点的镀膜设备。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的是提供了一种真空磁控溅射双面镀膜系统，基片两面可实现同步镀膜，同一基片的两面镀制的膜层更均匀一致、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空磁控溅射双面镀膜系统，其特征在于，包括抽真空机构、入口室(1)、加热室(2)、中转室(3)和镀膜室(4)，入口室(1)、中转室(3)和镀膜室(4)依次连接，加热室(2)和中转室(3)连接，镀膜室(4)上设有磁控溅射系统和可转动的水平布置的转盘(41)，转盘(41)位于镀膜室(4)内，转盘(41)上环形阵列布置有多个用于安装基片的基片安装位(411)，磁控溅射系统包括至少一组上阴极磁控溅射组件(441)和至少一组下阴极磁控溅组件(442)，上阴极磁控溅射组件(441)和下阴极磁控溅组件(442)分别位于转盘(41)的上方和下方。2.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于：入口室(1)、中转室(3)和镀膜室(4)依次布置在一条直线上，加热室(2)布置在中转室(3)的一侧。3.根据权利要求1所述的双面镀膜系统，其特征在于：中转室(3)内设有真空机械手(31)，真空机械手(31)将基片在入口室(1)、加热室(2)和镀膜室(4)之间转移。4.根据权利要求3所述的双面镀膜系统，其特征在于：入口室(1)内设有用于支撑待镀膜的基片或者已经完成镀膜的基片的第一载具提篮，加热室(2)内设有用于支撑基片的第二载具提篮(22)，第一载具提篮可升降地设置在入口室(1)内，第二载具提篮(22)可升降地设置在加热室(2)内。5.根据权利要求4所述的双面镀膜系统，其特征在于：加热室(2)内还设有用于加热基片的加热组件(21)，加热组件(21)布置在第二载具提篮(22)上。6.根据权利要求1～5任一所述的双面镀膜系统，其特征在于：镀膜室(4)包括腔体侧壁(41

【专利技术属性】
技术研发人员：祝海生，刘柏桢，黄乐，凌云，左莉，寇立，王聪，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：