【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光束系统中的用于执行量测的反射镜、激光束系统、EUV辐射源以及光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于
2021
年4月8日提交的
EP
申请
21167393.4
的优先权和
2021
年4月
21
日提交的
EP
申请
21169691.9
的优先权,这些申请通过引用整体并入本文
。
[0003]本专利技术涉及一种可以在用于
EUV
辐射源的激光束系统中使用的用于执行量测的反射镜
。
特别地,该反射镜可以用于确定或估计由反射镜接收的激光束的功率分布
。
技术介绍
[0004]光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器
。
光刻设备可以用于例如制造集成电路
(IC)。
光刻设备可以例如将图案形成装置
(
例如掩模
)
处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种
EUV
光源中的激光束系统的用于执行量测的反射镜,所述反射镜包括:
‑
反射镜层,所述反射镜层具有前表面,所述前表面被配置为接收和反射所述激光束系统的激光束;
‑
量测层,所述量测层被布置在所述反射镜层的背表面上,所述量测层包括:电阻网格,所述电阻网格包括多个导电段和多个电触点,或电阻层,所述电阻层包括多个电触点,其中所述电阻网格或所述电阻层的所述多个电触点被配置为连接到量测仪器
。2.
根据权利要求1所述的反射镜,其中所述电阻网格包括多个节点,每个导电段形成所述多个节点中的一对节点之间的连接,以及其中所述多个电触点由所述多个节点的子组提供
。3.
根据权利要求2所述的反射镜,其中所述量测层包括衬底层,并且通过使用导电油墨在所述衬底层的表面上印制相应的图案来形成所述电阻网格
。4.
根据权利要求2所述的反射镜,其中所述量测层包括衬底层,并且其中,通过在所述衬底层的表面中蚀刻沟槽并在所述沟槽中提供导电体来形成所述电阻网格,从而形成所述多个导电段和所述多个电触点
。5.
根据前述权利要求中任一项所述的反射镜,其中所述量测层的表面由保护层覆盖
。6.
根据前述权利要求中任一项所述的反射镜,其中所述量测层包括衬底层,并且所述衬底层的设置有所述电阻网格的表面面向所述反射镜层的背表面
。7.
根据前述权利要求中任一项所述的反射镜,其中所述反射镜包括布置在所述反射镜层的背表面上的量测层的堆叠
。8.
根据前述权利要求中任一项所述的反射镜,还包括冷却层,所述冷却层被配置为冷却所述反射镜层,并且其中,所述冷却层被布置在所述量测层的背表面上
。9.
一种量测系统,所述量测系统包括:
‑
根据前述权利要求中任一项所述的反射镜,和
‑
测量系统,所述测量系统被配置为确定所述电阻网格的一个或多个导电段的电阻值
。10.
根据权利要...
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