【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对衬底区域上的测量数据进行建模的方法及相关联的装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求
2021
年4月8日提交的欧洲申请
21167479.1
和
2021
年
11
月
30
日提交的欧洲申请
21211436.7
的优先权，其全部内容通过引用并入本文
。
[0003]本公开涉及对用于生产例如半导体器件的衬底的处理
。
技术介绍
[0004]光刻装置是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器
。
光刻装置可以被用于例如集成电路
(IC)
的制造
。
光刻装置可以例如将图案化设备
(
例如掩模
)
处的图案
(
也常常被称为“设计布局”或“设计”)
投射到提供在衬底
(
例如，晶片
)
上的辐射敏感材料
(
抗蚀剂
)
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于确定模型的方法，所述模型用于描述与衬底的至少两个衬底部分上的感兴趣参数相关的测量数据，所述方法包括：获得所述测量数据；获得多个衬底部分模型，所述多个衬底部分模型至少包括第一衬底部分模型和第二衬底部分模型，所述第一衬底部分模型用于描述跨所述衬底上的一个或多个第一衬底部分的感兴趣参数，所述第二衬底部分模型用于描述跨所述衬底上的一个或多个第二衬底部分的感兴趣参数，所述一个或多个第一衬底部分和所述一个或多个第二衬底部分是不同的衬底部分；以及针对所述多个衬底部分模型中的每个衬底部分模型迭代地执行步骤1至4，直到满足停止准则，所述步骤包括：
1.
从多个候选基函数中选择候选基函数；
2.
通过将所述候选基函数添加到所述衬底部分模型中来更新所述衬底部分模型；
3.
使用所述测量数据来评估更新后的所述衬底部分模型；以及
4.
基于所述评估来确定是否将所述基函数包括在所述衬底部分模型内
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个第一衬底部分包括一个或多个第一曝光场，并且所述一个或多个第二衬底部分包括一个或多个第二曝光场
。3.
根据权利要求1所述的方法，其中所述第一一个或多个第一衬底部分位于所述衬底的中心区域内，并且所述第二一个或多个第二衬底部分位于所述衬底的所述中心区域之外
。4.
根据权利要求1所述的方法，其中步骤3包括基于在步骤2中获得的更新后的所述衬底部分模型来执行所述测量数据的拟合，以确定残余度量
。5.
根据权利要求4所述的方法，其中步骤3包括将所述残余度量与残余阈值限制进行比较；以及如果所述残余度量低于所述残余阈值限制，则从相应的所述衬底部分模型中拒绝相关联的所述候选基函数
。6.
根据权利要求4所述的方法，还包括：至少确定针对在每次迭代中评估的基函数的效益度量，所述...
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