【技术实现步骤摘要】
防氧化测试装置及防氧化测试方法
[0001]本专利技术涉及半导体测试领域,尤其涉及一种防氧化测试装置及防氧化测试方法
。
技术介绍
[0002]半导体测试需要将待测件
(
晶圆
、IC
或
PCBA
等
)
放置在载片台上,用探针接触待测件的压焊点或电极,并进行通电测试
。
当测试电流较大或者探针针尖较细时,很容易产生接触放电,针尖和接触的电极容易氧化,放电导致针尖氧化或者电极表面氧化发黑
。
针尖氧化后电阻增大会导致后续的测试中数据失真;电极氧化产生氧化膜后会导致后续工序中产生焊接不良的缺陷
。
[0003]现有技术中,为了降低探针和电极接触放电的概率,常采用以下三种防护方法:
[0004]第一种是将载片台和待测件置于一个封闭氮气环境进行测试
。
该方法要求测试环境需要较好的氮气密闭性,该方法的缺陷是需要较多的氮气支持
。
[0005]第二种是在测试前和测试过程对待测件进行氮气喷气保护,该方法的缺点是气体的喷射容易导致空气的扰动,在待测件的区域难得到高浓度的氮气保护,对氮气的浓度
、
流速以及载片台的运动都有较严格要求
。
[0006]第三种是涂挥发性绝缘性液体,将待测件表面涂上一层绝缘性液体,再进行测试,测试完该绝缘性液体挥发,不会残留于电极上影响后续工序的进行
。
对于类似晶圆等包括有上万个晶粒的产品,测试 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
防氧化测试装置,其特征在于,包括:基座,所述基座用于放置待测件,所述待测件上具有多个沿第二方向排布的测试行,所述测试行具有多个沿第一方向排布的被测单元;测试座,所述测试座设置有探针和喷嘴,所述探针用于与所述被测单元接触,所述喷嘴用于喷出防护液,所述喷嘴与所述探针随所述测试座同步运动,所述测试座能够相对于所述基座沿所述第一方向移动,以切换所述探针和所述喷嘴对应的所述被测单元,所述测试座还能够相对于所述基座沿所述第二方向移动,以切换所述探针和所述喷嘴对应的所述测试行;其中,所述喷嘴设置于所述探针的上游,以使各所述被测单元经过所述喷嘴后移动至所述探针处进行测试
。2.
根据权利要求1所述的防氧化测试装置,其特征在于,所述探针和所述喷嘴沿所述第一方向依次设置于所述测试座上
。3.
根据权利要求2所述的防氧化测试装置,其特征在于,同一所述测试行的各相邻所述被测单元的间距相同,所述喷嘴和所述探针的距离
L1
与相邻所述被测单元的间距
L2
具有以下关系:
L1
=
A
×
L2
,
A
为大于或等于1的正整数
。4.
根据权利要求1所述的防氧化测试装置,其特征在于,所述喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴,所述第二喷嘴
、
所述探针和所述第一喷嘴沿所述第一方向依次设置于所述测试座上,所述测试座能够相对于所述基座沿所述第一方向和所述第一方向的反向移动以进行测试;其中,当所述测试座沿所述第一方向移动以进行测试时,所述第一喷嘴工作,当所述测试座沿所述第一方向的反向移动以进行测试时,所述第二喷嘴工作
。5.
根据权利要求4所述的防氧化测试装置,其特征在于,同一所述测试行的各相邻所述被测单元的间距相同,所述第一喷嘴与所述探针的距离
L1
与相邻所述被测单元的间距
L3
具有以下关系:
L1
=
A
×
L3
,和
/
或,所述第二喷嘴与所述探针的距离
L2
与相邻所述被测单元的间距
L3
具有以下关系:
L2
=
A
×
L3
,
A
为大于或等于1的正整数
。6.
根据权利要求1所述的防氧化测试装置,其特征在于,所述探针和所述喷嘴沿所述第二方向依次设置,各相邻所述测试行的行距相同,所述喷嘴与所述探针的距离
L4
与所述测试行的行距
L5
具有以下关系:
L4
=
B
×
L5
,
B
为大于或等于1的正整数
。7.
防氧化测试方法,其特征在于,应用于权利要求1所述的防氧化测试装置,包括以下步骤:
S100、
将所述待测件固定连接于所述基座上;
S200、
驱动所述测试座相对于所述基座移动,以使所述喷嘴提前于所述探针移动至所述被测单元上方,控制所述喷嘴喷出所述防护液覆盖所述被测单元;
S300、
驱动所述测试座继续相对于所述基座移动,以使所述探针移动至所述被测单元上方,控制所述探针对所述被测单元进行测试,所述喷嘴移动至后部的所述被测单元上方进行喷涂;
S400、
重复步骤
S200
和步骤
S300
,直至检测到各所述被测单元均已完成测试
。8.
防氧化测试方法,其特征在于,应用于权利要求2或3所述的防氧化测试装置,包括以下步骤:
S100、
将所述待测件固定连接于所述基座上;
S200、
驱动所述测试座相对于所述基座沿所述第一方向移动,以使所述喷嘴相较于所述探针提前移动至所述被测单元上方,控制所述喷嘴喷出所述防护...
【专利技术属性】
技术研发人员:林生财,吴贵阳,李泽材,
申请(专利权)人:矽电半导体设备深圳股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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