一种制造技术

技术编号:39587252 阅读:33 留言:0更新日期:2023-12-03 19:39
本发明专利技术属于晶体生长和电池材料制备技术领域,尤其涉及一种

【技术实现步骤摘要】
一种Zn掺杂的钠离子层状氧化物及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于晶体生长和电池材料制备
,尤其涉及一种
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物及其制备方法和应用


技术介绍

[0002]钠离子层状氧化物是由钠





锰等金属元素按某一比例数制备而成的结晶物质

由于其低成本

低毒性和高理论比容量,成为钠离子电池正极潜在候选材料之一,引起了研究者极大的兴趣

但是这种材料在放电过程结束时,会出现
Mn
3+
的姜泰勒效应及相变,导致电池在充放电过程中容量衰减

其次,层状金属氧化物的空气稳定性差,易与空气中的水

二氧化碳反应,促进碱性物质形成,同样加剧电芯性能衰减

此外,采用固相法制备钠离子层状氧化物时,因为高温下钠源流失钠源用量需要过量,这也引起残碱含量升高,加速电芯性能衰减;同时,固相法制得的钠离子层状氧化物晶粒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物,其特征在于,所述钠离子层状氧化物的结构通式为
NaNi
i
Fe
j
Mn
k
O2,其中
i+j+k=1
;所述
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物为纯相钠离子层状氧化物,
Zn
掺入到所述钠离子层状氧化物的晶格中;所述
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物的颗粒尺寸为3~
8 um。2.
权利要求1所述
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)按照化学计量比将
Na

、Ni

、Fe

、Mn
源和
Zn
源进行球磨混合,制得前驱体;(2)将步骤(1)中的前驱体置于管式炉中,由
25℃
程序升温至
800

1100 ℃
,保温一段时间后,随炉冷却,制得
Zn
掺杂的钠离子层状氧化物
。3.
根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的
Na
源为碳酸钠或硝酸钠;步骤(1)所述的
Na
源严格按照化学计比称取,不存在任何过量或者不足
。4.
根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述
Ni
源为
NiO、Ni2O3或者<...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐小龙郝霄鹏修志亮吴拥中邵永亮李培培
申请(专利权)人:齐鲁工业大学山东省科学院
类型:发明
国别省市:

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