半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、半导体器件及光刻掩膜版


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件的制造方法
、
半导体器件及光刻掩膜版
。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制程中，完整的工艺制程前后涉及多版图层，前后各版图层之间需要相互对准以实现精确的结构制程，通常会利用光刻对准标记实现各版图层之间的对准
。
一般的，可以在晶圆的特定区形成一系列凹槽作为对准标记，利用凹槽的阶梯高度差引起的反射光程差来完成对准
。
[0003]但是，在现有的半导体工艺制程中，往往会先利用一张光刻掩膜版进行对准标记的光刻再进行刻蚀，在衬底的非器件区形成对准标记图形；而后再利用另外一张光刻掩膜版进行光刻，在衬底的器件区中形成器件窗口并深阱注入，形成有源区，最后基于有源区制造形成半导体器件结构
。
在整个工艺制程的前半段中，对准标记图形和深阱注入各自用到一张光刻掩膜版，先后进行了两次光刻工艺，对应光刻的效率较低且成本较高
。
[0004]基于此，目前亟需一种一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，并在所述衬底上定义出对准区和器件区；在所述衬底上形成钝化层，在所述钝化层上形成光刻胶；提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版具有相互独立的第一图形区和第二图形区；通过所述光刻掩膜版对所述光刻胶进行光刻，在所述对准区上形成与所述第一图形区对应的对准标记光刻图形，在所述器件区上形成与所述第二图形区对应的器件窗口光刻图形；以光刻后残留的所述光刻胶为掩膜进行刻蚀，将所述对准标记光刻图形转移到所述钝化层上，在所述对准区上形成对准标记图形；采用深阱工艺，沿着所述对准标记图形在所述对准区中形成第一深阱，沿着所述器件窗口光刻图形在所述器件区中形成第二深阱；基于所述第二深阱，在所述器件区上形成半导体器件
。2.
根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一图形区的透光率大于所述第二图形区的透光率，所述光刻胶为正性光刻胶，当通过所述光刻掩膜版对所述光刻胶进行光刻时，形成的所述对准标记光刻图形贯穿所述光刻胶并暴露出所述钝化层，形成的所述器件窗口光刻图形停留在所述光刻胶中
。3.
根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，当以光刻后残留的所述光刻胶为掩膜进行刻蚀时，所述对准区上所述对准标记光刻图形处的刻蚀停止在所述钝化层与所述衬底的交界面上，所述器件区上所述器件窗口光刻图形处的刻蚀停止在所述光刻胶中
。4.
根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述以光刻后残留的所述光刻胶为掩膜进行刻蚀，将所述对准标记光刻图形转移到所述钝化层上，在所述对准区上形成对准标记图形的步骤之后，在所述采用深阱工艺，沿着所述对准标记图形在所述对准区中形成第一深阱，沿着所述器件窗口光刻图形在所述器件区中形成第二深阱的步骤之前，所述半导体器件的制造方法还包括步骤：采用灰化工艺对刻蚀后残留的所述光刻胶进行减薄处理，将所述器件区上所述器件窗口光刻图形向靠近所述衬底的方向转移，直到所述器件窗口光刻图形贯穿残留的所述光刻胶并暴露出所述钝化层
。5.
根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述采用深阱工艺，沿着所述对准标记图形在所述对准区中形成第一深阱，沿着所述器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张云天，郑启涛，黄道龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：