半导体器件及其制备方法技术

本公开实施例公开了一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底的光刻胶层；形成覆盖光刻胶层的第一抗反射层；对抗第一反射层和光刻胶层执行曝光处理；在执行曝光处理之后，去除第一抗反射层，显露光刻胶层；对显露的光刻胶层执行烘干处理。对显露的光刻胶层执行烘干处理。对显露的光刻胶层执行烘干处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本公开实施例涉及但不限于半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体器件制造工艺流程中重要的工艺步骤，通过光刻工艺可将光罩(又称为掩膜版)上的电路图形转移至晶圆上的感光薄膜层(又称为光致抗蚀剂层、光刻胶层或光阻层)上。
[0003]光刻胶是光刻工艺中最关键的环节，光刻胶的厚度将直接影响后续制程工艺(例如，刻蚀或掺杂等)以及半导体器件的性能。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件的制备方法，包括：
[0005]提供衬底；
[0006]形成覆盖所述衬底的光刻胶层；
[0007]形成覆盖所述光刻胶层的第一抗反射层；
[0008]对所述第一抗反射层和所述光刻胶层执行曝光处理；
[0009]在执行所述曝光处理之后，去除所述第一抗反射层，显露所述光刻胶层；
[0010]对显露的所述光刻胶层执行烘干处理。
[0011]在一些实施例中，所述去除所述第一抗反射层，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成覆盖所述衬底的光刻胶层；形成覆盖所述光刻胶层的第一抗反射层；对所述第一抗反射层和所述光刻胶层执行曝光处理；在执行所述曝光处理之后，去除所述第一抗反射层，显露所述光刻胶层；对显露的所述光刻胶层执行烘干处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一抗反射层，包括：采用湿法刻蚀剂去除所述第一抗反射层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀剂包括：去离子水。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在执行所述曝光处理之前，所述光刻胶层在沿垂直于所述衬底所在的平面的方向上具有第一尺寸；在执行所述烘干处理之后，所述光刻胶层在沿垂直于所述衬底所在的平面的方向上具有第二尺寸；其中，所述第二尺寸和所述第一尺寸的差值的绝对值小于或等于预设值，所述预设值大于或等于0。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对显露的所述光刻胶层执行显影处理，形成贯穿所述光刻胶层的光刻图案；其中，所述光刻图案的底部显露所述衬底，所述光刻图案的侧壁与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思豪，齐鹏博，邵想，吴星星，王念牧，
申请(专利权)人：湖北江城芯片中试服务有限公司，
类型：发明
国别省市：