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本公开实施例公开了一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底的光刻胶层；形成覆盖光刻胶层的第一抗反射层；对抗第一反射层和光刻胶层执行曝光处理；在执行曝光处理之后，去除第一抗反射层，显露光刻胶层；对显露的光刻胶层执行烘...
该专利属于湖北江城芯片中试服务有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北江城芯片中试服务有限公司授权不得商用。

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