用于形成光刻胶图案的方法和用于在衬底上形成图案的方法技术

提供了一种形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，在氧化硅层上形成第二光刻胶图案。氧化硅层上形成第二光刻胶图案。氧化硅层上形成第二光刻胶图案。

【技术实现步骤摘要】
用于形成光刻胶图案的方法和用于在衬底上形成图案的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年5月27日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10
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2022
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0065202的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的实施例涉及一种用于形成光刻胶图案的方法和用于在衬底上形成图案的方法。更具体地，本公开的实施例涉及一种用于形成光刻胶图案的方法和用于形成图案的方法，其包括对光刻胶图案的返工。

技术介绍

[0004]在制造半导体元件时，可以形成光刻胶图案以将层图案化。在用于形成光刻胶图案的光刻工艺中，由于工艺缺陷或工艺偏差，在光刻胶图案中可能会出现缺陷。当光刻胶图案出现缺陷时，可以执行用于完全去除光刻胶图案的返工工艺。在返工工艺之后，可以再次执行光刻工艺以形成光刻胶图案。在对光刻胶图案执行返工工艺时，形成在光刻胶图案下方的氧化硅层也可以被去除部分厚度。在这种情况下，氧化硅层可能具有比目标厚度薄的厚度，而没有获得目标厚度。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供了一种用于形成光刻胶图案的方法，其包括对光刻胶图案的返工。
[0006]示例实施例提供了一种用于形成图案的方法，其包括光刻胶图案的返工。
[0007]根据本公开的实施例，提供了一种用于形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成氧化硅层。在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。第一光刻胶图案包括缺陷。对其上形成具有缺陷的第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，第二光刻胶图案形成在氧化硅层上，并接触氧化硅层。
[0008]根据本专利技术的实施例，提供了一种用于形成光刻胶图案的方法，其中，在衬底上形成具有第一厚度的氧化硅层。通过使用光刻工艺装置在氧化硅层上形成接触氧化硅层的第一光刻胶图案。当第一光刻胶图案中出现缺陷时，光刻工艺装置的全表面曝光单元对其上形成有第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过光刻工艺装置执行对包括已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案的衬底进行加热的烘烤工艺。光刻工艺装置通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。另外，通过光刻工艺装置在具有第一厚度的氧化硅层上形成第二光刻胶图案。
[0009]根据本公开的实施例，提供了一种用于在衬底上形成图案的方法，其中，在划分为第一区域和第二区域的衬底上形成第一芯轴层和第一分离层。通过将第一芯轴层和第一分离层图案化，在第一区域中的衬底上形成延伸为具有线形同时彼此间隔开的第一结构，并
且在第二区域中的衬底上形成第二结构。在衬底、第一结构和第二结构的表面上共形地形成具有第一厚度的氧化硅层。形成第一光刻胶图案，该第一光刻胶图案覆盖第二区域中的衬底上形成的氧化硅层，并接触该氧化硅层。当第一光刻胶图案中出现缺陷时，对其上形成有第一光刻胶图案的衬底执行全表面曝光。通过对已经进行了全表面曝光的第一光刻胶图案进行显影来完全去除第一光刻胶图案。在氧化硅层上形成第二光刻胶图案，该第二光刻胶图案覆盖第二区域中的衬底上形成的氧化硅层。通过使用第二光刻胶图案作为蚀刻掩模对氧化硅层进行各向异性蚀刻，在第一结构的侧壁上形成间隔物，每个间隔物具有等于第一厚度的第一宽度。另外，去除间隔物之间的第一结构。
[0010]根据示例实施例，可以完全去除光刻胶图案而不减小形成在光刻胶图案下方的氧化硅层的厚度。因此，氧化硅层可以具有目标厚度，使得包括氧化硅层的半导体元件可以具有目标电特性。
附图说明
[0011]图1是示出了根据示例性实施例的光刻工艺装置的框图。
[0012]图2是示出了根据示例性实施例的用于形成光刻胶图案的方法的流程图。
[0013]图3至图7是示出了根据示例性实施例的用于形成光刻胶图案的方法的截面图。
[0014]图8至图16是用于描述根据示例性实施例的用于形成图案的方法的截面图。
具体实施方式
[0015]在下文中，将参照附图来详细描述本公开的示例性实施例。
[0016]图1是示出了根据示例性实施例的光刻工艺装置的框图。
[0017]参照图1，光刻工艺装置10可以包括被配置为执行光刻工艺的光刻处理器20、被配置为执行检查的检查器30、以及被配置为执行返工的全表面曝光单元40。
[0018]光刻处理器20(也被描述为光刻处理组件)可以包括被配置为加热衬底的烘烤器28、被配置为涂布衬底的旋涂器24、显影单元26和曝光单元22。尽管图中未示出，但是光刻处理器20还可以包括被配置为移动衬底的处理器、被配置为冷却衬底的冷却器等。显影单元26(也被描述为显影组件)可以在旋转衬底的同时引入显影剂。曝光单元22(也被描述为曝光组件)可以执行用于形成光刻胶图案的曝光工艺。曝光单元22可以以扫描仪方案执行曝光。
[0019]检查器30(也被描述为检查组件)可以检查由光刻处理器20形成的光刻胶图案中的错误或缺陷。检查器30可以检查例如光刻胶的线宽、厚度、侧壁轮廓、覆盖布置等。检查器30可以包括例如扫描电子显微镜。
[0020]可以设置全表面曝光单元40以在光刻胶图案中出现错误或缺陷时完全去除光刻胶图案。全表面曝光单元40可以包括UV灯模块。在全表面曝光单元40中使用的光源可以具有157nm至248nm的波长。例如，光源可以包括具有193nm的波长的ArF光源(ArF激光器)、具有248nm的波长的KrF光源(KrF激光器)、具有157nm的波长的F2光源(F2激光器)等。根据示例性实施例，光源可以是与光刻处理器20的曝光单元22中使用的光源相同的光源。全表面曝光单元40可以以扫描仪方案执行曝光。
[0021]光刻工艺装置可以统称为光刻轨道系统。光刻轨道系统可以包括用于返工工艺的
全表面曝光单元40。然而，在一些实施例中，光刻轨道系统不包括用于返工工艺的等离子蚀刻机、湿式工作站等。
[0022]图2是示出了根据示例性实施例的用于形成光刻胶图案的方法的流程图。图3至图7是示出了根据示例性实施例的用于形成光刻胶图案的方法的截面图。
[0023]下文将描述的用于形成光刻胶图案的方法可以包括光刻胶图案的返工工艺。
[0024]参照图2和图3，在其上形成有下部结构(未示出)的衬底100上形成氧化硅层102(S50)。氧化硅层102可以是通过使用光刻胶图案作为掩模蚀刻的最上面的蚀刻目标层。氧化硅层102可以具有作为目标厚度的第一厚度。
[0025]衬底100可以包括单晶半导体材料或由单晶半导体材料形成。衬底100可以包括诸如硅、锗或硅
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锗之类的半导体材料。根据示例性实施例，衬底100可以由单晶硅形成。
[0026]根据示例性实施例，氧化硅层102可以通过原子层沉积(ALD)方案形成。根据示例性实施例，氧化硅层102的第一厚度可以是至的薄厚度。根据示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成光刻胶图案的方法，所述方法包括：i)在衬底上形成氧化硅层；ii)在所述氧化硅层上形成接触所述氧化硅层的第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案包括缺陷；iii)对其上形成具有所述缺陷的所述第一光刻胶图案的所述衬底执行全表面曝光；iv)通过对已经进行了所述全表面曝光的所述第一光刻胶图案进行显影来完全去除所述第一光刻胶图案；以及v)在所述氧化硅层上形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案接触所述氧化硅层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化硅层通过原子层沉积ALD方案形成。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化硅层具有至的厚度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，用于所述全表面曝光的光源具有157nm至248nm的波长。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在与用于形成所述第一光刻胶图案的曝光工艺的工艺条件相同的工艺条件下，通过使用空白掩模来执行所述全表面曝光。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述显影是通过使用包括四甲基氢氧化铵TMAH的显影剂来执行的。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述显影期间，在以120RPM或更高的速度旋转所述衬底的同时引入显影剂。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案中的每一个包括正性光刻胶材料。9.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述第一光刻胶图案进行所述全表面曝光之后，所述方法还包括：在80℃至150℃之间的温度下执行对包括所述第一光刻胶图案的所述衬底进行加热的烘烤工艺。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤i)至v)在一个光刻工艺装置中执行。11.一种用于在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在划分为第一区域和第二区域的所述衬底上形成第一芯轴层和第一分离层；通过将所述第一芯轴层和所述第一分离层图案化，在所述第一区域中的衬底上形成延伸为具有线形同时彼此间隔开的第一结构，并且在所述第二区域中的衬底上形成第二结构；在所述衬底、所述第一结构和所述第二结构的表面上共形地形成具有第一厚度的氧化硅层；形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖所述第二区域中的衬底上形成的所述氧化硅层，并接触所述氧化硅层。当所述第一光刻胶图案中出现缺陷时，对其上形成有所述第一光刻胶图...

【专利技术属性】
技术研发人员：金桂荣，郑宇陈，河淳穆，刘俊埴，李丞敎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：