一种晶圆用超声波双面清洗装置制造方法及图纸

一种晶圆用超声波双面清洗装置，其清洗机构的喷头安装板连接在吸气罩和吸气腔之间，驱动件连接吸气腔，气动滑环从驱动件的中心孔穿过，超声波喷头的尾部连接在喷头安装板，超声波喷头的头部处于吸气罩的内部；超声波喷头的尾部和吸气腔的进气孔之间通过软管连通，吸气腔的进气孔和气动滑环的压缩空气进口连通，吸气腔的吸气孔与气动滑环的负压真空出口连通；吸气罩的内部区域通过喷头安装板上的通孔与吸气腔连通；超声波喷头对晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面进行清洗，吸气罩覆盖在晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面，吸气罩将晶圆对象表面清洗产生的粉尘吸入吸气腔

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆用超声波双面清洗装置


[0001]本专利技术属于晶圆清洗
，具体涉及一种晶圆用超声波双面清洗装置
。

技术介绍

[0002]目前，晶圆现有的清洗方法主要有以下两种：
[0003]第一种：降低清洗精度要求，采用干式超声波清洗；现有的干式超声波清洗头，其清洗气体喷出缝均为直线式，虽然能够对
1.6um
及以上的微粒进行有效清洗，但其对
1.6um
以下的微粒无法进行有效清洗
。
面板行业常规的清洗精度为
1.6um
，但半导体行业晶圆对清洗精度要求是
0.1um
，现有的干式超声波清洗头已无法满足晶圆的清洗要求
。
[0004]第二种：采用湿式清洗；此种清洗方法可对直径为
0.1
‑
1.6um
区间的微粒进行有效清洁，但这种清洗方式需要大量的纯净水
、
化学溶剂
、
烘干和冷却装置以及后续的废水处理等，需要较多的设备和耗材支出，成本较高
、
占地较大
。
[0005]综上所述，需要一种新的晶圆清洗技术
。

技术实现思路

[0006]为此，本专利技术提供一种晶圆用超声波双面清洗装置，解决传统技术不能低成本
、
无污染的对晶圆进行有效清洗的问题
。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种晶圆用超声波双面清洗装置，包括上下对称布置的清洗机构，上下对称布置的所述清洗机构之间形成晶圆容纳间隙；
[0008]所述清洗机构包括吸气罩
、
喷头安装板
、
吸气腔
、
驱动件
、
气动滑环和超声波喷头；所述喷头安装板连接在所述吸气罩和所述吸气腔之间，所述驱动件连接所述吸气腔，所述气动滑环从所述驱动件的中心孔穿过，所述超声波喷头的尾部连接在所述喷头安装板，所述超声波喷头的头部处于所述吸气罩的内部；
[0009]所述超声波喷头的尾部和所述吸气腔的进气孔之间通过软管连通，所述吸气腔的进气孔和所述气动滑环的压缩空气进口连通，所述吸气腔的吸气孔与所述气动滑环的负压真空出口连通；所述吸气罩的内部区域通过所述喷头安装板上的通孔与所述吸气腔连通；
[0010]所述超声波喷头对所述晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面进行清洗，所述吸气罩覆盖在所述晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面，所述吸气罩将所述晶圆对象表面清洗产生的粉尘吸入所述吸气腔
。
[0011]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述超声波喷头在所述喷头安装板上设有两列，两列所述超声波喷头之间错位分布；
[0012]第一列所述超声波喷头和第二列所述超声波喷头的数量相差一个；
[0013]两列所述超声波喷头在旋转时的轨迹覆盖整个所述晶圆对象的表面
。
[0014]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述喷头安装板上的通孔分布在所述超声波喷头的外侧，所述通孔在所述喷头安装板的边缘呈环状排列
。
[0015]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述超声波喷头和所述吸气罩的内壁
之间形成粉尘通道，所述吸气罩将所述晶圆对象表面清洗产生的粉尘依次经所述粉尘通道
、
所述通孔后吸入所述吸气腔
。
[0016]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述超声波喷头包括锁母
、
转接杆
、
喷头芯和喷头壳；所述锁母连接所述转接杆，所述转接杆连接所述喷头壳，所述喷头芯处于所述喷头壳的内部，所述喷头芯的端部导通所述转接杆；
[0017]所述喷头芯和所述喷头壳的内壁之间形成有环状的圆形出气缝
。
[0018]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述转接杆的中心形成有气流主孔，所述喷头芯的内部形成有气流分散孔，所述气流主孔导通所述气流分散孔，所述气流分散孔导通所述圆形出气缝，所述圆形出气缝将清洗气体从所述喷头芯和所述喷头壳的头部喷向所述晶圆对象表面
。
[0019]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述超声波喷头的所述转接杆连接所述喷头安装板，所述锁母将所述超声波喷头锁紧在所述喷头安装板
。
[0020]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述吸气腔的进气孔呈环状分布在所述吸气腔的吸气孔外围
。
[0021]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，所述晶圆容纳间隙内的所述晶圆对象配置有晶圆卡夹
。
[0022]作为晶圆用超声波双面清洗装置优选方案，吸入所述吸气腔的粉尘通过所述气动滑环放入负压真空出口回收
。
[0023]本专利技术具有如下优点：设有上下对称布置的清洗机构，上下对称布置的清洗机构之间形成晶圆容纳间隙；清洗机构包括吸气罩
、
喷头安装板
、
吸气腔
、
驱动件
、
气动滑环和超声波喷头；喷头安装板连接在吸气罩和吸气腔之间，驱动件连接吸气腔，气动滑环从驱动件的中心孔穿过，超声波喷头的尾部连接在喷头安装板，超声波喷头的头部处于吸气罩的内部；超声波喷头的尾部和吸气腔的进气孔之间通过软管连通，吸气腔的进气孔和气动滑环的压缩空气进口连通，吸气腔的吸气孔与气动滑环的负压真空出口连通；吸气罩的内部区域通过喷头安装板上的通孔与吸气腔连通；超声波喷头对晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面进行清洗，吸气罩覆盖在晶圆容纳间隙内的晶圆对象表面，吸气罩将晶圆对象表面清洗产生的粉尘吸入吸气腔
。
本专利技术提高了常规干式超声波清洗头的清洗范围，使得干式超声波清洗机适用清洗范围从
1.6um
微尘提高到
0.1um
，达到了半导体行业晶圆的清洗精度要求，使得半导体行业晶圆清洗不必再使用湿式清洗，节省了大量的设备和耗材支出；可将清洗后携带粉尘微粒的气体吸气回收，避免其逸散到环境中造成环境污染
。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍
。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引申获得其它的实施附图
。
[0025]图1为本专利技术实施例中提供的晶圆用超声波双面清洗装置结构示意图；
[0026]图2为本专利技术实施例中提供的晶圆用超声波双面清洗装置分解示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例中提供的晶圆用超声波双面清洗装置中单个清洗机构分解示
意图；
[0028]图4为本专利技术实施例中提供的晶圆用超声波双面清洗装置中单个清洗机构剖面示意图；
[0029]图5为本专利技术实施例中提供的晶圆用超声波双面清洗装置中超声波喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶圆用超声波双面清洗装置，其特征在于，包括上下对称布置的清洗机构
(1)
，上下对称布置的所述清洗机构
(1)
之间形成晶圆容纳间隙
(2)
；所述清洗机构
(1)
包括吸气罩
(3)、
喷头安装板
(4)、
吸气腔
(5)、
驱动件
(6)、
气动滑环
(7)
和超声波喷头
(8)
；所述喷头安装板
(4)
连接在所述吸气罩
(3)
和所述吸气腔
(5)
之间，所述驱动件
(6)
连接所述吸气腔
(5)
，所述气动滑环
(7)
从所述驱动件
(6)
的中心孔穿过，所述超声波喷头
(8)
的尾部连接在所述喷头安装板
(4)
，所述超声波喷头
(8)
的头部处于所述吸气罩
(3)
的内部；所述超声波喷头
(8)
的尾部和所述吸气腔
(5)
的进气孔
(9)
之间通过软管
(10)
连通，所述吸气腔
(5)
的进气孔
(9)
和所述气动滑环
(7)
的压缩空气进口
(11)
连通，所述吸气腔
(5)
的吸气孔
(23)
与所述气动滑环
(7)
的负压真空出口
(12)
连通；所述吸气罩
(3)
的内部区域通过所述喷头安装板
(4)
上的通孔
(13)
与所述吸气腔
(5)
连通；所述超声波喷头
(8)
对所述晶圆容纳间隙
(2)
内的晶圆对象
(14)
表面进行清洗，所述吸气罩
(3)
覆盖在所述晶圆容纳间隙
(2)
内的晶圆对象
(14)
表面，所述吸气罩
(3)
将所述晶圆对象
(14)
表面清洗产生的粉尘吸入所述吸气腔
(5)。2.
根据权利要求1所述的一种晶圆用超声波双面清洗装置，其特征在于，所述超声波喷头
(8)
在所述喷头安装板
(4)
上设有两列，两列所述超声波喷头
(8)
之间错位分布；第一列所述超声波喷头
(8)
和第二列所述超声波喷头
(8)
的数量相差一个；两列所述超声波喷头
(8)
在旋转时的轨迹覆盖整个所述晶圆对象
(14)
的表面
。3.
根据权利要求2所述的一种晶圆用超声波双面清洗装置，其特征在于，所述喷头安装板
(4)
上的通孔
(13)
分布在所述超声波喷头
(8)
的外侧，所述通孔
(13)
在所述喷头安装板
(4)
的边缘呈环状排列

【专利技术属性】
技术研发人员：赵建普，曹乾，张进，
申请(专利权)人：成都思越智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：