【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制作方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置的制作方法，尤其是涉及一种包括
III
‑
V
族化合物半导体层的半导体装置的制作方法
。
技术介绍
[0002]III
‑
V
族化合物半导体由于其半导体特性而可应用于形成许多种类的集成电路装置，例如高功率场效晶体管
、
高频晶体管或高电子迁移率晶体管
(highelectronmobilitytransistor
，
HEMT)。
在高电子迁移率晶体管中，两种不同能带隙
(band
‑
gap)
的半导体材料系结合而于接面
(junction)
形成异质接面
(heterojunction)
而为载流子提供沟道
。
近年来，氮化镓
(GaN)
系列的材料由于拥有较宽能隙与饱和速率高的特点而适合应用于高功率与高频率产品
。
氮化镓系列的高电子迁移率晶体管由材料本身的压电效应产生二维电子气
(2DEG)
，其电子速度及密度均较高，故可用以增加切换速度
。
此外，
III
‑
V
族化合物半导体晶体管的结构有许多不同的设计以对应不同的产品需求，而对应的制作工艺方法也因此复杂化而导致对于生产良率或
/
及生产成本的负面影响
。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体装置的制作方法，包括：在
III
‑
V
族化合物半导体层上形成栅极结构；以及通过退火制作工艺形成栅极硅化物层与源极
/
漏极硅化物层，其中该栅极硅化物层形成在该栅极结构上，该源极
/
漏极硅化物层形成在该
III
‑
V
族化合物半导体层上，且该栅极硅化物层的材料组成不同于该源极
/
漏极硅化物层的材料组成
。2.
如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该栅极硅化物层的功函数高于该源极
/
漏极硅化物层的功函数
。3.
如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该栅极硅化物层包括硅化镍
、
硅化钴或硅化铂
。4.
如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该源极
/
漏极硅化物层包括硅化钛
、
硅化钽或硅化钛铝
。5.
如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中形成该栅极硅化物层的方法包括：在该栅极结构上形成金属图案；在该金属图案上形成硅图案；以及形成钝化层覆盖该栅极结构
、
该金属图案
、
该硅图案以及该
III
‑
V
族化合物半导体层
。6.
如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中该退火制作工艺是在该钝化层形成之后进行，且该金属图案与该硅图案通过该退火制作工艺而被转变成该栅极硅化物层
。7.
如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中该钝化层在该退火制作工艺中覆盖该栅极结构
、
该金属图案
、
该硅图案以及该
III
‑
V
族化合物半导体层
。8.
如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中形成该栅极结构
、
该金属图案以及该硅图案的方法包括：在该
III
‑
V
族化合物半导体层上形成栅极材料层；在该栅极材料层上形成第一金属层；在该第一金属层上形成第一硅层；以及对该第一硅层
、
该第一金属层以及该栅极材料层进行图案化制作工艺
...
【专利技术属性】
技术研发人员：林大钧，蔡馥郁，蔡滨祥，邱崇益，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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