发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置。根据实施方案的发光器件包括：反射层；在所述反射层上的包括氧化物基材料的粘合层；在所述粘合层上的欧姆接触层；和在所述欧姆接触层上的发光结构层。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电能转化为光的半导体器件。与现有光源例如荧光 灯、白炽灯等相比，LED具有低电耗、半永久性寿命、快速响应速度、安全、环境友好的优点。 已经进行许多研究来利用LED替代现有光源。LED正更广泛地用作光源，用于各种室内或室 外的灯的照明装置、液晶显示器、电子显示板、路灯等。
技术实现思路
实施方案提供一种具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法以及发光装置。实施方案提供一种具有改善的光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法以及 发光装置。实施方案提供一种可防止用作反射层的材料扩散至发光结构层的发光器件、制造 发光器件的方法以及发光装置。在一个实施方案中，发光器件包括反射层；在所述反射层上的包括氧化物基材 料的粘合层；在所述粘合层上的欧姆接触层；和在所述欧姆接触层上的发光结构层。在另一个实施方案中，发光装置包括主体；在所述主体上的第一电极和第二电 极；在所述主体上的与所述第一电极和所述第二电极电连接的发光器件；和在所述主体上 的包围所述发光器件的密封层，其中所述发光器件包括反射层；在所述反射层上的包括 氧化物基材料的粘合层；在所述粘合层上的欧姆接触层；和在所述欧姆接触层上的发光结 构层。在另一个实施方案中，一种制造发光器件的方法包括形成发光结构层；在所述 发光结构层上形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成包括氧化物基材料的粘合层；和 在所述粘合层上形成反射层。附图说明图1是用于说明根据一个实施方案的发光器件的图。图2 11是说明制造根据一个实施方案的发光器件的方法的图；和图12是包括根据一个实施方案的发光器件的发光装置的横截面图。具体实施例方式在实施方案的描述中，应理解当各层(或膜)、区域、图案或者结构称为形成在其 它各层(或膜)、区域、图案或者结构“上”或者“下”时，“上”或者“下”可“直接地”形成或 者经由其它层(“间接地”)形成。此外，措辞“上”或“下”将基于附图来进行描述。在附图中，各层的厚度或者尺寸可进行放大、省略或者示意地说明，以使得描述方 便和清楚。而且，各要素的尺寸不必完全反映实际尺寸。以下，将参考附图详细地描述发光二极管、制造发光二极管的方法和发光器件。图1是用于说明根据一个实施方案的发光器件的图。参考图1，根据一个实施方案的发光器件100包括导电支撑衬底175、在导电支撑 衬底175上形成的接合层170、在接合层170上形成的反射层160、在反射层160上形成的 粘合层155、在粘合层155上形成的欧姆接触层、在粘合层155的上表面上的周边区域处形 成的保护层140、在欧姆接触层150和保护层140上形成的用于产生光的发光结构层135、 保护发光结构层135的钝化层180、在欧姆接触层150和发光结构层135之间形成的电流阻 挡层145、以及在发光结构层135上形成的电极115。导电支撑衬底175支撑发光结构层135并且可与电极115 —起对发光结构层135 供电。导电支撑衬底175可包括例如铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)和 载体晶片(例如Si、Ge、GaAS、ZnO、SiC等)中的至少一种。导电支撑衬底175的厚度可根据发光器件100的设计而改变。例如，导电支撑衬 底175可具有例如50 μ m 300 μ m的厚度。导电支撑衬底175不是必须形成的，而是可根 据发光器件100的结构改变而省去。例如反射层160厚厚地形成，使得可不形成导电支撑 衬底175。接合层170可在导电支撑衬底175上形成。接合层170在反射层160下形成。接 合层170可坚固地接合至反射层160和导电支撑衬底175。接合层170包括阻挡金属、接 合金属等。例如，接合层170可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少一 种。实施方案显示其中导电支撑衬底175以接合方式连接至反射层160的情况。然而， 导电支撑衬底175可以以镀敷方式在反射层160上形成。在这种情况下，接合层170可替 换为用于镀敷的籽层。换言之，在反射层160上形成籽层之后，可通过镀敷在其上形成导电 支撑衬底175。导电支撑衬底175可由可镀敷的金属材料制成。例如，籽层可包括Au、Cu、 Mo、Pt和W中的至少一种。反射层160可在接合层170上形成。反射层160反射由发光结构层135输入的光， 由此使得能够改善光提取效率。反射层160 可由包括 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au 和 Hf 中的至 少一种的金属或者其合金制成。此外，反射层160可使用上述金属或者其合金以及透射性 导电材料例如IZO (氧化铟锌)、IZTO (氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓 锌)、IGT0(氧化铟镓锡)、ΑΖ0(氧化铝锌)、ΑΤ0(氧化锑锡)等形成为多层。例如，在实施 方案中，反射层160可包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金中的至少一种。粘合层155在反射层160上形成。粘合层155将反射层160和欧姆接触层150的 粘合强化。粘合层155可包括氧化物基材料。在这种情况下，透光率得到改善，由此使得能够减小在粘合层155中吸收的光量以及提高从反射层160反射和提取的光量。例如，在实 施方案中，粘合层155可由AZO或者IZO制成。当粘合层155由AZO或者IZO制成时，粘合 层155可厚厚地形成，这可防止材料例如用作反射层160的Ag扩散至发光结构层135。例 如，AZO或者IZO中ZO(氧化锌)的组成含量可为50% 80%，由此使得能够改善透光率。欧姆接触层150在粘合层155上形成。欧姆接触层150与发光结构层135的第二 导电型半导体层130欧姆接触以对发光结构层135有效地供电，并可由包括ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤ0、 ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、ΑΖΟ、ΑΤΟ、IrO, RuO、RuO/ITO、Ni、Ag、Ni/IrO/Au 和 Ni/Ir0/Au/IT0 中的 至少一种的单层或者多层形成。例如，在实施方案中，欧姆接触层150可由ITO制成。实施方案显示其中欧姆接触层150接触电流阻挡层145的下表面和侧表面的情 况，但是欧姆接触层150可设置为与电流阻挡层145间隔开，或者仅仅接触电流阻挡层145 的侧表面。电流阻挡层(CBL) 145可在欧姆接触层150和第二导电型半导体层130之间形成。电流阻挡层145的上表面接触第二导电型半导体层130，电流阻挡层145的下表面和侧表面 接触欧姆接触层150。电流阻挡层145可与电极115在垂直方向上交叠。由此，电流集中至电极115和 导电支撑衬底175之间最短距离处的现象得到减少，由此使得能够改善发光器件100的发 光效率。电流阻挡层145可选择性地形成，也可根据发光器件100的设计而省略。电流阻挡层145由电导率低于欧姆接触层150的材料、以及与第二导电型半导体 层130形成肖特基接触的材料、或者电绝缘材料所制成。例如，电流阻挡层145可由ZnO、 SiO2, SiOxNy, Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al 和 Cr 中的至少一种制成。保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：反射层；在所述反射层上的包括氧化物基材料的粘合层；在所述粘合层上的欧姆接触层；和在所述欧姆接触层上的发光结构层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]