一种导流装置制造方法及图纸

本说明书实施例公开了一种导流装置

【技术实现步骤摘要】
一种导流装置、晶体生长装置及晶体生长方法


[0001]本说明书涉及晶体生长技术，特别涉及一种导流装置
、
晶体生长装置及晶体生长方法
。

技术介绍

[0002]在溶液法生长碳化硅晶体过程中，为了抑制籽晶固有缺陷
(
例如，微管缺陷和各类位错等
)
向生长的晶体延伸，在长晶时通常会选用偏轴籽晶，这是因为偏轴籽晶可以提供充分的台阶并实现高效的缺陷转换
。
偏轴籽晶表面的台阶总是沿单一方向扩展，而溶液传输方向一般从籽晶生长面中心向两边流动
。
即会导致一部分台阶流方向与溶液流动方向平行，而另一部分台阶流方向与溶液流动方向反向平行
。
其结果是，台阶流方向与溶液流动方向反向平行的区域生长的晶体表面光滑，台阶流方向与溶液流动方向平行的区域生长的晶体表面十分粗糙
。
[0003]因此，有必要提供一种改进的导流装置
、
晶体生长装置及晶体生长方法，以提高晶体表面质量
。

技术实现思路

[0004]本说明书实施例之一提供一种导流装置，用于在生长晶体的过程中调整原料液的流向
。
所述导流装置包括：导流侧壁，所述导流侧壁围绕第一方向形成导流空间；隔离板，所述隔离板设置于所述导流空间，将所述导流空间沿所述第一方向分隔成第一空间和第二空间；所述导流侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁的内壁朝所述导流空间外侧凸起，所述第二侧壁的内壁为弧形结构，所述弧形结构位于所述第一空间，所述隔离板的第一端与所述弧形结构的第一端过渡连接，所述弧形结构的第二端向远离所述第一侧壁的方向延伸，所述隔离板的与所述第一端相对的第二端与所述第一侧壁的内壁形成开口；所述原料液从所述第二空间经过所述开口沿所述第一侧壁的所述内壁进入所述第一空间，由所述第一侧壁流向所述第二侧壁，沿所述弧形结构流出所述导流装置
。
[0005]本说明书实施例之一提供一种晶体生长装置
。
所述晶体生长装置包括：导流装置；坩埚，用于盛装所述原料液；托盘，用于支撑籽晶，在所述籽晶的生长面生长所述晶体；其中，在生长所述晶体的过程中，所述籽晶的所述生长面与所述原料液接触，所述导流装置位于所述生长面下方，所述生长面朝向所述导流装置的所述第一空间，从所述第一侧壁到所述第二侧壁的方向与所述生长面的台阶流方向相反
。
[0006]本说明书实施例之一提供一种晶体生长方法
。
所述晶体生长方法包括：使用晶体生长装置生长所述晶体，所述晶体生长方法包括：原料液制备过程，包括：将用于生长所述晶体的原料加入所述坩埚；对所述原料进行加热，得到所述原料液；生长过程，包括：移动所述托盘，使所述籽晶的所述生长面与所述原料液接触，在所述籽晶的所述生长面生长所述晶体；调整所述导流装置的位置，使所述导流装置位于所述生长面下方，所述生长面位于所述导流装置的所述第一空间，从所述第一侧壁到所述第二侧壁的方向与所述生长面的台阶
流方向相反
。
附图说明
[0007]本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述
。
这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
[0008]图1是根据本说明书一些实施例所示的导流装置的剖面示意图
。
[0009]图2是根据本说明书一些实施例所示的导流装置的立体结构示意图
。
[0010]图3是图2的剖视图
。
[0011]图4是根据本说明书一些实施例所示的晶体生长装置的结构示意图
。
[0012]图5是根据本说明书一些实施例所示的托盘的结构示意图
。
[0013]图6是根据本说明书一些实施例所示的籽晶与导流装置的相对位置示意图
。
[0014]图7是根据本说明书一些实施例所示的搅拌装置的结构示意图
。
[0015]附图标记说明：
10
为晶体生长装置；
100
为导流装置；
110
为导流侧壁；
111
为第一侧壁；
1111
为第一内壁；
1112
为第二内壁；
112
为第二侧壁；
1121
为弧形结构；
120
为隔离板；
121
为开口；
130
为第一空间；
140
为第二空间；
150
为挡板；
151
为引导平台；
152
为引导斜面；
160
为入口；
200
为坩埚；
300
为原料液；
400
为托盘；
410
为籽晶杆；
420
为籽晶托；
500
为籽晶；
510
为生长面；
520
为连接面；
600
为搅拌装置；
610
为连接套；
620
为连接架；
630
为连接杆；
640
为搅拌桨；
700
为支撑杆；
800
为导流板
。
具体实施方式
[0016]为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍
。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景
。
除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作
。
[0017]如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和
/
或“该”等词并非特指单数，也可包括复数
。
一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素
。
[0018]图1是根据本说明书一些实施例所示的导流装置的剖面示意图
。
图2是根据本说明书一些实施例所示的导流装置的立体结构示意图
。
图3是图2的剖视图
。
如图
1、
图
2、
图3所示，导流装置
100
，用于在生长晶体的过程中调整原料液的流向，包括导流侧壁
110
和隔离板
120。
[0019]导流侧壁
110
能够围绕形成引导原料液流动的导流空间
。
在一些实施例中，导流侧壁
110
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种导流装置，用于在生长晶体的过程中调整原料液的流向，其特征在于，包括：导流侧壁，所述导流侧壁围绕第一方向形成导流空间；隔离板，所述隔离板设置于所述导流空间，将所述导流空间沿所述第一方向分隔成第一空间和第二空间；所述导流侧壁包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁的内壁朝所述导流空间外侧凸起，所述第二侧壁的内壁为弧形结构，所述弧形结构位于所述第一空间，所述隔离板的第一端与所述弧形结构的第一端过渡连接，所述弧形结构的第二端向远离所述第一侧壁的方向延伸，所述隔离板的与所述第一端相对的第二端与所述第一侧壁的内壁形成开口；所述原料液从所述第二空间经过所述开口沿所述第一侧壁的所述内壁进入所述第一空间，由所述第一侧壁流向所述第二侧壁，沿所述弧形结构流出所述导流装置
。2.
如权利要求1所述的导流装置，其特征在于，所述第二空间内设有至少一个挡板；所述至少一个挡板与所述导流侧壁连接；所述至少一个挡板在所述第二空间形成至少一个入口，用于让所述原料液从所述至少一个入口沿所述至少一个挡板进入所述开口
。3.
如权利要求2所述的导流装置，其特征在于，所述挡板包括引导斜面和引导平台，所述引导斜面远离所述隔离板的第一端在所述第二空间底部形成所述至少一个入口，所述引导斜面靠近所述隔离板的第二端向所述开口倾斜，所述引导平台远离所述开口的一端与所述引导斜面的所述第二端连接，所述引导平台与所述隔离板之间形成引导通道
。4.
一种晶体生长装置，其特征在于，包括：权利要求1‑3中任一项所述的导流装置；坩埚，用于盛装所述原料液；托盘，用于支撑籽晶，在所述籽晶的生长面生长所述晶体；其中，在生长所述晶体的过程中，所述籽晶的所述生长面与所述原料液接触，所述导流装置位于所述生长面下方，所述生长面朝向所述导流装置的所述第一空间，从所述第一侧壁到所述第二侧壁的方向与所述生长面的台阶流方向之间的角度大于
90
°
且小于等于
180
°
。5.
如权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述隔离板与所述籽晶的所述生长面在所述第一方向上的距离为
0.5
‑
3mm。6.
如权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流装置的所述第一空间的至少一部分高于所述原料液的液面
。7.
如权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述导流装置的所述第二空间的至少一部分位于所述原料液中
。8.
如权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置进一步包括搅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，顾鹏，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：