一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统技术方案

本说明书实施例提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统，该方法包括获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于第一反射光强度，确定晶体的助熔剂夹杂量。确定晶体的助熔剂夹杂量。确定晶体的助熔剂夹杂量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统


[0001]本说明书涉及检测领域，特别涉及一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统。

技术介绍

[0002]目前，晶体生长完毕后的助熔剂的夹杂量的分析中，往往通过目测晶体截面的方法，粗略预估晶体截面的助熔剂的夹杂量的多少。但是，该方式无法准确确定晶体截面中所含的助熔剂的夹杂量的多少。
[0003]因此，希望提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统，可以准确分析晶体中的助熔剂的夹杂量的多少，有利于后续优化晶体生长的工艺流程，减少后续晶体生长过程中晶体中的助熔剂的夹杂量。

技术实现思路

[0004]本说明书实施例之一提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法。所述检测方法包括：获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。
[0005]在一些实施例中，所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：控制所述光源通过预设角度照射所述晶体的截面；获取基于光敏电阻检测的反射光信号；基于所述反射光信号和所述光敏电阻的强度阻值预设关系，确定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：控制所述光源通过预设角度照射所述晶体的截面；获取基于光敏电阻检测的反射光信号；基于所述反射光信号和所述光敏电阻的强度阻值预设关系，确定所述第一反射光强度。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的截面包括磨片、切片和剖面中的至少一种。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量包括：获取纯晶体样本的截面在所述光源照射下的第二反射光强度；获取纯助熔剂样本的截面在所述光源照射下的第三反射光强度；基于所述第一反射光强度、所述第二反射光强度和所述第三反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的助熔剂夹杂量为第一差值与第二差值之间的比值，其中，所述第一差值为所述第二反射光强度与所述第一反射光强度之间的差值，所述第二差值为所述第二反射光强度与所述第三反射光强度之间的差值。6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的截面包括所述晶体在不同生长时期的多个截面；所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：获取所述晶体的所述多个截面在所述光源照射下的多个第一反射光强度；所述基于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，车志恒，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：