一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统技术方案

本说明书实施例提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统，该方法包括获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于第一反射光强度，确定晶体的助熔剂夹杂量。确定晶体的助熔剂夹杂量。确定晶体的助熔剂夹杂量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统


[0001]本说明书涉及检测领域，特别涉及一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统。

技术介绍

[0002]目前，晶体生长完毕后的助熔剂的夹杂量的分析中，往往通过目测晶体截面的方法，粗略预估晶体截面的助熔剂的夹杂量的多少。但是，该方式无法准确确定晶体截面中所含的助熔剂的夹杂量的多少。
[0003]因此，希望提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法和系统，可以准确分析晶体中的助熔剂的夹杂量的多少，有利于后续优化晶体生长的工艺流程，减少后续晶体生长过程中晶体中的助熔剂的夹杂量。

技术实现思路

[0004]本说明书实施例之一提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法。所述检测方法包括：获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。
[0005]在一些实施例中，所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：控制所述光源通过预设角度照射所述晶体的截面；获取基于光敏电阻检测的反射光信号；基于所述反射光信号和所述光敏电阻的强度阻值预设关系，确定所述第一反射光强度。
[0006]在一些实施例中，所述晶体的截面包括磨片、切片和剖面中的至少一种。
[0007]在一些实施例中，所述基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量包括：获取纯晶体样本的截面在所述光源照射下的第二反射光强度；获取纯助熔剂样本的截面在所述光源照射下的第三反射光强度；基于所述第一反射光强度、所述第二反射光强度和所述第三反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。
[0008]在一些实施例中，所述晶体的助熔剂夹杂量为第一差值与第二差值之间的比值，其中，所述第一差值为所述第二反射光强度与所述第一反射光强度之间的差值，所述第二差值为所述第二反射光强度与所述第三反射光强度之间的差值。
[0009]在一些实施例中，所述晶体的截面包括所述晶体在不同生长时期的多个截面；所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：获取所述晶体的所述多个截面在所述光源照射下的多个第一反射光强度；所述基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量包括：基于所述多个第一反射光强度，确定所述晶体在所述不同生长时期的助熔剂夹杂量变化曲线。
[0010]在一些实施例中，所述检测方法还包括：基于所述助熔剂夹杂量变化曲线，确定晶体生长参数的调整方式。
[0011]在一些实施例中，所述基于所述助熔剂夹杂量变化曲线，确定晶体生长参数的调整方式包括：基于所述助熔剂夹杂量变化曲线，通过生长参数调整模型确定所述晶体生长参数的调整方式，所述生长参数调整模型为机器学习模型。
[0012]在一些实施例中，所述晶体生长参数包括：晶体生长的保温参数、功率和助熔剂成分中的至少一种。
[0013]本说明书实施例之一提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测系统，所述检测系统包括：获取模块，用于获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；确定模块，用于基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。
[0014]本说明书实施例之一提供一种晶体中助熔剂夹杂量的检测装置，所述装置包括至少一个处理器以及至少一个存储器；所述至少一个存储器用于存储计算机指令；所述至少一个处理器用于执行所述计算机指令中的至少部分指令以实现晶体中助熔剂夹杂量的检测方法。
[0015]本说明书实施例之一提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行晶体中助熔剂夹杂量的检测方法。
附图说明
[0016]本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
[0017]图1是根据本说明书一些实施例所示的晶体中助熔剂夹杂量的检测系统的示例性模块图；
[0018]图2是根据本说明书一些实施例所示的晶体中助熔剂夹杂量的检测方法的示例性流程图；
[0019]图3是根据本说明书一些实施例所示的确定助熔剂夹杂量的示例性流程图；
[0020]图4是根据本说明书一些实施例所示的光源照射的示例性示意图；
[0021]图5A是根据本说明书一些实施例所示的磨片的示例性示意图；
[0022]图5B是根据本说明书一些实施例所示的切片和剖面的示例性示意图。
具体实施方式
[0023]为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
[0024]应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。
[0025]除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
[0026]本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的系统所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
[0027]图1是根据本说明书一些实施例所示的晶体中助熔剂夹杂量的检测系统的示例性模块图。如图1所示，晶体中助熔剂夹杂量的检测系统100可以包括获取模块110和确定模块120。
[0028]在一些实施例中，获取模块可以用于获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度。
[0029]在一些实施例中，确定模块可以用于基于第一反射光强度，确定晶体的助熔剂夹杂量。
[0030]在一些实施例中，获取模块可以进一步用于获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：控制光源通过预设角度照射晶体的截面；获取基于光敏电阻检测的反射光信号；基于反射光信号和光敏电阻的强度阻值预设关系，确定第一反射光强度。
[0031]在一些实施例中，确定模块可以进一步用于获取纯晶体样本的截面在光源照射下的第二反射光强度；获取纯助熔剂样本的截面在光源照射下的第三反射光强度；基于第一反射光强度、第二反射光强度和第三反射光强度，确定晶体的助熔剂夹杂量。
[0032]在一些实施例中，晶体的截面包括晶体在不同生长时期的多个截面；获取模块可以进一步用于获取晶体的多个截面在光源照射下的多个第一反射光强度；确定模块可以进一步用于基于多个第一反射光强度，确定晶体在不同生长时期的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体中助熔剂夹杂量的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度；基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：控制所述光源通过预设角度照射所述晶体的截面；获取基于光敏电阻检测的反射光信号；基于所述反射光信号和所述光敏电阻的强度阻值预设关系，确定所述第一反射光强度。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的截面包括磨片、切片和剖面中的至少一种。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于所述第一反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量包括：获取纯晶体样本的截面在所述光源照射下的第二反射光强度；获取纯助熔剂样本的截面在所述光源照射下的第三反射光强度；基于所述第一反射光强度、所述第二反射光强度和所述第三反射光强度，确定所述晶体的助熔剂夹杂量。5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的助熔剂夹杂量为第一差值与第二差值之间的比值，其中，所述第一差值为所述第二反射光强度与所述第一反射光强度之间的差值，所述第二差值为所述第二反射光强度与所述第三反射光强度之间的差值。6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶体的截面包括所述晶体在不同生长时期的多个截面；所述获取晶体的截面在光源照射下的第一反射光强度包括：获取所述晶体的所述多个截面在所述光源照射下的多个第一反射光强度；所述基于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，车志恒，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：