【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及晶体制备领域，特别涉及一种晶体生长方法、系统、装置以及存储介质。
技术介绍
1、随着科学技术的发展，晶体(例如，碳化硅)大量地被应用于不同的光电器件和电子器件中，在晶体需求逐渐增大的同时，如何提高晶体生长质量也成为领域内关注的重点。
2、在晶体生长过程中，晶体的晶面温度是晶体生长质量核心因素，但晶体生长过程中难以对晶面温度进行观测，导致晶体的生长过程中晶面温度无法准确控制，晶体生长质量不高。
3、因此，如何提升晶体生长的质量，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本说明书实施例之一提供一种晶体生长方法，所述晶体生长方法包括：确定晶体生长设备在目标炉次的参数集，其中，所述参数集包括至少一个目标参数，所述目标参数为所述晶体生长设备中影响晶体生长的参数；在所述目标炉次的目标时间段，获取所述晶体生长设备的第一测温点的第一温度检测值；基于所述目标参数和所述第一温度检测值，通过晶面温度确定模型确定所述第一温度检测值对应的模拟晶面温度。
2、在一...
【技术保护点】
1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标参数包括目标第一参数以及目标第二参数，
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定晶体生长设备在目标炉次的参数集包括：
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定晶体生长设备在目标炉次的参数集包括：
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定晶体生长设备在目标炉次的参数集包括：
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述历史...
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标参数包括目标第一参数以及目标第二参数，
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定晶体生长设备在目标炉次的参数集包括：
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述确定晶体生长设备在目标炉次的参数集包括：
6.如权利要求3所述的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，雷沛，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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