一种提高瓷砖平整度的方法技术

技术编号:39568805 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-03 19:19
本发明专利技术涉及瓷砖技术领域,尤其涉及一种提高瓷砖平整度的方法

【技术实现步骤摘要】
一种提高瓷砖平整度的方法


[0001]本专利技术涉及瓷砖
,尤其涉及一种提高瓷砖平整度的方法


技术介绍

[0002]瓷砖产品的款式众多,同时还具有低吸水率

高耐磨性和耐酸碱性

较长的使用寿命的特点,被广泛的应用在各大家装和商业建筑中

[0003]由于瓷砖生产原料或制备参数的设置等原因,大理石瓷砖的坯体在烧制过程中会产生收缩变形,容易造成瓷砖产品的平整度不达标,如,烧制出来的大理石瓷砖容易出现上拱下翘

波浪状变形等不同的变形情况,后续在瓷砖的铺贴过程中,会导致整个铺贴效果较为不美观,尤其是对于密缝铺贴瓷砖,更加需要很高的平整度

对于现有的瓷砖而言,规格
(
尺寸
)
越大,就越难保持较高的平整性,如瓷砖的规格为
900*900cm
时,其上凸或下凹的形变量往往在
0.5mm
以上;对于更大规格的瓷砖如
900*1200cm、900*1800cm

900*2700cm
时,其长边的上凸或下凹的形变量往往在
1mm
以上,甚至部分大规格瓷砖会出现
2mm
的上凸或下凹形变量


技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种提高瓷砖平整度的方法,旨在改善现有的大规格瓷砖平整度不高

影响后续铺贴的技术问题

[0005]为实现上述目的,本专利技术提出一种提高瓷砖平整度的方法,包括如下步骤:
[0006]S1.
将坯体原料压制成瓷砖坯体,在瓷砖坯体的表面施加釉料;
[0007]S2.
经步骤
S1
后的瓷砖坯体在窑炉内依次进行烧成

冷却,得到瓷砖;
[0008]步骤
S2
中,控制瓷砖坯体在烧成或冷却时的运输速率为2‑
4m/min
;烧成温度<瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距为1‑
9mm
;烧成温度

瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距与瓷砖坯体长度的比值=5‑
25mm。
[0009]瓷砖坯体经压制成型后再施加釉料
(
底釉

面釉等
)
获得半成品,半成品在窑炉内进行烧成,此时需要控制瓷砖坯体的运输速率为2‑
4m/min(
实际生产时一般是通过控制辊棒的速度来实现
)
,以使瓷砖烧成较为均匀,获得的瓷砖性能更佳;此外,还需要在不同的烧成区段控制瓷砖坯体
(
砖坯
)
间距与长度的比值大小,以进一步改善瓷砖的平整度,使大规格瓷砖的平整度更好
(
本方案指长度
≥1200mm
,宽度
≥900mm
的瓷砖
)。
[0010]优选地,步骤
S1
中,在瓷砖坯体表面施加面釉后,再进行喷墨印花,再继续施加印刷抛釉;
[0011]按质量百分比计,瓷砖坯体的化学组成包括如下:
SiO
2 64

68

、Al2O319

22

、Fe2O30.3

0.8

、TiO20.1

0.2

、CaO0.2

0.7

、MgO0.5
‑2%,
K2O2
‑4%
、Na2O1
‑3%和烧失3‑8%;
[0012]按质量百分比计,印刷抛釉的化学组成包括如下:
SiO
2 40

45

、Al2O319

25


Fe2O30.1

0.5

、TiO20.1

0.2

、CaO 5

10

、MgO2
‑5%,
K2O1
‑5%
、BaO6

12

、MnO

0.01

、P2O50.02

0.2

、SO3≤0.01

、Na2O2
‑4%和烧失1‑
10


[0013]按质量百分比计,面釉的化学组成包括如下:
SiO
2 50

55

、Al2O319

25

、Fe2O30.1

0.3

、TiO20.01

0.1

、CaO 5

10

、MgO2
‑5%,
K2O1
‑3%
、BaO0.01

0.1

、MnO

0.01

、P2O50.05

0.2

、SO3≤0.1

、Na2O1
‑4%和烧失1‑
10


[0014]坯体和釉料
(
面釉和印刷抛釉
)
的化学组成控制在上述范围时,烧成后获得的瓷砖本身具有较好的质量,瓷砖整体的平整度较高

[0015]优选地,控制瓷砖坯体与面釉的始熔点差值为
80

105℃
,瓷砖坯体与面釉的软化点差值为
15

70℃
;控制瓷砖坯体与印刷抛釉的始熔点差值为
85

110℃
,瓷砖坯体与印刷抛釉的软化点差值为
10

65℃。
在烧成中,瓷砖坯体和釉料
(
面釉和印刷抛釉
)
的始熔点和软化点极为重要,通过原料的选择,控制瓷砖坯体和釉料的始熔点差值在上述范围,软化点的差值在上述范围时,瓷砖坯体和釉料的熔合效果更好,获得的瓷砖平整度更高

本方案中,釉料
(
面釉和印刷抛釉
)
的始熔点或软化点一般比瓷砖坯体的始熔点或软化点更高

[0016]优选地,瓷砖坯体的线膨胀系数为
α


500℃
时,7×
10...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.
将坯体原料压制成瓷砖坯体,在瓷砖坯体的表面施加釉料;
S2.
经步骤
S1
后的瓷砖坯体在窑炉内依次进行烧成

冷却,得到瓷砖;步骤
S2
中,控制瓷砖坯体在烧成或冷却时的运输速率为2‑
4m/min
;当烧成温度<瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距为1‑
9mm
;当烧成温度

瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距为5‑
25mm。2.
根据权利要求1的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,步骤
S1
中,在瓷砖坯体表面施加面釉后,再进行喷墨印花,再继续施加印刷抛釉;按质量百分比计,瓷砖坯体的化学组成包括如下:
SiO
2 64

68

、Al2O319

22

、Fe2O30.3

0.8

、TiO20.1

0.2

、CaO0.2

0.7

、MgO0.5
‑2%,
K2O2
‑4%
、Na2O1
‑3%和烧失3‑8%;按质量百分比计,印刷抛釉的化学组成包括如下:
SiO
2 40

45

、Al2O319

25

、Fe2O30.1

0.5

、TiO20.1

0.2

、CaO 5

10

、MgO2
‑5%,
K2O1
‑5%
、BaO6

12

、MnO

0.01

、P2O50.02

0.2

、SO3≤0.01

、Na2O2
‑4%和烧失1‑
10


按质量百分比计,面釉的化学组成包括如下:
SiO
2 50

55

、Al2O319

25

、Fe2O30.1

0.3

、TiO20.01

0.1

、CaO 5

10

、MgO2
‑5%,
K2O1
‑3%
、BaO0.01

0.1

、MnO

0.01

、P2O50.05

0.2

、SO3≤0.1

、Na2O1
‑4%和烧失1‑
10

。3.
根据权利要求2的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,控制瓷砖坯体与面釉的始熔点差值为
80

105℃
,瓷砖坯体与面釉的软化点差值为
15

70℃
;控制瓷砖坯体与印刷抛釉的始熔点差值为
85

110℃
,瓷砖坯体与印刷抛釉的软化点差值为
10

65℃。4.
根据权利要求1的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,瓷砖坯体的线膨胀系数为
α


500℃
时,7×
10
‑6/K≤
α

≤15
×
10
‑6/K

900℃
时,8×
10
‑6/K≤
α

≤20
×
10
‑6/K
;面釉的线膨胀系数为
α


500℃
时,5×
10
‑6/K≤
α

≤10
×
10
‑6/K

900℃
时,6×
10
‑6/K≤
α

≤11
×
10
‑6/K
...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏伟劲朱联烽夏长斌陈柱文黄文锋黄海发
申请(专利权)人:广东简一集团陶瓷有限公司广西简一陶瓷有限公司
类型:发明
国别省市:

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