【技术实现步骤摘要】
一种提高瓷砖平整度的方法
[0001]本专利技术涉及瓷砖
,尤其涉及一种提高瓷砖平整度的方法
。
技术介绍
[0002]瓷砖产品的款式众多,同时还具有低吸水率
、
高耐磨性和耐酸碱性
、
较长的使用寿命的特点,被广泛的应用在各大家装和商业建筑中
。
[0003]由于瓷砖生产原料或制备参数的设置等原因,大理石瓷砖的坯体在烧制过程中会产生收缩变形,容易造成瓷砖产品的平整度不达标,如,烧制出来的大理石瓷砖容易出现上拱下翘
、
波浪状变形等不同的变形情况,后续在瓷砖的铺贴过程中,会导致整个铺贴效果较为不美观,尤其是对于密缝铺贴瓷砖,更加需要很高的平整度
。
对于现有的瓷砖而言,规格
(
尺寸
)
越大,就越难保持较高的平整性,如瓷砖的规格为
900*900cm
时,其上凸或下凹的形变量往往在
0.5mm
以上;对于更大规格的瓷砖如
900*1200cm、900*1800cm
或
900*2700cm
时,其长边的上凸或下凹的形变量往往在
1mm
以上,甚至部分大规格瓷砖会出现
2mm
的上凸或下凹形变量
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的主要目的是提供一种提高瓷砖平整度的方法,旨在改善现有的大规格瓷砖平整度不高
、
影响后续铺贴的技术问题
。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.
将坯体原料压制成瓷砖坯体,在瓷砖坯体的表面施加釉料;
S2.
经步骤
S1
后的瓷砖坯体在窑炉内依次进行烧成
、
冷却,得到瓷砖;步骤
S2
中,控制瓷砖坯体在烧成或冷却时的运输速率为2‑
4m/min
;当烧成温度<瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距为1‑
9mm
;当烧成温度
≥
瓷砖坯体及釉料的熔融温度时,控制相邻两块瓷砖坯体之间的间距为5‑
25mm。2.
根据权利要求1的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,步骤
S1
中,在瓷砖坯体表面施加面釉后,再进行喷墨印花,再继续施加印刷抛釉;按质量百分比计,瓷砖坯体的化学组成包括如下:
SiO
2 64
‑
68
%
、Al2O319
‑
22
%
、Fe2O30.3
‑
0.8
%
、TiO20.1
‑
0.2
%
、CaO0.2
‑
0.7
%
、MgO0.5
‑2%,
K2O2
‑4%
、Na2O1
‑3%和烧失3‑8%;按质量百分比计,印刷抛釉的化学组成包括如下:
SiO
2 40
‑
45
%
、Al2O319
‑
25
%
、Fe2O30.1
‑
0.5
%
、TiO20.1
‑
0.2
%
、CaO 5
‑
10
%
、MgO2
‑5%,
K2O1
‑5%
、BaO6
‑
12
%
、MnO
<
0.01
%
、P2O50.02
‑
0.2
%
、SO3≤0.01
%
、Na2O2
‑4%和烧失1‑
10
%
。
按质量百分比计,面釉的化学组成包括如下:
SiO
2 50
‑
55
%
、Al2O319
‑
25
%
、Fe2O30.1
‑
0.3
%
、TiO20.01
‑
0.1
%
、CaO 5
‑
10
%
、MgO2
‑5%,
K2O1
‑3%
、BaO0.01
‑
0.1
%
、MnO
<
0.01
%
、P2O50.05
‑
0.2
%
、SO3≤0.1
%
、Na2O1
‑4%和烧失1‑
10
%
。3.
根据权利要求2的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,控制瓷砖坯体与面釉的始熔点差值为
80
‑
105℃
,瓷砖坯体与面釉的软化点差值为
15
‑
70℃
;控制瓷砖坯体与印刷抛釉的始熔点差值为
85
‑
110℃
,瓷砖坯体与印刷抛釉的软化点差值为
10
‑
65℃。4.
根据权利要求1的一种提高瓷砖平整度的方法,其特征在于,瓷砖坯体的线膨胀系数为
α
坯
,
500℃
时,7×
10
‑6/K≤
α
坯
≤15
×
10
‑6/K
,
900℃
时,8×
10
‑6/K≤
α
坯
≤20
×
10
‑6/K
;面釉的线膨胀系数为
α
面
,
500℃
时,5×
10
‑6/K≤
α
面
≤10
×
10
‑6/K
,
900℃
时,6×
10
‑6/K≤
α
面
≤11
×
10
‑6/K
...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏伟劲,朱联烽,夏长斌,陈柱文,黄文锋,黄海发,
申请(专利权)人:广东简一集团陶瓷有限公司广西简一陶瓷有限公司,
类型:发明
国别省市:
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