半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括相对的衬底正面和衬底背面；从衬底正面开始刻蚀衬底，并停止刻蚀在衬底的内部，以在衬底内形成多个通孔，并向通孔填充金属，以形成金属柱；从衬底背面开始研磨部分厚度的衬底；从衬底背面开始刻蚀衬底，使得所有金属柱的端面从衬底背面露出；在衬底背面形成第一金属层，以填充金属柱和衬底之间的缝隙；在第一金属层上和衬底背面进行背面金属工艺，以形成第二金属层

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法
。

技术介绍

[0002]TSV(Through Silicon Via
，硅通孔
)
技术，通过在晶圆上加工互连通孔，即在晶圆内形成由导电物质填充形成的硅通孔金属柱，硅通孔金属柱将晶圆的正面和背面连通，使得芯片之间的互连长度减小
。
进而减小信号延迟
、
降低电容
/
电感，提升了器件性能
。
[0003]TSV
工艺的方法一般包括如下步骤：提供晶圆，晶圆包括相对的正面和背面，从晶圆的正面开始向晶圆背面的方向刻蚀晶圆，并且停止刻蚀在晶圆的内部
。
从而形成多个通孔，向通孔内填充金属例如钨金属，以形成金属柱
。
接着从晶圆背面的开始研磨晶圆，使得晶圆的背面露出金属柱的端部
。
现有技术中，通过刻蚀形成多个通孔时，所有通孔的深度不一定都相同
。
即通孔到达的晶圆内部的位置不相同，所以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的衬底正面和衬底背面；从所述衬底正面开始刻蚀所述衬底，并停止刻蚀在所述衬底的内部，以在所述衬底内形成多个通孔，并向所述通孔填充金属，以形成金属柱；从所述衬底背面开始研磨部分厚度的所述衬底；从所述衬底背面开始刻蚀所述衬底，使得所有金属柱的端面从所述衬底背面露出；在所述衬底背面形成第一金属层，以填充所述金属柱和所述衬底之间的缝隙；在所述第一金属层上和衬底背面进行背面金属工艺，以形成第二金属层
。2.
如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，从所述衬底背面开始刻蚀第二厚度的衬底之后，还包括：在所述衬底正面进行正面工艺，以形成正面结构；在所述衬底正面形成保护蓝膜，以保护所述正面结构
。3.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底背面形成第一金属层，以填充所述金属柱和所述衬底之间的缝隙之后，还包括：去除所述保护蓝膜
。4.
如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护蓝膜为
100
μ
m
～
600

【专利技术属性】
技术研发人员：郁新举，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：