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本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括相对的衬底正面和衬底背面；从衬底正面开始刻蚀衬底，并停止刻蚀在衬底的内部，以在衬底内形成多个通孔，并向通孔填充金属，以形成金属柱；从衬底背面开始研磨部分厚度的衬底；从衬底背面开始...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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