半导体开关装置制造方法及图纸

本发明专利技术以提供抑制弊病并能对应大电流化的半导体开关装置为目的。该半导体开关装置具备电力控制部，该电力控制部包括：具有第１开关元件和第１二极管的降压斩波电路；具有第２开关元件和第２二极管的升压斩波电路；以及电感。该第１开关元件的一端与高电压电源侧连接，另一端与该第１二极管的阴极连接，该第１二极管的阳极与低电压电源侧连接。该第２二极管的阴极与该第１开关元件的一端连接，阳极与该第２开关元件的一端连接，该第２开关元件的另一端与该第１二极管的阳极连接。在第１开关元件的另一端与第２开关元件的一端之间连接有该电感。负载与该第１开关元件的另一端或该第２开关元件的一端连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对施加于负载的电压进行控制的半导体开关装置。
技术介绍
半导体开关装置例如用于构成半桥式电路，该半桥式电路构成使用于进行电机的 转速控制的逆变器(inverter)或交流电源装置等的逆变桥电路。由于这种半导体开关装 置所使用的开关元件要处理大电流，所以使用功率MOSFET或IGBT (绝缘栅双极型晶体管 InsulatedBipolar Gate Transistor)等的功率元件作为开关元件。半导体开关装置的控制对象即负载经由半导体开关装置连接至直流电源。而且， 半导体开关装置所具备的开关元件响应从控制电路供给的驱动信号进行切换，从而能够进 行对负载的所希望的控制。例如，公开于专利文献2中的斩波(chopping)通电控制装置是 一例上述那样的半导体开关装置。专利文献1 日本特开平6-351289号公报专利文献2 日本特开平8-172793号公报专利文献3 日本特开平10-337084号公报专利文献4 日本特开2001-157490号公报专利文献5 日本特开平8-205581号公报专利文献6 日本特开2002-281784号公报专利文献7 日本特开平8-22393本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体开关装置，其特征在于：具备电力控制部，该电力控制部具有：降压斩波电路，该降压斩波电路具有第１开关元件和第１二极管；升压斩波电路，该升压斩波电路具有第２开关元件和第２二极管；以及电感，所述第１开关元件的一端与高电压电源侧连接，所述第１开关元件的另一端与所述第１二极管的阴极连接，所述第１二极管的阳极与低电压电源侧连接，所述第２二极管的阴极与所述第１开关元件的一端连接，所述第２二极管的阳极与所述第２开关元件的一端连接，所述第２开关元件的另一端与所述第１二极管的阳极连接，所述电感的一端与所述第１开关元件的另一端连接，而另一端与所述第２开关元件的一端连接，所述第１开关元件的另一端或所述第２开关...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高良正行，田畑光晴，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]