一种低功率的绿光激光笔制造技术

本发明专利技术涉及一种低功率的绿光激光笔，包括在一外壳内安装电池、电路板、开关、泵浦源、和在泵浦源输出光的光路前方，依次设置作为激光工作介质的晶体和光学整形系统；其特征在于，所述的晶体为一块自倍频晶体，自倍频晶体沿倍频相位匹配方向加工，该自倍频晶体的两个通光端面镀有利于泵浦光吸收、１．０５－１．１μｍ基频光振荡和０．５２５－０．５５μｍ倍频输出的介质膜，两个通光端面之间的厚度０．１－１５ｍｍ；半导体激光二极管泵浦光注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到一定值后，由自倍频晶体直接输出绿色激光。本发明专利技术的绿光激光笔避免了目前使用胶合晶体（如Ｎｄ：ＹＶＯ４＋ＫＴＰ）所带来的成本高、周期长、加工和组装工艺复杂等缺点，具备结构简单、体积小、性能可靠、光束质量好和输出功率低（约１ｍＷ）的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光器件，特别是涉及一种用自倍频晶体微片制作的低功率绿光 激光笔。
技术介绍
当今社会，外型小巧、使用方便的绿光激光笔作为指示用光源已广泛应用于会议、 教学、博物馆参观、登山、建筑物视察等多个场所，在世界各地都有很大市场销量。绿光激光 笔的主要结构是激光二极管(Laser Diode或LD)泵浦的微型固体激光器。目前，使用最 普遍的制作绿光激光笔的晶体是Nd:YV04+KTi0P04(KTP)的组合模块，其中NchYVO4晶体产 生1064nm的近红外激光，KTP晶体将1064nm激光通过腔内倍频转换为532nm绿色可见光 输出，两块晶体的内通光端面胶合在一起，外通光端面镀以有利于泵浦光吸收、基频激光振 荡、倍频输出的介质膜(如Nd = YVO4晶体外端面镀808nm增透和1064nm、532nm高反膜，KTP 晶体外端面镀808nm、1064nm高反和532nm增透膜)，从而形成基频光振荡、绿光输出的谐振 腔，如附图2所示。由于NchYVO4具有吸收系数高、吸收截面大，发射截面大、偏振发射等优 点，结合KTP所具有的非线性系数大、光束质量好的优势，由此制成的绿光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功率的绿光激光笔，包括在一外壳内安装电池、电路板、开关、泵浦源、和在所述的泵浦源输出光的光路前方，依次设置作为激光工作介质的晶体和光学整形系统；其特征在于，所述的晶体为一块自倍频晶体，所述的自倍频晶体沿倍频相位匹配方向加工，该自倍频晶体的两个通光端面镀有利于泵浦光吸收、１．０５－１．１μｍ基频光振荡和０．５２５－０．５５μｍ倍频输出的介质膜，两个通光端面之间的厚度０．１－１５ｍｍ；所述的泵浦源为半导体激光二极管；所述的半导体激光二极管泵浦光注入自倍频晶体中，泵浦光功率达到一定值后，由自倍频晶体直接输出绿色激光。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王继扬，张怀金，王正平，于浩海，马长勤，蒋民华，许祖彦，王保山，韩琳，宗楠，彭钦军，
申请(专利权)人：山东大学，中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]