电子封装件及其电子结构制造技术

一种电子封装件及其电子结构，包括将电子结构以多个导电元件接合于一承载结构上，其中，各该导电元件以多个导电柱连接该电子结构的单一接点，以于其中一个导电柱失效时，各该导电元件仍可利用其它导电柱电性连接各该接点，藉以增加电性导通率

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其电子结构


[0001]本专利技术有关一种半导体装置，尤指一种可提升封装可靠度的电子封装件及其电子结构
。

技术介绍

[0002]传统覆晶式
(flip chip)
半导体封装技术主要于半导体芯片的接点上形成焊料元件
(solder bump)
，再通过该焊料元件直接与封装基板电性连接，故相比于打线
(wire bonding)
方式而言，覆晶技术的电路路径较短，且具有较佳的电性品质，同时因可设计为晶背裸露形式，亦可提高该半导体芯片的散热性
。
[0003]如图
1A
及图
1B
所示的半导体芯片1，其芯片本体
11
形成有集成电路，且于最外侧设有电极垫
12
，并将如钝化层的绝缘层
13
形成于该芯片本体
11
及该集成电路上
(
但外露该电极垫
12)
，且将导电元件
15
形成于该电极垫
>12
上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子结构，包括：电子本体；多个接点，其设于该电子本体上；绝缘层，其设于该电子本体上且具有多个开孔，以令各该接点的部分表面外露于该多个开孔；多个导电柱，其设于该多个开孔中并电性连接该多个接点；以及多个导电元件，其设于该多个导电柱上，且令单一该导电元件与单一该接点之间通过该多个导电柱相连接
。2.
如权利要求1所述的电子结构，其中，该多个开孔的其中至少一者的深宽比大于
0.38。3.
如权利要求1所述的电子结构，其中，该多个导电柱的深宽比均相同
。4.
如权利要求1所述的电子结构，其中，该多个导电柱的其中至少两者的深宽比不相同
。5.
如权利要求1所述的电子结构，其中，该绝缘层于该电子本体上为非连续布设，使相邻的该多个导电元件之间的绝缘层互不相连
。6.
一种电子封装件，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泳达，黄柏凯，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：