半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在所述元件区域上和所述末端区域上。第一绝缘膜在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置在所述导电膜上。所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。率高的电阻率。率高的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和半导体装置的制造方法
[0001]本申请享受以日本专利申请2022
‑
47433号(申请日：2022年3月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请来包含基础申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0003]在功率半导体的终止端构造中，有时在电极和配线等的金属膜上设置半绝缘性膜(SInSiN膜:Semi
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Insulating Silicon Nitride膜，半绝缘氮化硅膜)以确保耐压性。然而，存在以下担忧：在形成半绝缘性膜时金属膜中的金属与半绝缘性膜中的Si发生反应，由此半绝缘性膜的导电率上升从而发生电极和配线的短路。

技术实现思路

[0004]实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。
[0005]根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具有：半导体层，其具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域；导电膜，其设置在所述元件区域上和所述末端区域上；第一绝缘膜，其在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置于所述导电膜上；以及第二绝缘膜，其设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有第三绝缘膜，所述第三绝缘膜设置在除所述元件区域侧的所述第二绝缘膜的至少一部分以外的所述第二绝缘膜上，在所述元件区域侧的所述第二绝缘膜的侧壁和所述第二绝缘膜的至少一部分的上表面处，所述第二绝缘膜与所述导电膜连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有第三绝缘膜，所述第三绝缘膜设置在除所述元件区域侧的所述第二绝缘膜的缘部的至少一部分以外的所述第二绝缘膜上，在所述元件区域侧的所述第二绝缘膜的侧壁处，所述第二绝缘膜与所述导电膜连接。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述导电膜具有设置在所述元件区域上的第一电极。5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上以及比所述第一绝缘膜远离所述元件区域的所述半导体层上，在远离所述元件区域的所述半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上绘美子，岸田基也，早濑茂昭，前多和诗，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：