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实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在...
该专利属于东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。

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