一种原子层沉积镀膜设备制造技术

本申请公开了一种原子层沉积镀膜设备及方法，设备包括：第一真空泵

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积镀膜设备


[0001]本申请涉及沉积镀膜
，特别是涉及一种原子层沉积镀膜设备
。

技术介绍

[0002]在镀膜工艺中，反应残余气体相遇后往往会产生大量粉尘，粉尘会随着气体进入泵管，流经阀门，最终进入泵内
。
所以，所采用的阀类器件和泵易于损坏，并且需要经常停机维护
。
[0003]目前，大多采用在泵或阀体前安装过滤器，但往往是通过增加粉尘流程和多层滤网实现粉尘的捕获，该方式的缺点是增加了泵系统的流阻，并且当过滤器中的反应残余气体未完全反应进入泵管后，则容易在泵中相遇反应产生粉尘，累积的粉尘容易引起卡泵，增加了停机维护的成本
。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种原子层沉积镀膜设备，能够以较低的成本解决管路堵塞
、
真空泵损伤的问题
。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种原子层沉积镀膜设备，原子层沉积镀膜设备包括：第一真空泵
、
第二真空泵
、
第一反应组和第二反应组；其中，第一反应组包括第一反应腔体
、
第一排气管
、
第二排气管
、
第一排气阀和第二排气阀，第一排气管
、
第二排气管均与第一反应腔体连通，第一排气阀设置于第一排气管上，第二排气阀设置于第二排气管上；第二反应组包括第二反应腔体
、
第三排气管和第四排气管，第三排气管r/>、
第四排气管均与第二反应腔体连通，第三排气阀设置于第三排气管上，第四排气阀设置于第四排气管上；其中，第一真空泵通过第一排气管与第一反应腔体连通，用于经第一排气管抽除第一反应腔体中的第一尾气，以及通过第三排气管与第二反应腔体连通，用于经第三排气管抽除第二反应腔体中的第一尾气；第二真空泵通过第二排气管与第二一反应腔体连通，用于经第二排气管抽除第一反应腔体中的第二尾气，以及通过第四排气管与第二反应腔体连通，用于经第四排气管抽除第二反应腔体中的第二尾气
。
[0006]优选地，第一反应组还包括第一排气阀和第二排气阀，第一排气阀设置于第一排气管上，第二排气阀设置于第二排气管上；第二反应组还包括第三排气阀和第四排气阀，第三排气阀设置于第三排气管上，第四排气阀设置于第四排气管上；原子层沉积镀膜设备还包括控制器，控制器与第一排气阀
、
第二排气阀
、
第三排气阀和第四排气阀连接
。
[0007]优选地，原子层沉积镀膜设备还包括：第一共用管和第二共用管，第一共用管的一端与第一真空泵连通，另一端与第一排气管和第三排气管连通；第二共用管的一端与第二真空泵连通，另一端与第二排气管和第四排气管连通
。
[0008]优选地，原子层沉积镀膜设备还包括第三真空泵；第一反应组还包括第五排气管，第五排气管两端分别连通第一反应腔体和第三真空泵；第二反应组还包括第六排气管，第六排气管两端分别连通第二反应腔体和第三真空泵；第三真空泵用于经第五排气管对第一
反应腔体抽真空，以及用于经第六排气管对第二反应腔体抽真空
。
[0009]优选地，原子层沉积镀膜设备还包括第三共用管，第三共用管的一端与第三真空泵连通，另一端与第五排气管和第六排气管连通
。
[0010]优选地，原子层沉积镀膜设备还包括真空压力传感器，真空压力传感器设置于第一反应腔体和第二反应腔体上，第五排气管上设有第五排气阀，第六排气管上设有第六排气阀，真空压力传感器
、
第五排气阀和第六排气阀均与控制器连接，控制器用于接收真空压力传感器反馈的第一反应腔体和
/
或第二反应腔体的真空度
。
[0011]优选地，第一反应组的数量为多组；第一真空泵可同时对多个第一反应组的多个第一反应腔体抽除第一尾气，第二真空泵可同时对多个第一反应组的多个第一反应腔体抽除第二尾气
。
[0012]优选地，第二反应组的数量为多组，第一真空泵可同时对多个第二反应组的多个第二反应腔体抽除第一尾气，第二真空泵可同时对多个第二反应组的多个第二反应腔体抽除第二尾气
。
[0013]优选地，第一排气阀与第三排气阀同时开启与关闭；第二排气阀与第四排气阀同时开启与关闭
。
[0014]上述技术方案，通过设置第一真空泵和第二真空泵分别抽除反应腔体的第一尾气和第二尾气，并通过设置独立的排气管，将反应腔体的第一尾气和第二尾气进行分流，避免第一尾气和第二尾气在排气管道中相遇反应生成粉尘，解决管道堵塞问题，延长了管道的清洁
/
更换周期
。
另外，每个真空泵对应设置至少两组反应组件，使得每个真空泵至少可以同时抽取两个反应腔体中的尾气，由于多个反应腔体可以共用第一真空泵和第二真空泵，因此能够降低真空泵数量，从而降低了设备成本及其维护成本
。
附图说明
[0015]图1是本申请提供的镀膜设备一实施方式的结构示意图；
[0016]图2是本申请提供的镀膜设备另一实施方式的结构示意图；
[0017]图3是本申请提供的镀膜设备另一实施方式的结构示意图；
[0018]图4是本申请提供的镀膜设备另一实施方式的结构示意图；
[0019]图5是本申请提供的镀膜方法完整的流程示意图；
[0020]图6是本申请提供的镀膜方法一实施方式的流程示意图；
[0021]图7是本申请提供的镀膜方法另一实施方式的流程示意图；
[0022]图8是本申请提供的镀膜方法另一实施方式的流程示意图
。
具体实施方式
[0023]为使本申请的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请的实施例，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合
。
[0024]镀膜设备采用原子层沉积法
(Atomic Layer Deposition,ALD)
技术对产品进行镀
膜
。
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术；当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应；在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗
。
原子层沉积反应方式是两种不同气体分别交替饱和化学吸附从而生长成薄膜
。
[0025]参阅图1，图1是本申请提供的镀膜设备一实施方式的结构示意图
。
镀膜设备...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种原子层沉积镀膜设备，其特征在于，所述原子层沉积镀膜设备
(100)
包括：第一真空泵
(110)
和第二真空泵
(120)
；第一反应组
(130)
和第二反应组
(140)
；其中，所述第一反应组
(130)
包括第一反应腔体
(131)、
第一排气管
(132)、
第二排气管
(133)、
第一排气阀
(134)
和第二排气阀
(135)
，所述第一排气管
(132)、
所述第二排气管
(133)
均与所述第一反应腔体
(131)
连通，所述第一排气阀
(134)
设置于所述第一排气管
(132)
上，所述第二排气阀
(135)
设置于所述第二排气管
(133)
上；所述第二反应组
(140)
包括第二反应腔体
(141)、
第三排气管
(142)、
第四排气管
(143)、
第三排气阀
(144)
和第四排气阀
(145)
，所述第三排气管
(142)、
所述第四排气管
(143)
均与所述第二反应腔体
(141)
连通，所述第三排气阀
(144)
设置于所述第三排气管
(142)
上，所述第四排气阀
(145)
设置于所述第四排气管
(143)
上；其中，所述第一真空泵
(110)
通过所述第一排气管
(132)
与所述第一反应腔体
(131)
连通，用于经第一排气管
(132)
抽除所述第一反应腔体
(131)
中的第一尾气，以及通过所述第三排气管
(142)
与所述第二反应腔体
(141)
连通，用于经第三排气管
(142)
抽除所述第二反应腔体
(141)
中的第一尾气；所述第二真空泵
(120)
通过所述第二排气管
(133)
与所述第一反应腔体
(131)
连通，用于经第二排气管
(133)
抽除所述第一反应腔体
(131)
中的第二尾气，以及通过所述第四排气管
(143)
与所述第二反应腔体
(141)
连通，用于经第四排气管
(143)
抽除所述第二反应腔体
(141)
中的第二尾气
。2.
根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一排气阀
(134)
和第二排气阀
(135)
之间互锁；所述第三排气阀
(144)
和第四排气阀
(145)
之间互锁；所述原子层沉积镀膜设备
(100)
还包括控制器，所述控制器与所述第一排气阀
(134)、
第二排气阀
(135)、
第三排气阀
(144)
和第四排气阀
(145)
连接
。3.
根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述原子层沉积镀膜设备
(100)
还包括：第一共用管
(111)
，所述第一共用管
(111)
的一端与所述第一真空泵
(110)
连通，另一端与所述第一排气管
(132)
和所述第三排气管
(142)
连通；第二共用管
(121)
，所述第二共...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛文瑞，安丽娟，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：