铝前驱体及其制造方法、薄层及存储装置制造方法制造方法及图纸

混合1～3摩尔的由下面的化学式1或下面的化学式2表示的化合物和1～3摩尔的由下面的化学式3表示的化合物来形成的铝前驱体的制造方法，<化学式1>X是O或S，R1或R2各自独立地从具有1～8个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式2>X是O或S，n是1～5，R1～R4各自独立地从氢原子、1～5个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式3>R1、R2及R3相互不同，且各自独立地从氢原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有1～6个碳原子的二烷基胺、具有1～6个碳原子的环胺基或卤原子中选择。基或卤原子中选择。基或卤原子中选择。

【技术实现步骤摘要】
铝前驱体及其制造方法、薄层及存储装置制造方法


[0001]本专利技术涉及铝前驱体、用铝前驱体形成薄层的方法、铝前驱体的制造方法及制造储存装置的方法，更具体来说，涉及具有优秀的安全性、薄层厚度易控制及优秀的台阶覆盖特性的铝前驱体、用铝前驱体形成薄层的方法、铝前驱体的制造方法及制造储存装置的方法。

技术介绍

[0002]现有的2D NAND闪存工艺，在小面积内集成度增高时，表现出单元格之间的干涉和泄露加重的技术限制。为了克服这种缺点，出现了垂直堆叠单元格的3D NAND闪存工艺。
[0003]包括多层堆叠的3D NAND闪存的优点包括：迅速减少单元格之间的干涉来提升特性，且通过增加上述堆叠，增加数据容量，且成本降低。结果，与传统的NAND储存装置相比，具有两倍以上的写入速度，耐力提高10倍以上，且耗电为一半。
[0004]然而，随着高度增加到90层以上的超高叠层，在侧壁上更难确保均匀的薄膜，且发生在最上面单元格和最下面单元格之间产生特性差异的限制。因此，对能够形成在大纵横比的三维结构具有优秀的台阶覆盖率的均匀厚度薄膜的制造方法的需求本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝前驱体的制造方法，混合1～3摩尔的由下面的化学式1或下面的化学式2表示的化合物和1～3摩尔的由下面的化学式3表示的化合物来形成所述铝前驱体，<化学式1>其中，x是O或S，R1或R2各自独立地从具有1～8个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式2>其中，X是O或S，n是1～5，R1～R4各自独立地从氢原子、1～5个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式3>其中，R1、R2及R3相互不同，且各自独立地从氢原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有1～6个碳原子的二烷基胺、具有1～6个碳原子的环胺基或卤原子中选择。2.如权利要求1所述的铝前驱体的制造方法，其中，混合乙基甲基硫醚和三甲基铝来形成所述铝前驱体。3.如权利要求1所述的铝前驱体的制造方法，其中，混合乙基丙基醚和三甲基铝来形成所述铝前驱体。4.一种铝前驱体，混合1～3摩尔的由下面的化学式1或下面的化学式2表示的化合物和1～3摩尔的由下面的化学式3表示的化合物来形成该铝前驱体，<化学式1>其中，X是O或S，R1或R2各自独立地从具有1～8个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式2>
其中，X是O或S，n是1～5，R1～R4各自独立地从氢原子、1～5个碳原子的烷基、具有3～6个碳原子的环烷基及具有6～12个碳原子的芳基中选择，<化学式3>其中，R1、R2及R3相互不同，且各自独立地从氢原子、具有1～6个碳原子的烷基、具有1～6个碳原子的二烷基胺、具有1～6个碳原子的环胺基或卤原子中选择。5.一种形成薄层的方法，包括：将权利要求4的所述铝前驱体供应至置有基板的腔体内部的步骤；净化所述腔体内部的步骤；及向所述腔体内部供应反应物质，以使所述反应物质与所述铝前驱体反应形成薄层的步骤。6.如权利要求5所述的形成薄层的方法，其中，所述薄层为氧化铝、氮化铝及硫化铝中之一。7.如权利要求5所述的形成薄层的方法，其中，所述方法是在50～700℃下实施。8.一种易失性存储设备的制造方法，其中，包括基于权利要求5的形成薄层的方法。...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹圭镐，金荷娜，金才玟，韩智娟，徐德炫，郑主焕，郑玹姝，曹贤植，金明镒，
申请(专利权)人：株式会社EGTM，
类型：发明
国别省市：