原子层沉积工艺方法技术

本申请公开了原子层沉积工艺方法

【技术实现步骤摘要】
原子层沉积工艺方法


[0001]本申请涉及光伏设备
和半导体
，特别是涉及原子层沉积工艺方法
。

技术介绍

[0002]在光伏设备
和半导体
中，经常需要真空镀膜
。
在真空镀膜工艺中，往往由于气相之间彼此的混合等原因，会产生大量粉尘
。
粉尘随着气体进入泵管，流经阀门，最终进入真空泵内
。
因此，所采用的阀类器件和真空泵易于堵塞和损坏，并且需要经常停机维护，显著影响了机台稼动率
。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种原子层沉积工艺方法，能够减少原子层沉积设备中粉尘的产生，减少管路堵塞和设备损伤
。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种原子层沉积工艺方法
。
原子层沉积工艺方法包括：
[0005]提供工艺腔体和负压泵，负压泵通过第一气流管路和第二气流管路分别与工艺腔体连通，第一气流管路和第二气流管路分别设置有第一阀门和第二阀门，并且第一气流管路和第二气流管路中的至少一者串联设置有冷阱，工艺腔体还设置有第一进气道
、
第二进气道和第三进气道，用于分别供第一工艺气体
、
第二工艺气体和惰性保护气进入工艺腔体；
[0006]第一次阀门切换，将第一阀门切换为打开状态，并且将第二阀门切换为关闭状态；
[0007]第一次工艺气体通入，通过第一进气道持续通入第一工艺气体；
[0008]第一次清洁吹扫，通过第三进气道持续通入惰性保护气；
[0009]第二次阀门切换，将第一阀门切换为关闭状态，并且将第二阀门切换为打开状态；
[0010]第二次工艺气体通入，通过第二进气道持续通入第二工艺气体；
[0011]第二次清洁吹扫，通过第三进气道持续通入惰性保护气
。
[0012]本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，区别于现有技术的情况，通过设置第一工艺气体在反应后通过第一气流管路排出工艺腔体，第二工艺气体在反应后通过第二气流管路排出工艺腔体，能够减少第一工艺气体和第二工艺气体的相遇，以减少粉尘的产生
。
通过设置第一阀门和第二阀门，并且根据上述的工艺方法，能够使得在需要第一工艺气体排出时，第一阀门能够打开，第二阀门能够关闭；在需要第二工艺气体排出时，第二阀门能够打开，第一阀门能够关闭，从而进一步减少第一工艺气体和第二工艺气体相遇的可能，进而减少粉尘的产生
。
换言之，上述原子层沉积工艺方法中第一阀门和第二阀门二者之间为互锁逻辑关系
。
附图说明
[0013]图1是本申请原子层沉积方法所用设备一实施例的示意图；
[0014]图2是本申请原子层沉积方法所用设备又一实施例的示意图；
[0015]图3是本申请原子层沉积方法所用设备再一实施例的示意图
。
[0016]图4是本申请原子层沉积方法的步骤示意图；
[0017]图5是本申请原子层沉积方法中阀门切换和同期时间关系的示意图
。
具体实施方式
[0018]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
[0019]在真空镀膜工艺中，往往产生大量粉尘
。
粉尘随着气体进入泵管，流经阀门，最终进入真空泵内
。
因此，所采用的阀类器件和真空泵易于损坏，并且需要经常停机维护，显著影响了机台稼动率
。
[0020]相关技术中，真空镀膜设备为解决这一问题，在真空泵或阀体前安装了过滤器
(
或称捕捉器
)
，但往往是通过增加粉尘流程和多层滤网实现粉尘的捕获，其缺点增加了泵管系统的流阻，并且随着设备工作时长的增加，粉尘在过滤器内部的累积，过滤器的流阻持续增加，这都会造成反应腔体的有效抽速不断降低，进而影响工艺的稳定性和大规模镀膜品质的重复性
。
为了改善上述技术问题，本申请可以提供以下实施例
。
[0021]本申请提出一种原子层沉积设备
1。
原子层沉积设备1包括工艺腔体
10
和负压泵
20。
负压泵
20
能够在泵体内持续形成真空或负压
(
相对真空
)
，从而为原子层沉积设备1中管路内气体的流动提供动力
。
工艺腔体
10
内能够容纳例如晶圆等需要进行镀膜工艺的待镀膜件
。
随着不同的气相通入工艺腔体
10
内，并且在工艺腔体
10
内，例如加热器等其他设备的共同参与下，待镀膜件的表面能够沉积薄膜
。
[0022]在一实施例中，参阅图1至图3，工艺腔体
10
设置有第一进气道
35、
第二进气道
36
和第三进气道
37
，用于分别供第一工艺气体
、
第二工艺气体和惰性保护气进入工艺腔体
10。
在镀膜工艺中，工艺腔体
10
需要输入两种不同的工艺气体，分别为第一工艺气体和第二工艺气体
。
第一工艺气体和第二工艺气体通过第一进气道
35
和第二进气道
36
通入工艺腔体
10
有时间上的先后顺序，第一工艺气体和第二工艺气体从工艺腔体
10
反应后的排出也具有先后顺序
。
在通入第一工艺气体切换至通入第二工艺气体以及通入第二工艺气体切换至通入第一工艺气体的过程中，需要通过第三进气道
37
通入惰性保护气来将工艺腔体
10
内残留的第一工艺气体或者第二工艺气体排出工艺腔体
10
，从而减少第一工艺气体和第二工艺气体在工艺腔体
10
内相遇的可能，以及保证下一次沉积工艺的正常进行
。
可选地，第一进气道
35、
第二进气道
36
和第三进气道
37
可以通过共用管路与工艺腔体
10
连通，从而使得工艺腔体
10
能够通过一条共用管路就能够与第一进气道
35、
第二进气道
36
和第三进气道
37
连通，如此使得工艺腔体
10
连通口开设的数量能够减少，以减少工艺腔体
10
的制造难度
。
[0023]在一些实施例中，第一工艺气体的组成为惰性保护气混合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种原子层沉积工艺方法，其特征在于，包括：提供工艺腔体和负压泵，所述负压泵通过第一气流管路和第二气流管路分别与所述工艺腔体连通，所述第一气流管路和所述第二气流管路分别设置有第一阀门和第二阀门，并且所述第一气流管路和所述第二气流管路中的至少一者串联设置有冷阱，所述工艺腔体还设置有第一进气道
、
第二进气道和第三进气道，用于分别供第一工艺气体
、
惰性保护气和第二工艺气体进入所述工艺腔体；第一次阀门切换，将所述第一阀门切换为打开状态，并且将所述第二阀门切换为关闭状态；第一次工艺气体通入，通过所述第一进气道持续通入所述第一工艺气体；第一次清洁吹扫，通过所述第三进气道持续通入所述惰性保护气；第二次阀门切换，将所述第一阀门切换为关闭状态，并且将所述第二阀门切换为打开状态；第二次工艺气体通入，通过所述第二进气道持续通入所述第二工艺气体；第二次清洁吹扫，通过所述第三进气道持续通入所述惰性保护气
。2.
根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：所述第一次清洁吹扫中所述惰性保护气通入的持续时间大于所述第一次工艺气体通入中所述第一工艺气体通入的持续时间；所述第二次清洁吹扫中所述惰性保护气通入的持续时间大于所述第二次工艺气体通入中所述第二工艺气体通入的持续时间
。3.
根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：在所述第二次清洁吹扫之后，所述工艺方法还包括：返回执行所述第一次阀门切换步骤
。4.
根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：周兴宝，毛文瑞，潘景伟，廖宝臣，黎微明，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：