一种钙钛矿电池电荷传输层及钙钛矿电池的制备方法技术

技术编号:39403952 阅读:20 留言:0更新日期:2023-11-19 15:55
本发明专利技术涉及光伏电池领域,尤其涉及一种钙钛矿电池电荷传输层及钙钛矿电池的制备方法,所述钙钛矿电池电荷传输层的制备方法,包括在锡源和

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿电池电荷传输层及钙钛矿电池的制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏电池领域,尤其涉及一种钙钛矿电池电荷传输层及钙钛矿电池的制备方法


技术介绍

[0002]钙钛矿电池是一种新型的太阳能电池技术,其具有高效率

低成本以及广泛的能带调控能力,因此在能源领域引起了广泛的关注和研究

钙钛矿材料是指一类晶体结构类似于矿物钙钛矿的钙钛矿型半导体材料,通常具有优异的光电转换性能

通过将钙钛矿材料应用于太阳能电池中,可以实现高效的光电转换,将太阳能转化为可用的电能,从而为能源行业提供了一种可持续发展的解决方案

[0003]钙钛矿电池主要由电极

电子传输层(
ETL


吸光层(活性层)

空穴传输层(
HTL
)和基底组成

其中,电极是用于收集电荷的部件,电子传输层起到电子传输

减少电子的复合损失的作用,从而提高钙钛矿电池的效率和稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法,包括以下步骤:步骤(
S.1
):提供一个半导体衬底,并将该半导体衬底置于原子层沉积反应仓内;步骤(
S.2
):对原子层沉积反应仓内进行抽真空处理,并升温至反应窗口温度
T1;步骤(
S.3
):依次向原子层沉积反应仓内脉冲通入锡源以及氧源,从而在半导体衬底表面形成二氧化锡膜;其特征在于,步骤(
S.4
):在锡源和
/
或氧源通入结束后,向原子层沉积反应仓内部通入温度为
T2的第一吹扫气从而对原子层沉积反应仓进行热清洗,并使得二氧化锡膜热重排;其中,所述步骤(
S.4
)中温度
T1+20℃≤
温度
T2≤
温度
T1+100℃
;步骤(
S.5
):热清洗结束后向原子层沉积反应仓内部通入温度
T3的第二吹扫气,从而对原子层沉积反应仓进行冷清洗;其中,所述步骤(
S.5
)中温度
T3≤
温度
T1;步骤(
S.6
):重复步骤(
S.3


步骤(
S.5
),从而在半导体衬底表面形成电荷传输层
。2.
根据权利要求1所述的一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法,其特征在于,所述步骤(
S.2
)中原子层沉积反应仓内抽真空至真空度低于
30 mTorr
,所述反应窗口温度
T1为
80~150℃。3.
根据权利要求1所述的一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法,其特征在于,所述步骤(
S.3
)中锡源流量为
10~50 sccm
,脉冲时间为
1~3s。4.
根据权利要求1所述的一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法,其特征在于,所述步骤(
S.3
)中氧源流量为
10~50 sccm
,脉冲时间为
0.5~...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈庆敏李丙科陈加朋卓倩武
申请(专利权)人:无锡松煜科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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