利用表面保护物质的薄膜形成方法技术

根据本发明专利技术的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法，包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体，以将所述金属前驱体吸附于所述基板上；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质以与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜；该方法在所述薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供给步骤，供给所述表面保护物质吸附到所述基板上；以及净化所述腔体内部的步骤。部的步骤。部的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用表面保护物质的薄膜形成方法


[0001]本专利技术涉及薄膜形成方法，更详细地，该薄膜形成方法形成很薄厚度的薄膜，从而薄膜厚度及台阶覆盖率控制容易。

技术介绍

[0002]DRAM器件通过革新技术的开发持续微细化，已达到10nm时代。与此相随，为了改善性能及可靠性，即使电容尺寸变小也需要充分维持高静电容量和低漏电特性，还要求击穿电压(breakdown voltage)也高。
[0003]以往，在把单一氧化锆膜用作MIM电容的介电膜时，虽然等价氧化膜厚度特性(Toxeq)良好，但漏电特性脆弱。为了克服这些问题，广泛使用ZrO2/Al2O3/ZrO2等复合高介电膜(combined high dielectric layer)。
[0004]但是，这些介电膜的厚度比ZrO2介电膜厚，所以Toxeq特性不好。另外，ZAZ结构的Al2O3作为阻止电容漏电的结构，当厚度过大时，静电容量变小；厚度过小时，漏电增加，所以需要适当控制厚度。
[0005]因此，为了维持一定的电容及漏电特性，不仅需要开发符合特性的物质，还需要使得电容介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种利用表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质以与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜；该方法在所述薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供给步骤，向所述腔体内部供给所述表面保护物质；以及净化所述腔体内部的步骤。2.如权利要求1所述的利用表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，所述表面保护物质用下述<化学式1>表示：<化学式1>所述<化学式1>中，每个n各自为0～6的整数，X从O，S中选择，R1～R3各自是碳原子数1～6的烷基，R4从氢原子、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的烷基硫基中选择。3.如权利要求1所述的利用表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，所述表面保护物质用下述<化学式2>表示：&am...

【专利技术属性】
技术研发人员：李根守，金才玟，崔雄辰，
申请(专利权)人：株式会社EGTM，
类型：发明
国别省市：