【技术实现步骤摘要】
基于p型掺杂第12
‑
16族半导体的光电装置及其生产方法
[0001]本专利技术涉及一种生产基于
p
型掺杂第
12
‑
16
族半导体的光电装置的方法和一种基于
p
型掺杂第
12
‑
16
族半导体的光电装置
。
技术介绍
[0002]第
12
‑
16
族半导体的
P
型掺杂是与如低空穴载流子浓度或缺乏长期稳定性的等缺点相关的关键过程
。
因此，需要开发用于基于
p
掺杂第
12
‑
16
族半导体的光电装置的替代性方法
。
[0003]US 2009/0133 745 A1
公开了一种光伏电池及其生产工艺，其中光伏有源半导体材料为掺杂有
As
或
P
元素的
p
型掺杂
ZnTe
，且碲离子的特定部分
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种制造基于
p
型掺杂第
12
‑
16
族半导体的光电装置的方法，其至少包括以下步骤：
a)
提供衬底，
b)
形成第
12
‑
16
族半导体层，
c)
形成至少一个掺杂源层，
d)
进行光辅助处理，其中所述至少一个掺杂源层在步骤
b)
之前
、
之后和
/
或期间形成，且所述至少一个掺杂源层包括至少一种选自第
11
族和第
15
族的掺杂元素
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光辅助处理的持续时间为
10
秒到
30
分钟，且其波长在
300nm
到
1100nm
范围内，和
/
或光强度在
50W/m2到
5000W/m2范围内
。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光辅助处理在步骤
b)
之后
、
期间进行，在活化处理之前
、
期间进行
。4.
根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，所述的至少一个掺杂源层形成为化合物掺杂源层
。5.
根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤
b)
中形成
CdSeTe
层，且所述的至少一个掺杂源层包括至少一种选自第...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，殷新建，傅干华，丹尼尔，
申请(专利权)人：CTF，
类型：发明
国别省市：
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