用于制造制造技术

本发明专利技术提供了一种制造半成品

【技术实现步骤摘要】
用于制造CdSeTe薄膜太阳能电池装置的方法


[0001]本专利技术涉及一种制造
CdSeTe
薄膜太阳能电池装置的方法，其尤其具有包括激光处理的特殊步骤
。

技术介绍

[0002]在现有技术中，
CdSeTe
薄膜太阳能电池装置以覆板配置制造，具有以下工艺顺序：在通常透明的衬底
(
如玻璃衬底
)
上，沉积第一电极层作为前触点
。
在其上，可以沉积硫化镉
(CdS)
层或另一窗口层，接着为
CdSeTe
吸收层
。
用例如
CdCl2的活化剂对
CdSeTe
吸收层进行活化，并进行温度处理
。
最后，第二电极层，例如金属层或金属化合物层，作为背触点以收集电荷载流子
。
衬底配置的
CdSeTe
薄膜太阳能电池装置也是现有技术已知的，其相对于沉积步骤以相反的工艺顺序形成
。
[0003]CdSeTe/>层可以通过现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制造半成品
CdSeTe
薄膜太阳能电池装置的方法，其至少包括以下步骤：
a)
提供衬底，
b)
在所述衬底上沉积层堆叠，所述层堆叠包括至少一个
CdSe
层和至少一个
CdTe
层，其中每一
CdSe
层与至少一个
CdTe
层相邻，
c)
执行激光处理，其中步骤
c)
中所述激光处理在步骤
b)
沉积所述层堆叠之后执行
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光处理的波长在
400nm
到
1100nm
的范围内
。3.
根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光处理的功率密度在
10W/cm2到
100kW/cm2的范围内
。4.
根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，在连续波模式下进行所述激光处理，持续时间为5毫秒到
10
分钟
。5.
根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其特征在于，在脉冲操作模式下进行所述激光处理，持续时间为5毫秒到
10
分钟，其中脉冲长度在1纳秒到
100
毫秒的范围内
。6.
根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光处理是从所述层堆叠的朝向所述衬底定向的第一界面执行和
/
或从所述层堆叠的远离所述衬底定向的第二界面执行
。7.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，殷新建，傅干华，帕帕乔治，
申请(专利权)人：CTF，
类型：发明
国别省市：