【技术实现步骤摘要】
制造半成品CdTe基薄膜太阳能电池装置的方法
[0001]本专利技术涉及一种制造半成品
CdTe
基薄膜太阳能电池装置的方法
。
技术介绍
[0002]在现有技术中,
CdTe
基薄膜太阳能电池装置以覆板
(superstrate)
构造生产,工艺步骤如下:在玻璃基板等通常透明的基板上沉积第一电极层作为前触点
。
在此层上,可沉积一层硫化镉
(CdS)
,然后是
CdTe
基吸收体层
。
然后用
CdCl2等活化剂和温度处理步骤活化
CdTe
基吸收体层
。
最后,施加第二电极层,例如金属层或金属化合物层,以作为背触点来收集电荷载流子
。
此外,现有技术也已知呈基板构造的
CdTe
基薄膜太阳能电池装置
。
[0003]CdTe
基吸收体层可通过现有技术已知的例如物理气相沉积
(PVD)、
电化学 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种制造半成品
CdTe
基薄膜太阳能电池装置的方法,其至少包括以下步骤:
a)
提供基板,
b)
形成
CdTe
基吸收体层,
c)
执行活化处理,
d)
执行闪光处理,其中步骤
d)
中所述的闪光处理在步骤
c)
中所述活化处理之前
、
之后和
/
或期间执行
。2.
根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述闪光处理为单次或多次闪光处理
。3.
根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述闪光处理的脉冲持续时间在1微秒到
20
豪秒范围内
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述闪光处理的脉冲能量在
0.1mJ/cm...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿,马立云,殷新建,傅干华,贝蒂娜,
申请(专利权)人:CTF,
类型:发明
国别省市:
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