用于制造半成品制造技术

本发明专利技术提供一种用于制造半成品

【技术实现步骤摘要】
用于制造半成品CdTe基薄膜太阳能电池装置的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制造半成品
CdTe
基薄膜太阳能电池装置的方法，具体地，通过支持活化处理的特殊步骤进行
。

技术介绍

[0002]在现有技术中，
CdTe
基薄膜太阳能电池装置以覆板
(superstrate)
构造生产，工艺步骤如下：在玻璃基板等通常透明的基板上沉积第一电极层作为前触点
。
在此层上，可沉积一层硫化镉
(CdS)
或另一窗口层，然后是
CdTe
基吸收体层
。
然后用
CdCl2等活化剂和温度处理步骤活化
CdTe
基吸收体层
。
最后，施加第二电极层，例如金属层或金属化合物层，以作为背触点来收集电荷载流子
。
此外，现有技术已知的呈基板构造的
CdTe
基薄膜太阳能电池装置，其按照与所述沉积步骤相反的工艺步骤形成
。
[0003]CdTe
基吸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制造半成品
CdTe
基薄膜太阳能电池装置的方法，其至少包括以下步骤：
a)
提供基板，
b)
在所述基板上形成
CdTe
基吸收体层，
c)
执行活化处理，
d)
执行光处理，其中步骤
d)
中所述的光处理与步骤
c)
中所述的活化处理同时执行
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光处理在
50W/m2到
5000W/m2范围内的光强度下执行
。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光处理在
300nm
到
900nm
范围内的波长下执行
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述光处理执行的持续时间为
10
秒到
30
分钟
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述光处理在所述半成品
CdTe
基薄膜太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，马立云，殷新建，傅干华，丹尼尔，
申请(专利权)人：CTF，
类型：发明
国别省市：