三氧化钼粉体和其制造方法技术

一种三氧化钼粉体，其含有包含三氧化钼的晶体结构的一次颗粒的集合体，上述晶体结构包含平均微晶尺寸为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三氧化钼粉体和其制造方法


[0001]本专利技术涉及三氧化钼粉体和其制造方法
。
[0002]本申请基于
2021
年3月
24
日在日本提出申请的日本特愿
2021
‑
050489
号要求优先权，将其内容援引于此
。

技术介绍

[0003]专利文献1公开了基于助熔剂蒸发法的
、
金属氧化物的制造装置和上述金属氧化物的制造方法，使用钼化合物作为助熔剂的情况下可回收到粉体化的三氧化钼
。
[0004]另外，专利文献2公开了纳米晶体钼混合氧化物的制造方法
、
该钼混合氧化物作为用于化学转化的催化剂的应用
。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第
2018/003481
号
[0008]专利文献2：日本特表
2011
‑
516378
号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的问题
[0010]在使用三氧化钼粉体作为硫化钼的前体时，市售的三氧化钼粉体在硫化反应性方面有困难
。
另外，三氧化钼的纯度高则可以得到纯度高的硫化钼，纯度低则可能生成源自杂质的硫化物
。
通常，硫化钼以外的硫化物的稳定性差，容易因酸
、
水等而分解并产生毒性高的硫化氢
。
因此，从保存稳定性
(
硫化氢的产生
)
的观点出发，要求纯度极高
。
[0011]本专利技术是鉴于上述情况作出的，课题在于，提供适合作为硫化钼的前体的三氧化钼粉体和其制造方法
。
[0012]用于解决问题的方案
[0013]本专利技术包括以下方式
。
[0014](1)
一种三氧化钼粉体，其含有包含三氧化钼的晶体结构的一次颗粒的集合体，上述晶体结构包含平均微晶尺寸为
50nm
以下的
α
晶体，通过动态光散射法求出的上述一次颗粒的中值粒径
D
50
为
2000nm
以下
。
[0015](2)
根据上述
(1)
所述的三氧化钼粉体，其中，用荧光
X
射线
(XRF)
测定的
MoO3的含有比率相对于上述三氧化钼粉体的总重量为
99.5
质量％以上
。
[0016](3)
根据上述
(1)
或
(2)
所述的三氧化钼粉体，其通过
BET
法测定的比表面积为
10m2/g
以上
。
[0017](4)
根据上述
(1)
～
(3)
中任一项所述的三氧化钼粉体，其中，上述晶体结构还包含平均微晶尺寸为
50nm
以下的
β
晶体
。
[0018](5)
根据上述
(4)
所述的三氧化钼粉体，其中，在由使用
Cu
‑
K
α
射线作为
X
射线源的粉末
X
射线衍射
(XRD)
得到的谱图中，归属于
MoO3的
β
晶体的
(011)
面的峰强度相对于归属于
MoO3的
α
晶体的
(021)
面的峰强度的比
(
β
(011)/
α
(021))
为
0.1
以上
。
[0019](6)
根据上述
(5)
所述的三氧化钼粉体，其中，在由使用
Cu
‑
K
α
射线作为
X
射线源的粉末
X
射线衍射
(XRD)
得到的谱图中，归属于
MoO3的
β
晶体的
(011)
面的峰强度相对于归属于
MoO3的
α
晶体的
(021)
面的峰强度的比
(
β
(011)/
α
(021))
为
10.0
以下
。
[0020](7)
根据上述
(1)
～
(6)
中任一项所述的三氧化钼粉体，其中，上述一次颗粒的形状为具有纳米等级的厚度的带状或片状
。
[0021](8)
一种上述
(1)
～
(7)
中任一项所述的三氧化钼粉体的制造方法，其包括下述步骤：使氧化钼前体化合物气化而形成三氧化钼蒸气，将上述三氧化钼蒸气冷却
。
[0022](9)
根据上述
(8)
所述的三氧化钼粉体的制造方法，其包括下述步骤：对包含氧化钼前体化合物和上述氧化钼前体化合物以外的金属化合物的原料混合物进行焙烧而使上述氧化钼前体化合物气化，形成三氧化钼蒸气，上述金属化合物相对于上述原料混合物
100
质量％的比率以氧化物换算计为
95
质量％以下
。
[0023]专利技术的效果
[0024]根据本专利技术，可以提供适合作为硫化钼的前体的三氧化钼粉体和其制造方法
。
附图说明
[0025]图1为示出制造作为硫化钼颗粒的原料的三氧化钼颗粒中使用的装置的一例的概略图
。
[0026]图
2A
为实施例1的测定
XRD
谱图以及最上排的
α
晶体峰位置图
、
其下排
(
中间
)
的
β
晶体峰位置图
。
[0027]图
2B
为比较例1的
XRD
谱图和上排的
α
晶体峰位置图
。
[0028]图
3A
为实施例1的微晶尺寸和衍射强度的分析图
。
[0029]图
3B
为比较例1的微晶尺寸和衍射强度的分析图
。
具体实施方式
[0030]以下参照附图详细说明本专利技术的实施方式
。
[0031]＜三氧化钼粉体＞
[0032]本实施方式的三氧化钼粉体含有包含三氧化钼的晶体结构的一次颗粒的集合体，上述晶体结构包含平均微晶尺寸为
50nm
以下的
α
晶体，通过动态光散射法求出的上述一次颗粒的中值粒径
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种三氧化钼粉体，其含有包含三氧化钼的晶体结构的一次颗粒的集合体，所述晶体结构包含平均微晶尺寸为
50nm
以下的
α
晶体，通过动态光散射法求出的所述一次颗粒的中值粒径
D
50
为
2000nm
以下
。2.
根据权利要求1所述的三氧化钼粉体，其中，用荧光
X
射线
(XRF)
测定的
MoO3的含有比率相对于所述三氧化钼粉体的总重量为
99.5
质量％以上
。3.
根据权利要求1或2所述的三氧化钼粉体，其通过
BET
法测定的比表面积为
10m2/g
以上
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的三氧化钼粉体，其中，所述晶体结构还包含平均微晶尺寸为
50nm
以下的
β
晶体
。5.
根据权利要求4所述的三氧化钼粉体，其中，在由使用
Cu
‑
K
α
射线作为
X
射线源的粉末
X
射线衍射
(XRD)
得到的谱图中，归属于
MoO3的
β
晶体的
(011)
面的峰强度相对于归属于
MoO3的
α
晶体的
(021)
面的峰强度的比
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池晃广，高榕辉，狩野佑介，袁建军，
申请(专利权)人：DIC，
类型：发明
国别省市：