一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，包括如下步骤：将二硫化钼加入至三聚氰胺中，混合研磨至均匀，得到混合粉末；对所述混合粉末进行煅烧，冷却至室温，得到初级产物；使用洗涤液对所述初级产物进行洗涤，烘干，得到所述三氧化钼；还包括所述三氧化钼在光催化剂、气体传感器、电化学、场发射和气致变色以及光致变色器件领域的应用。发明专利技术实现采用三聚氰胺将硫化钼煅烧氧化成三氧化钼，使得产物三氧化钼具有明显的取向生长优势，重复性好，产量大，产物纯净度、结晶度高，适合于规模化生产。化生产。化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法及应用


[0001]本专利技术涉及MoO3材料的生产
，具体涉及一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法及应用。

技术介绍

[0002]MoO3通常以正交相(α
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MoO3)、单斜相(β
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MoO3)和六方相(h
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MoO3)3种晶相存在，这3种相结构的基本组成单元均为畸变的MoO6八面体，通常状况下正交相为热力学稳定相，单斜相和六方相为热力学介稳相。MoO3的不同晶面具有不同的极性，并对其性能产生较大的影响。
[0003]正交相MoO3稳定态的晶体结构中各个MoO6八面体在[001]方向上(c轴方向)共棱相连，在[100]方向(a轴方向上)共顶点相连，形成一个二维无限伸展的平面层，该平面层垂直于b轴在空间无限延伸。α
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MoO3独特的层状结构使其在催化降解有机物、锂离子二次电池电极、光致变色和电致变色等方面具有优异的性能和广泛的应用。
[0004]目前关于α
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MoO3材料的晶面控制的制备的研究报道较少，现已有的合成方法，如利用有机胺作为结构导向模板或利用强酸处理过的钼酸盐作为反应前驱体在水热条件下进行制备。但水热法存在制备工艺繁琐、酸化条件苛刻和周期长的问题。因此现需要一种成本低、周期短和操作简单并能实现晶面优势生长的MoO3纳米材料的合成方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，以解决现有技术中具有晶面优势生长的MoO3材料难以制备的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术具体提供下述技术方案：
[0007]本专利技术提供了一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，包括如下步骤：
[0008]将二硫化钼加入至三聚氰胺中，混合研磨至均匀，得到混合粉末；
[0009]对所述混合粉末进行煅烧，冷却至室温，得到初级产物；
[0010]使用洗涤液对所述初级产物进行洗涤，烘干，得到所述三氧化钼。
[0011]作为本专利技术的一种优选方案，所述三氧化钼为微米级。
[0012]作为本专利技术的一种优选方案，所述三氧化钼为晶面取向生长高长厚比材料。
[0013]作为本专利技术的一种优选方案，按重量份计，所述二硫化钼为1
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4份；所述三聚氰胺为0.8
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25份。
[0014]作为本专利技术的一种优选方案，所述煅烧包括如下条件：温度550
‑
650℃，时间为2
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4h。
[0015]作为本专利技术的一种优选方案，所述洗涤液为去离子水。
[0016]作为本专利技术的一种优选方案，所述初级产物的烘干温度为80℃。
[0017]本专利技术还提供了一种具有晶面取向MoO3材料的应用，包括所述三氧化钼在光催化剂、气体传感器、电化学、场发射和气致变色以及光致变色器件领域的应用。
[0018]本专利技术与现有技术相比较具有如下有益效果：
[0019]1、本专利技术在煅烧体系中引入三聚氰胺，将MoS2与三聚氰胺进行组合，成功起到了诱导晶体沿优势晶面生长的作用，MoO3晶面取向生长优势明显，MoO3材料长度尺寸可达10um；
[0020]2、本专利技术晶面调控过程操作简便，重复性好，产量大，制备周期缩短，制备步骤简单，制备条件容易控制，适合于规模化生产。
[0021]3、本专利技术原料来源广、价格较为低廉，得到的产物纯净度、结晶度高，产物尺寸可调，颗粒尺寸分布范围窄，具有良好的分散性，形貌均一特殊，有利于MoO3基材料的实际应用，在光催化剂、气体传感器、电化学、场发射和气致变色以及光致变色器件等领域具有潜在的应用价值。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
[0023]图1为本专利技术提供具有晶面取向MoO3材料的制备流程示意图；
[0024]图2为本专利技术提供各实施例中MoO3产物的XRD图；
[0025]图3为本专利技术提供各实施例3中具有晶面取向的MoO3的SEM图(放大倍数为1000)；
[0026]图4为本专利技术提供各实施例3中具有晶面取向的MoO3的SEM图(放大倍数为5000)。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]实施例1：
[0029]称取1.6g MoS2在马弗炉中600℃条件下煅烧3小时，冷却至室温，得到初级产物，用去离子水对初级产物进行洗涤离心，在鼓风干燥箱采用80℃对材料进行烘干，得实施例1。
[0030]实施例2：
[0031]分别称取1.6g MoS2和0.63g三聚氰胺，混合研磨均匀，将混合粉末在马弗炉中600℃条件下煅烧3小时，冷却至室温，得到初级产物，用去离子水对初级产物进行洗涤离心，在鼓风干燥箱采用80℃对材料进行烘干，得实施例2。
[0032]实施例3：
[0033]分别称取1.6g MoS2和2.52g三聚氰胺，混合研磨均匀，将混合粉末在马弗炉中600℃条件下煅烧3小时，冷却至室温，得到初级产物，用去离子水对初级产物进行洗涤离心，在鼓风干燥箱采用80℃对材料进行烘干，得实施例3。
[0034]实施例4：
[0035]分别称取1.6g MoS2和5.04g三聚氰胺，混合研磨均匀，将混合粉末在马弗炉中600℃条件下煅烧3小时，冷却至室温，得到初级产物，用去离子水对初级产物进行洗涤离心，在鼓风干燥箱采用80℃对材料进行烘干，得实施例4。
[0036]实施例5：
[0037]分别称取6.4g MoS2和20.16g三聚氰胺，混合研磨均匀，将混合粉末在马弗炉中600℃条件下煅烧3小时，冷却至室温，得到初级产物，用去离子水对初级产物进行洗涤离心，在鼓风干燥箱采用80℃对材料进行烘干，得实施例5。
[0038]表征：
[0039]1、产量
[0040]对实施例1、实施例2、实施例3、实施例4以及实施例5进行分别称重，得到如下表：
[0041]单位，g实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5二硫化钼1.61.61.61.66.4三聚氰胺00.632.525.0420.16MoO3材料1.441.391.421.425.71
[0042]从表可知，按照重量份计，当二硫化钼的添加量为1
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4份，所述三聚氰胺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将二硫化钼加入至三聚氰胺中，混合研磨至均匀，得到混合粉末；对所述混合粉末进行煅烧，冷却至室温，得到初级产物；使用洗涤液对所述初级产物进行洗涤，烘干，得到所述三氧化钼。2.根据权利要求1所述的一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，其特征在于，所述三氧化钼为微米级。3.根据权利要求1所述的一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，其特征在于，所述三氧化钼为晶面取向生长高长厚比材料。4.根据权利要求1所述的一种具有晶面取向MoO3材料的制备方法，其特征在于，按重量份计，所述二硫化钼为1
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4份；所述三聚氰胺为0.8
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【专利技术属性】
技术研发人员：张文众，徐同广，文育锋，宋建根，王倩，
申请(专利权)人：皖南医学院，
类型：发明
国别省市：