一种HJT电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种HJT电池，涉及光伏电池技术领域，HJT电池包括n型衬底；设置在n型衬底的正面和背面上的本征硅层；设置在本征硅层上的微晶硅层；其中，设置在n型衬底正面的本征硅层和n型衬底背面上的本征硅层的微晶硅层的导电类型不同；设置在微晶硅层上的第一TCO层；设置在第一TCO层上的金属栅线；以及设置在金属栅线和第一TCO层上的第二TCO层。本实用新型专利技术中利用TCO层覆盖金属栅线电极，减少金属栅线应力造成的翘曲、脱落，且可填补断栅处，从而避免了断栅区域无法收集电流的缺陷；此外，第二TCO层保护金属栅线可防止金属栅线氧化，不会影响金属栅线的导电性。会影响金属栅线的导电性。会影响金属栅线的导电性。

【技术实现步骤摘要】
一种HJT电池


[0001]本技术涉及光伏电池
，尤其涉及一种HJT电池。

技术介绍

[0002]HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)太阳能电池，简称HJT电池，是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶硅基片、非晶硅薄膜、TCO薄膜及金属栅线制成的混合型太阳能电池。
[0003]现有HJT电池的结构主要是在n型硅的正反面沉积非晶硅本征层，然后再沉积透明导电氧化物层和金属栅线。通过上述方法制备得到的HJT电池，电池表面金属栅线电极出现断栅异常后，断栅区域无法收集电流。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题。为此，本技术提供了一种新的HJT电池。
[0005]本技术公开了一种HJT电池，其特征在于，包括：n型衬底；本征硅层；所述本征硅层设置在n型衬底的正面和背面上；微晶硅层；所述微晶硅层设置在所述本征硅层上；其中，设置在所述n型衬底正面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层和设置在所述n型衬底背面上的所述本征硅层上的所述微晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HJT电池，其特征在于，包括：n型衬底；本征硅层；所述本征硅层设置在n型衬底的正面和背面上；微晶硅层；所述微晶硅层设置在所述本征硅层上；其中，设置在所述n型衬底正面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层和设置在所述n型衬底背面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层的导电类型不同；第一TCO层；所述第一TCO层设置在所述微晶硅层上；金属栅线；所述金属栅线设置在所述第一TCO层上；第二TCO层；所述第二TCO层设置在所述金属栅线和所述第一TCO层上。2.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所述第一TCO层的厚度为30
‑
100nm；和/或，所述第二TCO层的厚度为20
‑
50mm。3.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所述第一TCO层为多层；和/或，所述第二TCO层为多层。4.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周成，徐云飞，何亮，田得雨，李建敏，雷琦，毛伟，罗鸿志，杨大谊，甘胜泉，
申请(专利权)人：新余赛维能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：