一种HJT电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种HJT电池，涉及光伏电池技术领域，HJT电池包括n型衬底；设置在n型衬底的正面和背面上的本征硅层；设置在本征硅层上的微晶硅层；其中，设置在n型衬底正面的本征硅层和n型衬底背面上的本征硅层的微晶硅层的导电类型不同；设置在微晶硅层上的第一TCO层；设置在第一TCO层上的金属栅线；以及设置在金属栅线和第一TCO层上的第二TCO层。本实用新型专利技术中利用TCO层覆盖金属栅线电极，减少金属栅线应力造成的翘曲、脱落，且可填补断栅处，从而避免了断栅区域无法收集电流的缺陷；此外，第二TCO层保护金属栅线可防止金属栅线氧化，不会影响金属栅线的导电性。会影响金属栅线的导电性。会影响金属栅线的导电性。

【技术实现步骤摘要】
一种HJT电池


[0001]本技术涉及光伏电池
，尤其涉及一种HJT电池。

技术介绍

[0002]HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)太阳能电池，简称HJT电池，是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶硅基片、非晶硅薄膜、TCO薄膜及金属栅线制成的混合型太阳能电池。
[0003]现有HJT电池的结构主要是在n型硅的正反面沉积非晶硅本征层，然后再沉积透明导电氧化物层和金属栅线。通过上述方法制备得到的HJT电池，电池表面金属栅线电极出现断栅异常后，断栅区域无法收集电流。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题。为此，本技术提供了一种新的HJT电池。
[0005]本技术公开了一种HJT电池，其特征在于，包括：n型衬底；本征硅层；所述本征硅层设置在n型衬底的正面和背面上；微晶硅层；所述微晶硅层设置在所述本征硅层上；其中，设置在所述n型衬底正面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层和设置在所述n型衬底背面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层的导电类型不同；第一TCO层；所述第一TCO层设置在所述微晶硅层上；金属栅线；所述金属栅线设置在所述第一TCO层上；第二TCO层；所述第二TCO层设置在所述金属栅线和所述第一TCO层上。
[0006]可选地，所述第一TCO层的厚度为30
‑
100nm；
[0007]可选地，所述第二TCO层的厚度为20
‑
50mm；
[0008]可选地，所述第一TCO层为多层；
[0009]可选地，所述第二TCO层为多层；
[0010]可选地，所述第一TCO层的材料包括In2O3和SnO2。
[0011]进一步地，所述第一TCO层材料中In2O3：SnO2的重量比90:10
‑
95:5。
[0012]进一步地，当所述第一TCO层为多层时，所述SnO2的重量比按照沉积顺序依次降低。
[0013]可选地，所述第二TCO层的材料包括In2O3和WO3。
[0014]进一步地，所述第二TCO层材料中In2O3：WO3的重量比99:1
‑
99.5:0.5。
[0015]进一步地，所述WO3的重量比按照沉积顺序依次降低。
[0016]可选地，金属栅线为金栅线、银栅线、铜栅线、锡栅线或银浆或铝浆烧结形成的复合金属栅线。
[0017]与现有技术相比，本技术中利用第二TCO层覆盖金属栅线电极，不仅能减少金属栅线应力造成的翘曲、脱落，且可填补金属栅线在电镀时因电镀液气泡产生电镀缺陷(也就是断栅)；此外，第二TCO层可保护金属栅线防止金属栅线氧化，不会影响金属栅线的导电
性。
附图说明
[0018]图1是本技术的HJT电池的一个实施例的示意图；
[0019]图2是本技术中的金属栅线和第二TCO层的反应原理示意图。
[0020]附图标记：
[0021]10
‑
n型衬底；20
‑
本征硅层；30
‑
微晶硅层；31
‑
p型微晶硅层；32
‑
n型微晶硅层；41
‑
第一TCO层；42
‑
第二TCO层；50
‑
金属栅线。
具体实施方式
[0022]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0023]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0024]本技术提供的HJT电池如图1所示，HJT电池包括：
[0025]n型衬底，n型衬底一般为n型单晶硅片、n型多晶硅片或n型准单晶硅片；
[0026]本征硅层，本征硅层一般为本征非晶硅薄膜层；本征硅层设置在n型衬底的正面和背面；
[0027]微晶硅层，微晶硅层为p型非晶硅薄膜层和n型非晶硅薄膜层，在n型衬底的正面和背面的本征硅层上设置不同导电类型的非晶硅薄膜，在n型衬底正面即受光面上的本征硅层上设置p型非晶硅薄膜层，在n型衬底正面即背光面上的本征硅层上设置n型非晶硅薄膜层；
[0028]第一TCO层，第一TCO(Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物，简称TCO)层设置在微晶硅层上，TCO膜一般是AZO膜(氧化锌铝膜)或ITO(氧化铟锡膜)等，由于微晶硅薄膜的导电性很差，通常需要在微晶硅层上制备一层TCO层，用来收集光生载流子并将它输送到金属电极上，本技术中第一TCO层主要也是为了收集光生载流子，因此必须具备好的导电性和透光性。
[0029]在一个可选的方式中，第一TCO层的厚度为30
‑
100nm，例如可以是30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm；TCO层的厚度过大，会影响透光率，过小则会引起厚度不均匀。
[0030]在一个可选的方式中，第一TCO层的材料包括In2O3，也就是氧化铟基TCO薄膜。
[0031]优选地，第一TCO层的材料包括In2O3和SnO2；也就是氧化铟锡TCO薄膜，即第一TCO层为组分包括In2O3和SnO2的靶材，由此可兼顾导电性及透光率，提高HJT电池的品质。
[0032]更优选地，第一TCO层材料中In2O3：SnO2的重量比90:10
‑
95:5；从而使得导电性及透光率达到最佳优选，提高HJT电池的品质。
[0033]在一个可选的方式中，第一TCO层可以是多层，例如两层，三层，由此可根据不同的
金属栅线电极选用不同的TCO层，从而最终提高HJT电池的品质。
[0034]优选地，当第一TCO层为多层时，所述SnO2的重量比按照沉积顺序依次降低；由此可以提高HJT电池的品质。
[0035]金属栅线；金属栅线设置在第一TCO层上；金属栅线设置在TCO层上，收集太阳能电池光照产生的电子并将其引到电池外部。
[0036]在一个可选的方式中，金属栅线为金栅线、银栅线、铜栅线、锡栅线或银浆或铝浆烧结形成的复合金属栅线。
[0037]第二TCO层，第二TCO层设置在金属栅线和第一TCO层上。如图2所示，将第二TCO层覆盖在金属栅线和第一TCO层上，一方面第二TCO层能减少金属栅线应力造成的翘曲、脱落，且第二TCO层可填补金属栅线在电镀时因电镀液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HJT电池，其特征在于，包括：n型衬底；本征硅层；所述本征硅层设置在n型衬底的正面和背面上；微晶硅层；所述微晶硅层设置在所述本征硅层上；其中，设置在所述n型衬底正面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层和设置在所述n型衬底背面上的所述本征硅层上的所述微晶硅层的导电类型不同；第一TCO层；所述第一TCO层设置在所述微晶硅层上；金属栅线；所述金属栅线设置在所述第一TCO层上；第二TCO层；所述第二TCO层设置在所述金属栅线和所述第一TCO层上。2.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所述第一TCO层的厚度为30
‑
100nm；和/或，所述第二TCO层的厚度为20
‑
50mm。3.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所述第一TCO层为多层；和/或，所述第二TCO层为多层。4.如权利要求1所述的一种HJT电池，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周成，徐云飞，何亮，田得雨，李建敏，雷琦，毛伟，罗鸿志，杨大谊，甘胜泉，
申请(专利权)人：新余赛维能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：