一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池制造技术

一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池，包括：正面金属低温银浆或是低温银包铜浆的导电线路、HJT电池多层膜结构层、背面金属纯铝、纯铜、铝合金或是铜合金的导电层、背面金属合金(铜合金或是铜镍合金)的保护层；其中：导电线路、HJT电池多层膜结构层、导电层、保护层从上到下依次连接。护层从上到下依次连接。护层从上到下依次连接。

【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池


[0001]本技术涉及电池
，具体涉及一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池。

技术介绍

[0002]近几年，由于硅片、电池片和组件的产能不断扩张，光伏发电成本也出现了实质性的下降。因此，降低集成成本(BOS)在整个光伏发电系统成本结构中的比例也变得更加重要，这意味着高效组件在降低系统成本的过程中将扮演着最重要的角色，因为它们在提供相同电量的情况下可以节约更多的BOS成本。在所有的太阳能电池技术中，研究硅基异质结(HJT)太阳能电池具有重要的意义，因为其具备转换效率高(>25％),结构简单,制程温度低(<250℃),工艺步骤少以及温度系数低等优点。
[0003]与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比，N型单晶衬底的HJT电池具有高效率、工艺简单、无照光裂化(LID free)、无电压裂化(PID free)、低温度系数、高发电量、低光衰、低发电成本和双面照光发电等特性，保证了光伏组件更可靠、电站建设成本更低和更长的使用寿命，非常适合分布式光伏应用，为下世本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池，其特征在于，包括：正面金属低温银浆或是低温银包铜浆的导电线路(1)、HJT电池多层膜结构层(2)、背面金属纯铝、纯铜、铝合金或是铜合金的导电层(3)、背面金属合金(铜合金或是铜镍合金)的保护层(4)；其中：所述导电线路(1)、所述HJT电池多层膜结构层(2)、所述导电层(3)、所述保护层(4)从上到下依次连接。2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜金属化的单玻硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述导电线路(1)为印刷低温银浆或是低温银包铜浆的导电线路；所述HJT电池多层膜结构层(2)为N型硅片上面使用PECVD制作正面N型非晶硅膜、正面本征非晶硅层膜层、背面本征非晶硅层膜层和背P非晶硅层膜；并使用真空溅镀设备或者RPD设备制作AZO、GZO、ITO、IZTO、ICO或者IWO等正反两面透明导电膜层；所述导电层(3)为真空溅镀纯铝、铝合金、纯铜或是铜合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄信二，黄煜翔，
申请(专利权)人：赣州市创发光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：