【技术实现步骤摘要】
一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法
[0001]本申请涉及镀膜氧化物材料制备的
，具体涉及一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法。
技术介绍
[0002]随着社会发展和科学技术的突飞猛进，人类对功能材料的需求日益迫切。新的功能材料已成为新技术和新兴工业发展的关键。随着显示器、触膜屏、半导体、太阳能等产业的发展，一种新的功能材料——透明导电氧化物薄膜(transparent conducting oxide，简称为TCO薄膜)随之产生、发展起来。所谓透明导电薄膜是指一薄膜材料在可见光范围内的透光率达到80％以上，而且导电性高，比电阻值低于1
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‑3Ωcm。已知Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr等金属，在形成3～15nm厚的薄膜时，都具有某种程度的透光性，都曾应用于透明薄膜电极。但这些金属薄膜对光的吸收太大，硬度低且稳定性差，因此渐渐发展成以金属氧化物为透明导电薄膜材料为主，这类薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，在太阳能...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将氧化锡粉末、氧化锌粉末或氧化锡粉末和氧化锌粉末加入氧化铟粉末中，加入氧化锆球、纯水及分散剂进行充分研磨混合形成浆料，将研磨后的浆料灌入多孔性模具中进行干燥，形成氧化铟锡低密度胚体、氧化铟锌低密度胚体或氧化铟锡锌低密度胚体；S2：对制得的氧化铟锡低密度胚体、氧化铟锌低密度胚体或氧化铟锡锌低密度胚体进行烧结，烧结后进行切割和表面研磨形成氧化铟锡高密度靶材胚体、氧化铟锌高密度靶材胚体或氧化铟锡锌高密度靶材胚体；S3：将氧化铟锡高密度靶材胚体、氧化铟锌高密度靶材胚体或氧化铟锡锌高密度靶材胚体用铟帮定在铜背板上面形成溅镀用的氧化铟锡靶材、氧化铟锌靶材或氧化铟锡锌靶材；S4：将氧化锡粉末、氧化锌粉末或氧化锡粉末和氧化锌粉末，以及氧化银粉末或纯银粉末加入氧化铟粉末中，并加入氧化锆球、纯水及分散剂进行充分研磨混合形成浆料，将研磨后的浆料灌入多孔性模具中进行干燥，形成含银氧化铟锡低密度胚体、含银氧化铟锌低密度胚体或含银氧化铟锡锌低密度胚体；S5：对制得的含银氧化铟锡低密度胚体、含银氧化铟锌低密度胚体或含银氧化铟锡锌低密度胚体进行烧结，烧结后进行切割和表面研磨形成含银氧化铟锡高密度靶材胚体、含银氧化铟锌高密度靶材胚体或含银氧化铟锡锌高密度靶材胚体；S6：将含银氧化铟锡高密度靶材胚体、含银氧化铟锌高密度靶材胚体或含银氧化铟锡锌高密度靶材胚体用铟帮定在铜背板上面形成溅镀用的含银氧化铟锡靶材、含银氧化铟锌靶材或含银氧化铟锡锌靶材；S7：将玻璃基板或完成PECVD工艺的N型硅片，以及靶材和对应的含银靶材放入真空溅镀机中，在室温条件下进行镀膜，在玻璃基板或完成PECVD工艺的N型硅片上依次溅镀50～150nm厚的氧化铟锡薄膜、氧化铟锌薄膜或氧化铟锡锌薄膜以及5～20nm厚的含银氧化铟锡薄膜、含银氧化铟锌薄膜或含银氧化铟锡锌薄膜；对含银氧化铟锡薄膜、含银氧化铟锌薄膜或含银氧化铟锡锌薄膜表面进行黄光制程,再电镀5～20um厚的纯铜薄膜，然后进行蚀刻制程，形成铜金属栅线，完成铜金属化的多层薄膜制作或是HJT电池制作。2.根据权利要求1所述的一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中制作氧化铟锡低密度胚体时，加入的氧化锡粉末的重量百分比为0.5～10wt％；制作氧化铟锌低密度胚体时，加入的氧化锌粉末的重量百分比为5～35wt％；制作氧化铟锡锌低密度胚体时，加入的氧化锡粉末的重量百分比为0.5～10wt％，加入的氧化锌粉末的重量百分比为5～35wt％。3.根据权利要求1所述的一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法，其特征在于，所述步骤S1和S4中的研磨时间为16～72h。4.根据权利要求1所述的一种用于铜电镀工艺的透明导电靶材及薄膜线路的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，制作氧化铟锡高密度靶材胚体时的烧结温度为1500～1600℃；制得的氧化铟锡高密度靶材胚体的密度大于98％，电阻值小于3
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄信二，黄煜翔，
申请(专利权)人：赣州市创发光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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