【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产用方阻接触式测试装置
[0001]本技术涉及半导体测试相关
,特别涉及一种半导体生产用方阻接触式测试装置。
技术介绍
[0002]方块电阻指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻,方块电阻有一个特性,即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的,不管边长是1米还是0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关,而对于半导体来说,电阻率ρ与薄膜导电材料的掺杂浓度有关,离子掺杂深度相当于薄膜电阻的厚度,则半导体方块电阻通常可以用于表征在制造过程中半导体表面的离子掺杂浓度和深度。
[0003]现有方阻检测是用四根光洁的圆铜棒压在导电薄膜上,要求四根探针头部的距离相等。四根探针由四根引联接到方阻测试仪上,当探头压在导电薄膜材料上面时,方阻计就能立即显示出材料的方阻值,但这种检测方式一般需要人工进行操作,测试效率较低,而现有自动式检测仪只能检测固定尺寸的元器件,无法进行调节,从而无法适应各种不同尺寸的方阻。
技术实现思路
[0004]本部分的目的在于概述本技术的实施方式的一些 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体生产用方阻接触式测试装置,其特征在于,包括:底板(1);支撑架(2),左右前后对称设置在所述底板(1)顶部,左右端前侧所述支撑架(2)右端外壁设置有第一电动伸缩杆(3),左右端后侧所述支撑架(2)右端外壁设置有有手动伸缩杆(4),所述第一电动伸缩杆(3)与所述手动伸缩杆(4)远离支撑架(2)一端设置有推板(5),所述支撑架(2)顶部设置有支撑板(6);立柱(8),设置在所述底板(1)顶部后端,所述立柱(8)顶部设置有横梁(9),所述横梁(9)后端外壁设置有安装架(10),所述安装架(10)内腔设置有电机(1001),所述电机(1001)前端设置有连接轴(1002),所述连接轴(1002)前端设置有丝杆(1003),所述丝杆(1003)圆周外壁设置有滑动座(1004),所述滑动座(1004)下端设置有连接杆(1006),所述连接杆(1006)下端设置有第二电动伸缩杆(11);连接架(12),设置在所述第二电动伸缩杆(11)下端,所述连接架(12)底部等距...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨中明,贺小勇,杨美娟,
申请(专利权)人:江苏森标科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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