一种检测碳化硅晶棒内部多型的方法技术

本申请公开了一种检测碳化硅晶棒内部多型的方法，属于碳化硅检测技术领域，包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
一种检测碳化硅晶棒内部多型的方法


[0001]本申请涉及一种检测碳化硅晶棒内部多型的方法，属于碳化硅检测

。

技术介绍

[0002]碳化硅晶圆是用于先进电力器件和微纳机电系统的宽禁带半导体材料
。
与硅基晶圆相比，碳化硅具有更高的热导系数
、
更大的电流密度以及更强的击穿电场强度
。
因此，它是可以应用在高温
、
高频和大功率器件的优良材料
。
碳化硅单晶的生长温度较高，生长条件比较苛刻，而且自然界中存在
200
多种晶体结构的碳化硅
。
其中
4H
和
6H
碳化硅的结构都为六方结构，只是在原子层的排布顺序不同：
4H
碳化硅是以
ABCB
的方式排布，而
6H
碳化硅是以
ABCACB
的方式排布
。
并且由于生长温度接近，在生长
4H
碳化硅晶体时比较容易形成
>6H
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种检测碳化硅晶棒内部多型的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)
将碳化硅晶棒的头部和尾部进行切割，切割后的头片和尾片厚度小于
800
μ
m
，清洗晶棒表面
、
头片和尾片；
(2)
将头片和尾片装入花篮浸泡清洗；
(3)
将处理后的头片和尾片进行不同区域的电阻率测试；
(4)
碳化硅晶棒从头到尾的电阻率分布可以用函数关系表示：
f(x)
＝
ax+bx2+c
，
ꢀꢀꢀꢀꢀ
式1；电阻率测试仪测试得到的头部晶圆某一区域的电阻率数值为
ρ1，尾部晶圆的同一区域的电阻率数值为
ρ2，根据上面的函数关系式，通过积分法估算得到碳化硅晶棒的电阻率数值：
(5)
同时用电阻率测试仪，采用步骤
(3)
同样的区域分布测试晶棒不同区域的电阻率数值，测试得到某一区域的电阻率数值记为
ρ
m
，对比同一区域测试的电阻率数值
ρ
m
与估算电阻率数值
ρ
ingot
，如果
ρ
ingot
‑
ρ
m
>1m
Ω
·
cm
，则该区域存在多型
。2.
根据权利要求1所述的检测碳化硅晶棒内部多型的方法，其特征在于，切割后的头片和尾片厚度为
200
μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋猛，王旗，徐光明，黄长航，朱英杰，张红岩，高超，杨晓俐，宋生，宁秀秀，李霞，梁庆瑞，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：