一种离线测量成像系统最佳物面的方法和装置制造方法及图纸

一种离线测量成像系统最佳物面的装置和方法，该装置包括光源模块，该模块能发出多个不同波长的激光；光耦合装置，耦合光源模块发出的激光，形成照明光斑；针孔掩模，其上具有ｍ×ｎ小孔阵列，接收光耦合装置形成的照明光斑；投影物镜，对针孔掩模进行成像，投影物镜的视场大小与针孔掩模上的小孔阵列的分布大小相同；传感器，接收投影物镜所成的像，并能测量像点的位置；根据掩模板上小孔位置和像点位置，所述装置能拟合出对应当前波长和掩模面高度的放大倍率。利用拟合得到的多个波长的放大倍率进行仿真，得到对应的掩模面位置，根据当前掩模面位置以及理论最佳物面高度差，进行掩模面高度调整，确定倍率色差最小值对应的掩模面位置为最佳物面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及成像系统最佳物面的测量，尤其涉及光刻系统中的成像系统最佳物面 的测量。
技术介绍
在光刻成像系统中，光刻装置通过投影物镜曝光，使设计的掩模图形在光刻胶上 成像。而作为光刻装置的核心部件，投影物镜的成像质量直接影响光刻效果，而投影物镜的 最佳物面将直接影响投影物镜的成像质量。目前，寻找最佳物面的方法主要有两种，一是通过光学设计以及机械加工和安装 进行保证，通过控制机械加工精度和安装精度，来保证其实际加工安装的物面和设计的物 面保证在一定精度范围内。该方法对机械加工精度和装配公差都有严格的要求，不仅加工 难度大，并且相对精度较低。二是通过曝光的方法来寻找最佳物像面。专利CN101174104 说明了如何用曝光的方法来寻找最佳物像面。通过一定的步距垂向移动掩模标记和光刻胶 面，其中，移动步距可以按照投影物距的放大倍率进行设计。通过在mXn个位置进行扫描 曝光，得到mXn个曝光线条，比较这些线条的分辨率，最小值的对应的掩模位置和晶片位 置即为最佳物像面。对于存在掩模垂向调节机构的光刻装置，采用该方法能够很好的在在 线的情况下寻找投影物镜的最佳物像面，但需要每台光刻机都安装垂向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离线测量成像系统最佳物面的装置，该装置包括：　　光源模块，该模块能发出多个不同波长的激光；　　光耦合装置，耦合光源模块发出的激光，形成照明光斑；　　针孔掩模，其上具有ｍ×ｎ小孔阵列，接收光耦合装置形成的照明光斑；　　投影物镜，对针孔掩模进行成像，投影物镜的视场大小与针孔掩模上的小孔阵列的分布大小相同；　　传感器，接收投影物镜所成的像，并能测量像点的位置；　　掩模运动平台，调整掩模的位置；　　传感器运动平台，能带动传感器和掩模运动平台进行同步扫描；　　根据掩模板上小孔位置和像点位置，所述装置能拟合出对应当前掩模面高度的放大倍率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰艳平，刘国淦，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]