发光器件和发光模组制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件和发光模组。发光器件包括第一电极、至少两个发光单元、至少一层电荷产生层和第二电极；发光单元和电荷产生层设置于第一电极和第二电极之间，每两个相邻的发光单元之间设置电荷产生层；电荷产生层包括掺杂电子注入层和界面阻挡层，沿第一电极指向第二电极的方向，掺杂电子注入层与上一个发光单元相邻设置，界面阻挡层设置于掺杂电子注入层远离第一电极的一侧；界面阻挡层的材料包括第一元素，掺杂电子注入层的掺杂材料包括功函数小于第一预设值的金属元素；第一元素的相对原子质量大于金属元素的相对原子质量。可以提高发光器件的寿命和性能。以提高发光器件的寿命和性能。以提高发光器件的寿命和性能。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和发光模组


[0001]本专利技术实施例涉及发光器件的
，尤其涉及一种发光器件和发光模组。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic light
‑
emitting diode,OLED)由于具备高亮度、低功耗、广视角、超轻薄、可弯曲、容易大面积和加工简单等优点，自诞生以来就广受关注。为了提高OLED的工作寿命，研究者将多个独立的发光单元堆叠起来，并在发光单元之间设置电荷产生层(charge generation layer,CGL)，使两个或多个独立发光单元串联连接，形成了串联OLED。串联OLED内部的两个或多个发光单元在相同的电流密度下可以获得两倍以上的亮度，同时在同亮度下获得比单个发光单元更长的寿命。
[0003]目前，研究者已开发出了多种不同结构的CGL，其中，掺杂层/电子接收层/空穴传输层结构的CGL因其结构简单、效率高、透过率强、折射率匹配等诸多优点一直是开发热点。其中，电子接收层作为电子受体，空穴传输层作为电子给体。然而，上述结构的CGL由于掺杂层中掺杂有功函数低于4eV的活泼金属材料或其化合物，在高电场的作用下，活泼金属离子将游离至相邻的层中，造成目前大部分该类串联OLED器件都存在寿命短，稳定性差的缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种发光器件和发光模组，以提高发光器件的性能。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种发光器件，包括第一电极、至少两个发光单元、至少一层电荷产生层和第二电极；
[0006]所述发光单元和所述电荷产生层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，每两个相邻的所述发光单元之间设置所述电荷产生层；所述电荷产生层包括掺杂电子注入层和界面阻挡层，沿所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述掺杂电子注入层与上一个所述发光单元相邻设置，所述界面阻挡层设置于所述掺杂电子注入层远离所述第一电极的一侧；所述界面阻挡层的材料包括第一元素，所述掺杂电子注入层的掺杂材料包括功函数小于第一预设值的金属元素；所述第一元素的相对原子质量大于所述金属元素的相对原子质量。
[0007]可选地，所述第一元素包括Yb、Tb、La、Ce、Nd、Sm、Pr、Lu、Y、W和Eu中的至少一种。
[0008]可选地，所述界面阻挡层的材料包括Yb、La、Ce、Nd、Eu、TbF3、WO3、R(OH)3和RH3中的至少一种；其中，R包括Yb、Tb、La、Ce、Nd、Sm、Pr、Lu、Y和Eu中的至少一种。
[0009]可选地，所述界面阻挡层的厚度范围为0.1～10nm；
[0010]优选地，所述界面阻挡层的厚度范围为2～4nm。
[0011]可选地，所述金属元素包括Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一种。
[0012]可选地，沿所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述掺杂电子注入层复用为上一个所述发光单元的电子注入层。
[0013]可选地，所述电荷产生层还包括电子接收层和第一空穴传输层，所述电子接收层
设置于所述界面阻挡层远离所述第一电极的一侧，所述第一空穴传输层设置于所述电子接收层远离所述第一电极的一侧；所述第一空穴传输层的HOMO能级与所述电子接收层的LUMO能级的差小于或等于第二预设值。
[0014]可选地，沿所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述第一空穴传输层复用为下一个所述发光单元的空穴传输层。
[0015]可选地，沿所述第一电极指向所述第二电极的方向，第一个所述发光单元包括依次层叠设置的第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层；所述第一空穴注入层设置于所述第一电极和所述第一空穴传输层之间；最后一个所述发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电子传输层和第二电子注入层，所述第二电子注入层设置于所述第二电子传输层和所述第二电极之间；中间的所述发光单元包括依次层叠设置的第三发光层和第三电子传输层；所述第三电子传输层设置于所述第三发光层远离所述第一电极的一侧。
[0016]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种发光模组，包括第一方面所述的发光器件。
[0017]本专利技术实施例的技术方案，通过在电荷产生层中设置界面阻挡层，界面阻挡层中的第一元素的相对原子质量大于掺杂电子注入层中掺杂材料的金属元素的相对原子质量。当第一电极和第二电极之间施加高压，掺杂电子注入层中的金属元素向下一个发光单元的方向游离时，界面阻挡层中的第一元素可以直接阻挡金属元素通过，从而可以降低掺杂电子注入层中的金属元素向下一个发光单元方向扩散的概率，进而可以改善掺杂电子注入层中的金属元素向下一个发光单元方向扩散造成的发光器件的寿命下降的现象，增加了发光器件的寿命，同时降低了发光器件的驱动电压，提高了发光器件的性能。同时，界面阻挡层可以在掺杂电子注入层的交界面形成致密薄膜，可以进一步地阻挡金属元素通过，从而进一步地增加了发光器件的寿命，提高了发光器件的性能。而且可以降低形成界面阻挡层时损伤发光器件中有机材料层的概率，从而可以进一步地提高发光器件的效率和稳定性。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例提供的一种发光器件A的驱动性能图；
[0020]图3为本专利技术实施例提供的一种发光器件B的驱动性能图；
[0021]图4为本专利技术实施例提供的一种发光器件C的驱动性能图；
[0022]图5为本专利技术实施例提供的一种发光器件D的驱动性能图；
[0023]图6为本专利技术实施例提供的一种发光器件E的驱动性能图；
[0024]图7为本专利技术实施例提供的一种发光器件F的驱动性能图；
[0025]图8为本专利技术实施例提供的一种发光器件G的驱动性能图；
[0026]图9为本专利技术实施例提供的一种发光器件H的驱动性能图；
[0027]图10为本专利技术实施例提供的一种发光器件A的效率性能图；
[0028]图11为本专利技术实施例提供的一种发光器件B的效率性能图；
[0029]图12为本专利技术实施例提供的一种发光器件C的效率性能图；
[0030]图13为本专利技术实施例提供的一种发光器件D的效率性能图；
[0031]图14为本专利技术实施例提供的一种发光器件E的效率性能图；
[0032]图15为本专利技术实施例提供的一种发光器件F的效率性能图；
[0033]图16为本专利技术实施例提供的一种发光器件G的效率性能图；
[0034]图17为本专利技术实施例提供的一种发光器件H的效率性能图；
[0035]图18为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0036]图19为本专利技术实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括第一电极、至少两个发光单元、至少一层电荷产生层和第二电极；所述发光单元和所述电荷产生层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，每两个相邻的所述发光单元之间设置所述电荷产生层；所述电荷产生层包括掺杂电子注入层和界面阻挡层，沿所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述掺杂电子注入层与上一个所述发光单元相邻设置，所述界面阻挡层设置于所述掺杂电子注入层远离所述第一电极的一侧；所述界面阻挡层的材料包括第一元素，所述掺杂电子注入层的掺杂材料包括功函数小于第一预设值的金属元素；所述第一元素的相对原子质量大于所述金属元素的相对原子质量。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一元素包括Yb、Tb、La、Ce、Nd、Sm、Pr、Lu、Y、W和Eu中的至少一种。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述界面阻挡层的材料包括Yb、La、Ce、Nd、Eu、TbF3、WO3、R(OH)3和RH3中的至少一种；其中，R包括Yb、Tb、La、Ce、Nd、Sm、Pr、Lu、Y和Eu中的至少一种。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述界面阻挡层的厚度范围为0.1～10nm；优选地，所述界面阻挡层的厚度范围为2～4nm。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属元素包括Li、Na、K、Rb和Cs中的至少一种。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹建华，朱冠成，王磊，陶洪，徐苗，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：