发光器件制造技术

技术编号：39312922 阅读：12 留言：0更新日期：2023-11-12 15:57

提供发光器件，所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物，其中式1和2的细节如本文中所描述的。式1式2式2式2式2

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【技术实现步骤摘要】
发光器件
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2022年5月4日提交的韩国专利申请No.10
‑
2022
‑
0055747和于2023年5月2日提交的韩国专利申请No.10
‑
2023
‑
0057347的优先权，将其内容全部通过引用引入本文中。

[0003]公开内容涉及发光器件和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]有机发光器件是在视角、响应时间、亮度、驱动电压、和响应速度方面具有改善的特性的自发射器件，并且产生全色图像。
[0005]在实例中，有机发光器件包括阳极、阴极、以及布置在阳极和阴极之间并且包括发射层的有机层。空穴传输区域可布置在阳极和发射层之间，且电子传输区域可布置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，并且从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子可在发射层中复合以产生激子。所述激子可从激发态跃迁至基态，由此产生光。
[0006]仍然存在对于用于有机发光器件的新的材料的需要。

技术实现思路

[0007]提供使用新的主体组合的发光器件和包括所述发光器件的电子设备。
[0008]另外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且部分地将从所述描述明晰，或者可通过公开内容的所呈现的实施方式的实践而获悉。
[0009]根据公开内容的一个方面，发光器件包括：第一电极、第二电极、以及布置在所述第一电极

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光器件，包括：第一电极；第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述发射层包括由式1表示的第一化合物和由式2表示的第二化合物：式1式1A式2
其中，在式1、1A、和2中，CY
11
‑
CY
16
、CY
23
、和CY
24
各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，Y
11
为O、S、或Se，X
21
为N或C(R
21a
)，X
22
为N或C(R
22a
)，且X
23
为N或C(R
23a
)，X
21
‑
X
23
的至少一个为N，L
11
、L
12
、L
21
、和L
22
各自独立地为单键、取代或未取代的C3‑
C
60
碳环基团、或者取代或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，n11、n12、n21、和n22各自独立地为1
‑
5的整数，T
13
和T
14
各自独立地为由式1A表示的基团，a13和a14各自独立地为0
‑
10的整数，a13与a14之和为1或更大，R
11
‑
R
16
、R
21
‑
R
24
、R
21a
、R
22a
、和R
23a
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C2‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q4)(Q5)、
‑
B(Q6)(Q7)、或
‑
P(＝O)(Q8)(Q9)，R
11
和R
12
各自不包括咔唑基团，数量为b11的R
11
和数量为b12的R
12
的至少一个为取代或未取代的C6‑
C
60
芳基，b11
‑
b16和b21
‑
b24各自独立地为1
‑
10的整数，*表示与相邻原子的结合位点，取代的C3‑
C
60
碳环基团、取代的C1‑
C
60
杂环基团、取代的C1‑
C
60
烷基、取代的C2‑
C
60
烯基、取代的C2‑
C
60
炔基、取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的C6‑
C
60
芳基、取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代的单价非芳族稠合多环基团、和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少
一个取代基为：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基；各自被如下取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
Ge(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
14
)(Q
15
)、
‑
B(Q
16
)(Q
17
)、
‑
P(＝O)(Q
18
)(Q
19
)、或其任意组合；C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、或单价非芳族稠合杂多环基团；各自被如下取代的C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、或单价非芳族稠合杂多环基团：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
Ge(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
24
)(Q
25
)、
‑
B(Q
26
)(Q
27
)、
‑
P(＝O)(Q
28
)(Q
29
)、或其任意组合；或
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
Ge(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
34
)(Q
35
)、
‑
B(Q
36
)(Q
37
)、或
‑
P(＝O)(Q
38
)(Q
39
)，和Q1‑
Q9、Q
11
‑
Q
19
、Q
21
‑
Q
29
、和Q
31
‑
Q
39
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、或者取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。2.如权利要求1所述的发光器件，其中CY
11
‑
CY
16
、CY
23
、和CY
24
各自独立地为苯基团、萘基团、或吡啶基团。3.如权利要求1所述的发光器件，其中L
11
和L
12
各自独立地为：单键；或各自未被取代或被至少一个R
10a
取代的苯基团、萘基团、或吡啶基团，和R
10a
如权利要求1中关于R
13
所定义的。4.如权利要求1所述的发光器件，其中式1由式1(1)
‑
1至1(1)
‑
4之一表示：
其中，在式1(1)
‑
1至1(1)
‑
4中，CY
11
、CY
13
、CY
14
、Y
11
、L
11
、n11、T
13
、T
14
、a13、a14、R
11
‑
R
14
、b11、b13、和b14各自如权利要求1中所定义的，和d12为1
‑
3的整数。5.如权利要求1所述的发光器件，其中式1中的由表示的部分为由式1(2)
‑
1至1(2)
‑
4之一表示的基团：
其中，在式1(2)
‑
1至1(2)
‑
4中，R
13
和R
14
各自如权利要求1中所定义的，d13为1
‑
4的整数，d14为1
‑
3的整数，T
15
如权利要求1中关于T
14
所定义的，和*表示与相邻原子的结合位点。6.如权利要求1所述的发光器件，其中式1由式1(3)
‑
1至1(3)
‑
8之一表示：
其中，在式1(3)
‑
1至1(3)
‑
8中，CY
13
、CY
14
、Y
11
、L
11
、n11、T
13
、T
14
、a13、a14、R
11
‑
R
14
、b13、和b14各自如权利要求1中所定义的，Z
11
和Z
12
各自独立地为氢、氘、F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、C1‑
C
20
烷基、或C1‑
C
20
烷氧基；各自被如下取代的C1‑
C
20
烷基或C1‑
C
20
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、C1‑
C
10
烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降莰烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、或其任意组合；环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降莰烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、或萘基；各自被如下取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降莰烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、或萘基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、C1‑
C
20
烷基、C1‑
C
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降莰烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、或其任意组合；或
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、或
‑
N(Q4)(Q5)，Q1‑
Q5各自独立地为：
‑
CH3、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CH2CH3、
‑
CH2CD3、
‑
CH2CD2H、
‑
CH2CDH2、
‑
CHDCH3、
‑
CHDCD2H、
‑
CHDCDH2、
‑
CHDCD3、
‑
CD2CD3、
‑
CD2CD2H、或
‑
CD2CDH2；正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、或萘基；或各自被如下取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、或萘基：氘、C1‑
C
10
烷基、苯基、或其任意组合，c11和d12各自独立地为1
‑
3的整数，c12为1或2，d11为1
‑
4的整数，和e11和e12各自独立地为1
‑
5的整数。7.如权利要求1所述的发光器件，其中式1A为由式1A
‑
1至1A
‑
8之一表示的基团：
其中，在式1A
‑
1至1A
‑
8中，R
15
和R
16
各自如权利要求1中所定义的，R
17
和R
18
各自独立地如权利要求1中关于R
15
所定义的，d15
‑
d17各自独立地为1
‑
4的整数，d18为1
‑
8的整数，和e16为1
‑
3的整数。8.如权利要求1所述的发光器件，其中R
11
和R
12
各自独立地为：氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基；由式9
‑
1至9
‑
61、9
‑
201至9
‑
240、10
‑
1至10
‑
129、10
‑
201至10
‑
253、10
‑
265至10
‑
281、10
‑
283至10
‑
330、和10
‑
335至10
‑
350之一表示的基团；或
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、或
‑
N(Q4)(Q5)，R
13
‑
R
16
、R
21
‑
R
24
、R
21a
、R
22a
、和R
23a
各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、或C1‑
C
60
烷氧基；由式9
‑
1至9
‑
61、9
‑
201至9
‑
240、10
‑
1至10
‑
129、和10
‑
201至10
‑
354之一表示的基团；或
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
Ge(Q1)(Q2)(Q3)、或
‑
N(Q4)(Q5)，和Q1‑
Q5各自如权利要求1中所定义的
其中，在式9
‑
1至9
‑
61、9
‑
201至9
‑
240、10
‑
1至10
‑
129、和10
‑
201至10
‑
354中，*表示与相邻原子的结合位点，“Ph”表示苯基，“TMS”表示三甲基甲硅烷基，“TMG”表示三甲基甲锗烷基，且“t
‑
Bu”表示叔丁基。9.如权利要求1所述的发光器件，其中数量为b11的R
11
和数量为b12的R
12
的至少一个为：苯基或萘基；或各自被如下取代的苯基或萘基：氘、氰基、C1‑
C
10
烷基、苯基、或其任意组合。10.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一化合物由式1
‑
1至1
‑
16之一表示：
其中，在式1
‑
1至1
‑
16中，CY
11
、CY
13
、Y
11
、R
11
‑
R
14
、b11、b13、T
13
和a13各自如权利要求1中所定义的，T
15
如权利要求1中关于T
14
所定义的，d12为1
‑
3的整数，和d14为1
‑
3的整数。11.如权利要求1所述的发光器件，其中L
21
和L
22
各自独立地为单键；或由式L
‑
1至L
‑
12之一表示的基团：
其中，在式L
‑
1至L
‑
12中，Z
1 to Z4各自独立地如权利要求1中关于R
21
所定义的，c1、c2、和c3各自独立地为1
‑
4的整数，c4为1
‑
3的整数，和*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。12.如权利要求1所述的发光器件，其中R
21
和R
22
各自独立地为未被取代或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基、由式2A表示的基团、或由式2B表示的基团，和R
10a
如权利要求1中关于R
23
所定义的：式2A式2B
其中，在式2A和2B中，R
25
、R
26
、和Z
21
‑
Z
25
各自如权利要求1中关于R
23
所定义的，d25和d26各自独立地为1
‑
4的整数，c21
‑
c25各自独立地为1
‑
5的整数，L
23
如权利要求1中关于L
21
所定义的，n23为1
‑
5的整数，m23为0
‑
3的整数，和*表示与相邻原子的结合位点。13.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一化合物为化合物H1至H14之一，和所述第二化合物为化合物E1至E39之一：
14.如权利要求1所述的发光器件，其中所述发射层进一步包括第三化合物、第四化合物、或其任意组合，所述第三化合物包括过渡金属，且在所述第四化合物的三线态能级和单线态能级之间的差等于或小于0.4eV。15.如权利要求14所述的发光器件，其中所述第三化合物包括由式3或式5表示的有机金属化合物：式3其中，在式3中，M
31
为过渡金属，X
31
‑
X
34
各自独立地为C或N，
在X
31
和M
31
之间的键、在X
32
和M
31
之间的键、在X
33
和M
31
之间的键、以及在X
34
和M
31
之间的键的两个键各自为配位键，且另外的两个键各自为共价键，CY
31
‑
CY
34
各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团，L
31
为单键、双键、*
‑
N(R
35a
)
‑
*'、*
‑
B(R
35a
)
‑
*'、*
‑
P(R
35a
)
‑
*'、*
‑
C(R
35a
)(R
35b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
35a
)(R
35b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
35a
)(R
35b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
35a
)＝*'、*＝C(R
35a
)
‑
*'、*
‑
C(R
35a
)＝C(R
35b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，L
32
为单键、双键、*
‑
N(R
36a
)
‑
*'、*
‑
B(R
36a
)
‑
*'、*
‑
P(R
36a
)
‑
*'、*
‑
C(R
36a
)(R
36b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
36a
)(R
36b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
36a
)(R
36b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
36a
)＝*'、*＝C(R
36a
)
‑
*'、*
‑
C(R
36a
)＝C(R
36b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，L
33
为单键、双键、*
‑
N(R
37a
)
‑
*'、*
‑
B(R
37a
)
‑
*'、*
‑
P(R
37a
)
‑
*'、*
‑
C(R
37a
)(R
37b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
37a
)(R
37b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
37a
)(R
37b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
37a
)＝*'、*＝C(R
37a
)
‑
*'、*
‑
C(R
37a
)＝C(R
37b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'、*
‑
C≡C
‑
*'、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团，L
34
为单键、双键、*
‑
N(R
38a
)
‑
*'、*
‑
B(R
38a
)
‑
*'、*
‑
P(R
38a
)
‑
*'、*
‑
C(R
38a
)(R
38b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
38a
)(R
38b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
38a
)(R
38b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(R
38a
)＝*'、*＝C(R
38a
)
‑
*'、*
‑
C(R
38a
)＝C(R
38b
)
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟秀，姜基煜，姜昊锡，权殷淑，金仁九，金重赫，安恩惠，尹柱熙，李艺瑟，李孝荣，印守康，张东珍，郑妍淑，朱京植，崔恩晶，崔准，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

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