一种薄膜晶体管的制备方法技术

一种薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底基板上形成图形化的有源层(12)，在有源层和衬底基板上依次形成整层栅极绝缘层和整层栅极层(13、14)；在整层栅极层上形成图形化的光刻胶层(15)；以光刻胶层为掩膜，图形化整层栅极层以及整层栅极绝缘层(16)；以减薄后的光刻胶层为掩膜，图形化准栅极(18)；去除减薄后的光刻胶层(19)；采用PECVD工艺在衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极上形成第一绝缘层；同时，以栅极绝缘层以及栅极为掩膜介质，利用PECVD工艺中前驱气体的等离子体对有源层进行高导处理(20)；形成源极和漏极(21)。降低了薄膜晶体管的阈值电压的调节难度，实现了阈值电压便于调节的薄膜晶体管的高精度制备。于调节的薄膜晶体管的高精度制备。于调节的薄膜晶体管的高精度制备。于调节的薄膜晶体管的高精度制备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐华，徐苗，李民，庞佳威，张伟，王磊，邹建华，陶洪，
申请(专利权)人：广州新视界光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：