阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法技术

本公开提供了一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法，其中的阵列基板包括衬底基板和依次层叠在衬底基板上的缓冲层、金属层、平坦化层和连接层；所述金属层包括沿第一方向设置的第一信号线和沿第二方向设置的第二信号线，所述第一方向和所述第二方向相交；所述平坦化层设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一信号线和所述第二信号线交叠区域的相对两侧，所述连接层通过所述第一凹槽跨接位于所述金属层的第二信号线。该阵列基板能够减少打印OLED显示产品所需的掩膜版Mask工艺道次。工艺道次。工艺道次。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法。

技术介绍

[0002]对于大尺寸的有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display，OLED)显示产品，真空蒸镀的制造技术存在一定的限制，而喷墨打印技术成为实现大面积、低成本OLED显示产品的解决方案之一。大尺寸(如不低于30英寸)的OLED由于需求较低的阻抗，要求较厚的栅极线和数据线，如此导致喷墨打印OLED工艺需要更多道的掩膜Mask工艺，导致工艺复杂程度升高、产品的制造成本上升的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开提供了一种阵列基板、显示面板、显示设备及阵列基板的制作方法，能够减少打印OLED显示产品所需要的Mask道次，简化了工艺流程并降低制造成本。
[0004]第一方面，本公开通过一实施例提供如下的技术方案：一种阵列基板，包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的缓冲层、金属层、平坦化层和连接层；所述金属层包括沿第一方向设置的第一信号线和沿第二方向设置的第二信号线，所述第一方向和所述第二方向相交；
[0005]所述平坦化层设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一信号线和所述第二信号线交叠区域的相对两侧，所述连接层通过所述第一凹槽跨接位于所述金属层的第二信号线。
[0006]在一些实施例中，所述第一信号线为栅极线，所述第二信号线为数据线；
[0007]所述阵列基板还包括设置在所述缓冲层和所述金属层之间的栅绝缘层，在所述交叠区域处所述栅绝缘层上设有延伸至所述缓冲层的第二凹槽，所述栅极线位于所述第二凹槽内，所述数据线位于所述第二凹槽两侧的栅绝缘层上，并通过所述连接层跨接。
[0008]在一些实施例中，所述数据线与所述栅极线之间的距离为8μm～10μm。
[0009]在一些实施例中，所述第二凹槽的深度为0.5μm～0.6μm。
[0010]在一些实施例中，阵列基板还包括位于所述栅绝缘层和所述平坦化层之间的钝化层，所述钝化层覆盖所述金属层设置，并在所述第二凹槽的两侧设有露出所述数据线的第一连接孔，所述连接层通过所述第一凹槽和所述第一连接孔跨接位于所述第二凹槽两侧的数据线。
[0011]在一些实施例中，所述钝化层的厚度为0.3μm～0.4μm。
[0012]在一些实施例中，所述平坦化层在所述交叠区域的厚度为2μm～3μm。
[0013]在一些实施例中，在薄膜晶体管区域所述阵列基板包括设置在缓冲层和栅绝缘层之间的源漏层，所述金属层包括栅极和数据线；所述栅绝缘层设有露出所述源漏层的第二连接孔，所述数据线通过所述第二连接孔连接所述源漏层。
[0014]在一些实施例中，所述平坦化层在所述交叠区域处的厚度大于所述平坦化层在所述薄膜晶体管区域处的厚度。
[0015]在一些实施例中，所述第一信号线为数据线，所述第二信号线为栅极线；
[0016]所述阵列基板还包括设置在所述缓冲层和所述金属层之间的栅绝缘层，在所述交叠区域处所述栅绝缘层上设有延伸至所述缓冲层的第二凹槽，所述数据线位于所述第二凹槽内，所述栅极线位于所述第二凹槽两侧的栅绝缘层上，并通过所述连接层跨接。
[0017]第二方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0018]一种阵列基板的制作方法，包括：
[0019]提供衬底基板；
[0020]在所述衬底基板上形成层叠的缓冲层和金属层；所述金属层包括沿第一方向设置的第一信号线和沿第二方向设置的第二信号线，所述第一方向和所述第二方向相交；
[0021]在所述金属层上形成平坦化层，并在所述平坦化层上形成露出所述第一信号线的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一信号线和所述第二信号线交叠区域的相对两侧；
[0022]在所述平坦化层和所述第一凹槽内形成连接层，所述连接层通过所述第一凹槽跨接位于所述金属层的第二信号线。
[0023]第三方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0024]一种显示面板，包括第一方面实施例提供的阵列基板。
[0025]第四方面，基于同一专利技术构思，本公开通过一实施例提供如下技术方案：
[0026]一种显示设备，包括第三方面实施例提供的显示面板。
[0027]通过本公开的一个或者多个技术方案，本公开具有以下有益效果或者优点：
[0028]本公开提供了一种阵列基板，通过在平坦化层上设置位于第一信号线和第二信号线交叠区域相对两侧的第一凹槽，并设置连接层通过两侧的第一凹槽跨接金属层中的第二信号线，从而在交叠区域形成连接第二信号线的连接层与金属层中的第一信号线的跨线结构，从而使第一信号线和第二信号线在交叠区域处形成网状结构，在保证第一信号线和第二信号线独立工作的前提下可减少喷墨打印制造OLED显示面板的掩膜Mask数量，如省略层间介质层和源漏层的Mask工艺，降低了工艺复杂度和制造成本。
[0029]上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。
附图说明
[0030]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0031]图1A示出了本公开实施例提供的阵列基板的驱动阵列排布示意图；
[0032]图1B示出了本公开实施例提供的阵列基板在A1区域的剖视图；
[0033]图1C示出了图1B提供的阵列基板上的像素驱动电路的示意图；
[0034]图2A示出了本公开实施例的阵列基板在A1区域处的剖视图，第一信号线为栅极线，第二信号线为数据线；
[0035]图2B示出了本公开实施例的阵列基板在A1区域处的俯视图；
[0036]图2C示出了本公开实施例的阵列基板在A2区域处的剖视图；
[0037]图2D示出了本公开实施例的阵列基板在A1区域处的剖视图，第一信号线为数据线，第二信号线为栅极线；
[0038]图3示出了本公开实施例提供的阵列基板制作方法的流程示意图；
[0039]图4A示出了本公开实施例的在衬底基板上形成缓冲层、栅绝缘层、栅极线和数据线后的A1区域的剖视图；
[0040]图4B示出了本公开实施例的在衬底基板上形成缓冲层、栅绝缘层、栅极线和数据线后的A1区域的俯视图；
[0041]图4C示出了本公开实施例的在衬底基板上形成缓冲层、栅绝缘层、栅极线和数据线后A2区域的剖视图；
[0042]图5A示出了本公开实施例的在形成钝化层后的A1区域的剖视图；
[0043]图5B示出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的缓冲层、金属层、平坦化层和连接层；所述金属层包括沿第一方向设置的第一信号线和沿第二方向设置的第二信号线，所述第一方向和所述第二方向相交；所述平坦化层设有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一信号线和所述第二信号线交叠区域的相对两侧，所述连接层通过所述第一凹槽跨接位于所述金属层的第二信号线。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线为栅极线，所述第二信号线为数据线；所述阵列基板还包括设置在所述缓冲层和所述金属层之间的栅绝缘层，在所述交叠区域处所述栅绝缘层上设有延伸至所述缓冲层的第二凹槽，所述栅极线位于所述第二凹槽内，所述数据线位于所述第二凹槽两侧的栅绝缘层上，并通过所述连接层跨接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述栅极线之间的距离为8μm～10μm。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽的深度为0.5μm～0.6μm。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅绝缘层和所述平坦化层之间的钝化层，所述钝化层覆盖所述金属层设置，并在所述第二凹槽的两侧设有露出所述数据线的第一连接孔，所述连接层通过所述第一凹槽和所述第一连接孔跨接位于所述第二凹槽两侧的数据线。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.3μm～0.4μm。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层在所述交叠区域的厚度为2μm～3μm。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，苏同上，徐晓青，周斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：