半导体装置以及显示装置制造方法及图纸

提供一种能够实现微型化或电特性良好的晶体管、半导体装置、显示装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、第一导电层。第二晶体管包括第二半导体层、第二导电层。绝缘层具有第一导电层上的第一侧面及第二导电层上的第二侧面。栅极绝缘层具有隔着第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着第二半导体层相对于第二侧面的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着栅极绝缘层及第二半导体层相对于第二侧面的部分。第一半导体层与第二半导体层在绝缘层上电连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种晶体管及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种包括半导体装置的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]有使晶体管微型化的需求。例如，在显示装置中，用于像素的晶体管的占有面积越小越可以缩小像素的尺寸，所以可以实现高清晰化。另外，可以增加可在单位面积内配置的晶体管，所以可以以不增大像素的尺寸的方式在像素内配置多个晶体管而将校正功能等组装于像素。
[0004]近年来，显示面板的高清晰化得到了推进。近年来，作为需求高清晰显示面板的使用的设备，除了平板终端、智能手机、手表型终端之外例如还积极地开发应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。高清晰显示面板中主要使用有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件或发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件。
[0005]专利文献1公开了使用有机EL器件(也称为有机EL元件)的高清晰显示装置。
[0006][专利文献1]国际公开第2016/038508号

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够实现微型化的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电特性良好的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种在调换源极与漏极时其特性的差异较小的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够缩小沟道长度的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种占有面积小的晶体管。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种布线电阻得到降低的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种易于实现高清晰化的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的晶体管及半导体装置。
[0008]注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
[0009]本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管以及绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第一导电层。第二晶体管包括第二半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第二导电层。绝缘层具有第一侧面及第二侧面。第一侧面位
于第一导电层上。第二侧面位于第二导电层上。第一半导体层具有位于绝缘层上的部分、接触于第一侧面的部分以及接触于第一导电层的顶面的部分。第二半导体层具有位于绝缘层上的部分、接触于第二侧面的部分以及接触于第二导电层的顶面的部分。栅极绝缘层具有位于绝缘层上的部分、隔着第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着第二半导体层相对于第二侧面的部分。栅电极具有位于绝缘层上的部分、隔着栅极绝缘层及第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着栅极绝缘层及第二半导体层相对于第二侧面的部分。第一半导体层与第二半导体层在绝缘层上电连接。
[0010]本专利技术的另一个方式是一种半导体装置，包括第一晶体管、第二晶体管以及绝缘层。第一晶体管包括第一半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第一导电层。第二晶体管包括第二半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第二导电层。绝缘层具有第一侧面及第二侧面。第一侧面位于第一导电层上。第二侧面位于第二导电层上。第一半导体层具有位于绝缘层上的部分、接触于第一侧面的部分以及接触于第一导电层的顶面的部分。第二半导体层具有位于绝缘层上的部分、接触于第二侧面的部分以及接触于第二导电层的顶面的部分。栅极绝缘层具有位于绝缘层上的部分、隔着第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着第二半导体层相对于第二侧面的部分。栅电极具有位于绝缘层上的部分、隔着栅极绝缘层及第一半导体层相对于第一侧面的部分以及隔着栅极绝缘层及第二半导体层相对于第二侧面的部分。第一导电层与第二导电层在绝缘层的下方电连接。
[0011]在上述方式中，优选还包括位于绝缘层上的第三导电层。并且，第一半导体层及第二半导体层优选各自具有接触于第三导电层的部分。
[0012]在上述方式中，优选还包括位于绝缘层上的第三导电层。第一半导体层及第二半导体层优选各自具有接触于第三导电层的部分。优选的是，在绝缘层的一部分上第一导电层、第一半导体层、第三导电层、栅极绝缘层与栅电极彼此重叠，并且在绝缘层的一部分上第二导电层、第二半导体层、第三导电层、栅极绝缘层与栅电极彼此重叠。
[0013]在上述方式中，优选还包括在绝缘层上接触于第三导电层的第四导电层。优选的是，第三导电层包含氧化物，并且第四导电层包含金属或合金。
[0014]在上述方式中，优选还包括位于绝缘层的下方的第五导电层。第五导电层优选接触于第一导电层和第二导电层中的一方或双方。优选的是，第一导电层及第二导电层包含氧化物，并且第五导电层包含金属或合金。
[0015]在上述方式中，优选的是，第一半导体层是第一膜的一部分，并且第二半导体层是第一膜的另一部分。
[0016]在上述方式中，优选的是，第一导电层是第二膜的一部分，并且第二导电层是第二膜的另一部分。
[0017]本专利技术的另一个方式是一种半导体装置，包括第三晶体管、第四晶体管、电容器以及第一至第四布线。第三晶体管的源电极和漏电极中的一个与第一布线电连接，其源电极和漏电极中的另一个与第四晶体管的源电极和漏电极中的一个及电容器的一个端子电连接，其栅电极与电容器的另一个端子及第二布线电连接。第四晶体管的源电极和漏电极中的另一个与第三布线电连接，其栅电极与第四布线电连接。第一布线交替地被供应第一电位和第二电位，第三布线被供应第三电位。第一电位低于第二电位，第三电位低于第二电位。第四布线被供应第一信号，第二布线被供应使第一信号反转的第二信号。第三晶体管使
用上述第一晶体管及上述第二晶体管构成。
[0018]本专利技术的另一个方式是一种显示装置，包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、发光元件以及第五至第七布线。第五晶体管的栅电极与第五布线电连接，其源电极和漏电极中的一个与第六布线电连接，其源电极和漏电极中的另一个与第六晶体管的源电极和漏电极中的一个及发光元件的一个电极电连接。第六晶体管的栅电极与第七晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接，其源电极和漏电极中的另一个与第七晶体管的源电极和漏电极中的另一个电连接。第七晶体管的栅电极与第七布线电连接。第五布线被供应第三信号，第六布线被供应数据信号，第七布线被供应第四信号。第六晶体管使用上述第一晶体管及上述第二晶体管构成。
[0019]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及绝缘层，其中，所述第一晶体管包括第一半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第一导电层，所述第二晶体管包括第二半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅电极及第二导电层，所述绝缘层具有第一侧面及第二侧面，所述第一侧面位于所述第一导电层上，所述第二侧面位于所述第二导电层上，所述第一半导体层具有位于所述绝缘层上的部分、接触于所述第一侧面的部分以及接触于所述第一导电层的顶面的部分，所述第二半导体层具有位于所述绝缘层上的部分、接触于所述第二侧面的部分以及接触于所述第二导电层的顶面的部分，所述栅极绝缘层具有位于所述绝缘层上的部分、隔着所述第一半导体层相对于所述第一侧面的部分以及隔着所述第二半导体层相对于所述第二侧面的部分，所述栅电极具有位于所述绝缘层上的部分、隔着所述栅极绝缘层及所述第一半导体层相对于所述第一侧面的部分以及隔着所述栅极绝缘层及所述第二半导体层相对于所述第二侧面的部分，并且，在所述绝缘层上所述第一半导体层与所述第二半导体层电连接。2.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及绝缘层，其中，所述第一晶体管包括第一半导体层、栅极绝缘层、栅电极及第一导电层，所述第二晶体管包括第二半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅电极及第二导电层，所述绝缘层具有第一侧面及第二侧面，所述第一侧面位于所述第一导电层上，所述第二侧面位于所述第二导电层上，所述第一半导体层具有位于所述绝缘层上的部分、接触于所述第一侧面的部分以及接触于所述第一导电层的顶面的部分，所述第二半导体层具有位于所述绝缘层上的部分、接触于所述第二侧面的部分以及接触于所述第二导电层的顶面的部分，所述栅极绝缘层具有位于所述绝缘层上的部分、隔着所述第一半导体层相对于所述第一侧面的部分以及隔着所述第二半导体层相对于所述第二侧面的部分，所述栅电极具有位于所述绝缘层上的部分、隔着所述栅极绝缘层及所述第一半导体层相对于所述第一侧面的部分以及隔着所述栅极绝缘层及所述第二半导体层相对于所述第二侧面的部分，并且，在所述绝缘层下所述第一导电层与所述第二导电层电连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第三导电层，其中所述第三导电层位于所述绝缘层上，并且所述第一半导体层及所述第二半导体层各自具有接触于所述第三导电层的部分。4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第三导电层，其中所述第三导电层位于所述绝缘层上，所述第一半导体层及所述第二半导体层各自具有接触于所述第三导电层的部分，所述第一导电层、所述第一半导体层、所述第三导电层、所述栅极绝缘层与所述栅电极彼此重叠，并且所述第二导电层、所述第二半导体层、所述第三导电层、所述栅极绝缘层与所述栅电极彼此重叠。5.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：第四导电层，其中在所述绝缘层上所述第四导电层接触于所述第三导电层，所述第三导电层包含氧化物，并且所述第四导电层包含金属或合金。6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：第五导电层，其中所述第五导电层位于所述绝缘层下，所述第五导电层接触于所述第一导电层和所述第二导电层中的一方或双方，所述第一导电层及所述第二导电层都包含氧化物，并且所述第五导电层包含金属或合金。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体层是第一膜的第一部，并且所述第二半导体层是所述第一膜的第二部。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一半导体层是第一膜的第一部，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠纮慈，川岛进，宍户英明，热海知昭，斋藤元晴，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：