一种发光基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光基板及其制作方法，其中，发光基板包括：驱动基板；第一电极层，第一电极层与驱动基板电连接；发光层，位于第一电极层背离驱动基板的一侧；第二电极层，位于发光层背离第一电极层的一侧；像素定义层，位于第二电极层和驱动基板之间；像素定义层包括多个像素定义结构；多个辅助电极，位于第二电极层背离驱动基板一侧的表面；辅助电极在驱动基板上的正投影被像素定义结构在驱动基板上的正投影完全覆盖；多个限位结构，限位结构用于限制辅助电极的位置

【技术实现步骤摘要】
一种发光基板及其制作方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光基板及其制作方法
。

技术介绍

[0002]有机发光二极管
(Organic Light
‑
Emitting Diode
，简称
OLED)
显示技术以其响应速度快
、
对比度高
、
色彩鲜艳的特点在显示领域得以广泛应用
。
顶发光式
OLED
显示装置需要采用透明导电材料作为
OLED
的阴极材料，如铟锌氧化物
(Indium Zinc Oxide
，简称
IZO)
等，以保证显示装置的出光效率，而对于大尺寸的
OLED
显示装置来说，通常会将阴极层整层设置，由于阴极层的面积较大会导致阴极层存在压降问题，因此容易出现显示装置亮度不均的现象
。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种发光基板及其制作方法，用以降低
OLED
显示装置的阴极压降
。
[0004]本专利技术一方面提供一种发光基板，包括：驱动基板；
[0005]第一电极层，所述第一电极层与所述驱动基板电连接；
[0006]发光层，位于所述第一电极层背离所述驱动基板的一侧；
[0007]第二电极层，位于所述发光层背离所述第一电极层的一侧；
[0008]像素定义层，位于所述第二电极层和所述驱动基板之间；所述像素定义层包括多个像素定义结构；
[0009]多个辅助电极，位于所述第二电极层背离所述驱动基板一侧的表面；所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影被所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖；
[0010]多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置
。
[0011]本专利技术的一些实施例中，所述限位结构为设置于所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上的凹槽，所述辅助电极位于所述凹槽内
。
[0012]本专利技术的一些实施例中，所述凹槽在所述第一方向上的横截面积逐渐增大或逐渐减小，所述第一方向为垂直于所述驱动基板且由所述衬底基板指向所述像素定义结构的方向
。
[0013]本专利技术的一些实施例中，所述发光层覆盖各所述凹槽的表面，所述第二电极层覆盖所述发光层，各所述辅助电极位于所述第二电极层背离所述发光层的表面；
[0014]各所述凹槽内的所述发光层
、
所述第二电极层和所述辅助电极的厚度之和小于所述凹槽的深度
。
[0015]本专利技术的一些实施例中，所述多个限位结构位于所述第二电极层背离所述发光层的一侧；所述限位结构采用有机材料：
[0016]所述发光层被所述像素定义层中的所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述限位结构在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影
。
[0017]本专利技术的一些实施例中，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影与各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分；
[0018]或者，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影
。
[0019]本专利技术的一些实施例中，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影重合；
[0020]或者，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影覆盖所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所述驱动基板上的正投影，且所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分
。
[0021]本专利技术的一些实施例中，各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案与各所述限位结构在所述驱动基板上的正投影图案互补且相距设定距离
。
[0022]本专利技术的一些实施例中，所述辅助电极采用的材料包括镁
、
铝
、
银中的一种；
[0023]所述限位结构采用的有机材料包括8‑
羟基喹啉锂
。
[0024]本专利技术另一方面提供一种发光基板的制作方法，包括：
[0025]在驱动基板上形成第一导电材料层；
[0026]对所述第一导电材料层构图形成第一电极层；
[0027]在所述第一导电材料层上形成像素定义层；所述像素定义层包括多个像素定义结构；
[0028]在所述像素定义层和所述第一电极层上形成发光层；
[0029]在所述发光层上形成第二电极层；
[0030]在所述第二电极层上形成多个辅助电极；所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影；所述发光基板还包括多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置
。
[0031]本专利技术的一些实施例中，所述在所述第一导电材料层上形成多个像素定义结构后还包括：
[0032]在各所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上形成凹槽；所述凹槽构成所述限位结构，所述辅助电极位于所述凹槽内
。
[0033]本专利技术的一些实施例中，所述在所述第二电极层上形成多个辅助电极之前还包括：
[0034]在所述第二电极层上形成多个限位结构；所述限位结构采用有机材料；所述发光层被所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影；所述有机材料在所述驱动基板上的正投影图案与各所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影图案互补
。
[0035]本专利技术有益效果如下：
[0036]本专利技术提供一种发光基板及其制作方法，其中，发光基板包括：驱动基板；第一电极层，第一电极层与驱动基板电连接；发光层，位于第一电极层背离驱动基板的一侧；第二电极层，位于发光层背离第一电极层的一侧；像素定义层，位于第二电极层和驱动基板之间；像素定义层包括多个像素定义结构；多个辅助电极，位于第二电极层背离驱动基板一侧的表面；辅助电极在驱动基板上的正投影被像素定义结构在驱动基板上的正投影完全覆
盖；多个限位结构，限位结构用于限制辅助电极的位置
。
各辅助电极与第二电极层并联，可以降低第二电极层的压降，有利于避免出现发光基板的出射光亮度不均的现象
。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所介绍的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0038]图1为本专利技术实施例提供的发光基板的截面示意图之一；
[0039]图2为本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光基板，其特征在于，包括：驱动基板；第一电极层，所述第一电极层与所述驱动基板电连接；发光层，位于所述第一电极层背离所述驱动基板的一侧；第二电极层，位于所述发光层背离所述第一电极层的一侧；像素定义层，位于所述第二电极层和所述驱动基板之间；所述像素定义层包括多个像素定义结构；多个辅助电极，位于所述第二电极层背离所述驱动基板一侧的表面；所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影被所述像素定义结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖；多个限位结构，所述限位结构用于限制所述辅助电极的位置
。2.
如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述限位结构为设置于所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面上的凹槽，所述辅助电极位于所述凹槽内
。3.
如权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述凹槽在所述第一方向上的横截面积逐渐增大或逐渐减小，所述第一方向为垂直于所述驱动基板且由所述衬底基板指向所述像素定义结构的方向
。4.
如权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述发光层覆盖各所述凹槽的表面，所述第二电极层覆盖所述发光层，各所述辅助电极位于所述第二电极层背离所述发光层的表面；各所述凹槽内的所述发光层
、
所述第二电极层和所述辅助电极的厚度之和小于所述凹槽的深度
。5.
如权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述多个限位结构位于所述第二电极层背离所述发光层的一侧；所述限位结构采用有机材料：所述发光层被所述像素定义层中的所述多个像素定义结构划分为多个阵列排布的发光像素；所述限位结构在所述驱动基板上的正投影至少覆盖各所述发光像素在所述驱动基板上的正投影
。6.
如权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影与各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影有重叠部分；或者，所述限位结构在所述驱动基板上的正投影完全覆盖各所述像素定义结构的侧表面在所述驱动基板上的正投影
。7.
如权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述辅助电极在所述驱动基板上的正投影与所述像素定义结构背离所述驱动基板一侧的表面在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣欣，许名宏，万想，李欣宇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：