【技术实现步骤摘要】
一种体声波滤波器及其制造方法、电子装置
[0001]本申请涉及半导体
,具体而言涉及一种体声波滤波器及其制造方法
、
电子装置
。
技术介绍
[0002]射频滤波器是无线通信领域的重要器件之一
。
随着大数据和物联网时代的到来,装配于射频前端中的滤波器必然朝着高频率
、
低损耗
、
微型化
、
集成化等方向发展
。
基于压电材料的体声波
(Bulk Acoustic Wave
,
BAW)
滤波器是一种较佳的射频滤波器解决方案,通过将多个
BAW
滤波器按照一定的拓扑结构级联,就可以实现中心频率高达数
GHz
的射频滤波器技术指标
。
相比于传统的陶瓷滤波器和同样基于压电材料的声表面波滤波器而言,
BAW
滤波器具有工作频率高
、
功率容量大
、
损耗低
、
体积小
、
温度稳定性好等优点
。
[0003]常规的
BAW
滤波器采用半导体盖帽晶圆与器件晶圆接合形成空腔,以保护器件;然而,在盖帽衬底与器件衬底接合后容易产生翘曲,增加了后续工艺的难度
。
[0004]鉴于上述技术问题的存在,需要提供一种新的体声波滤波器及其制造方法
。
技术实现思路
[0005]在
技术实现思路
部分中引入 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种体声波滤波器,其特征在于,包括:器件基底;半导体盖帽衬底,所述半导体盖帽衬底的第一表面形成有盖帽金属层,在所述盖帽金属层上形成有键合部,所述盖帽金属层与所述器件基底通过所述键合部相连接,其中,所述半导体盖帽衬底还形成有贯穿所述半导体盖帽衬底的多个孔洞,所述盖帽金属层还填充多个所述孔洞
。2.
如权利要求1所述的体声波滤波器,其特征在于,所述器件基底还包括:器件衬底,所述器件衬底具有第一表面和与所述器件衬底的第一表面相对的第二表面;器件功能层,所述器件功能层包括:与所述器件衬底的第一表面连接的第一电极
、
覆盖所述第一电极的压电层以及覆盖所述压电层的第二电极,所述盖帽金属层面向所述第二电极;第一引出电极和第二引出电极,形成在所述器件衬底的第二表面,所述第一引出电极电连接所述第一电极,所述第二引出电极电连接所述第二电极
。3.
如权利要求2所述的体声波滤波器,其特征在于,在所述器件衬底的第二表面形成有重布线层,所述重布线层包括第一子布线层和与所述第一子布线层相隔离的第二子布线层,所述第一引出电极包括所述第一子布线层以及形成在所述第一子布线层上的第一焊球,所述第二引出电极包括所述第二子布线层以及形成在所述第二子布线层上的第二焊球
。4.
如权利要求3所述的体声波滤波器,其特征在于,所述器件衬底还形成有多个贯穿所述器件衬底的第一导电材料层和第二导电材料层,所述第一导电材料层的底部连接所述第一电极,所述第二导电材料层的底部连接引线层,所述引线层位于所述第一电极的外侧并与所述第一电极相隔离,所述引线层电连接所述第二电极
。5.
如权利要求3所述的体声波滤波器,其特征在于,所述器件衬底还形成有贯穿所述器件衬底的第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽的底部露出至少部分所述第一电极,所述第一子布线层还覆盖所述第一沟槽的侧壁和底部,所述第二沟槽的底部露出至少部分引线层,所述引线层位于所述第一电极的外侧并与所述第一电极相隔离,所述引线层电连接所述第二电极,所述第二子布线层还覆盖所述第二沟槽的侧壁和底部
。6.
如权利要求3所述的体声波滤波器,其特征在于,所述第一电极上还形成有第一键合金属部,在所述第一键合金属部外侧还形成有第二键合金属部,所述第二键合金属部电连接所述第二电极,所述第一键合金属部电连接所述第一子布线层,所述第二键合金属部电连接所述第二子布线层,所述器件衬底的第一表面通过所述第一键合金属部和所述第二键合金属部连接所述器件功能层
。7.
一种体声波滤波器的制造方法,其特征在于,包括:提供器件基底;提供半导体盖帽衬底,所述半导体盖帽衬底的第一表面形成有盖帽金属层,在所述盖帽金属层上形成有键合部,其中,所述半导体盖帽衬底还形成有多个孔...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯雪丽,蔡敏豪,王冲,
申请(专利权)人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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