滤波器、多工器及射频前端模组制造技术

本发明专利技术涉及一种滤波器、多工器及射频前端模组，包括电容器和至少一个体声波谐振器；其中，所述电容器包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述至少一个体声波谐振器的衬底的下表面，所述第二金属层位于所述衬底的上表面；所述第一金属层、所述第二金属层以及所述衬底相互重叠的区域形成电容区，所述电容区在所述衬底的下表面上的正投影与所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。这样电容器相当于是与体声波谐振器制备成为一体，使用时，该电容器可以替代现有技术中的电容元件，从而可以减小滤波器的封装尺寸。小滤波器的封装尺寸。小滤波器的封装尺寸。

【技术实现步骤摘要】
滤波器、多工器及射频前端模组


[0001]本专利技术属于射频滤波装置领域，涉及一种滤波器、多工器及射频前端模组。

技术介绍

[0002]体声波滤波器通常包括体声波谐振器、调谐元件以及封装基板，体声波谐振器和调谐元件均与封装基板连接。其中，调谐元件可以是电容元件，通过电容元件可以起到减小体声波谐振器有效机电耦合系数，改善体声波滤波器的近端抑制，提高体声波滤波器的滤波性能。
[0003]但是分立电容元件的体积通常较大，所以采用这种方式来提高体声波滤波器的滤波性能，会导致体声波滤波器的尺寸增大。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供的滤波器、多工器及射频前端模组，能够实现滤波器的高性能和小体积。
[0005]本专利技术实施例提供一种滤波器，包括电容器和至少一个体声波谐振器；其中，所述电容器包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述至少一个体声波谐振器的衬底的下表面，所述第二金属层位于所述衬底的上表面；所述第一金属层、所述第二金属层以及所述衬底相互重叠的区域形成电容区，所述电容区在所述衬底的下表面上的正投影与所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。
[0006]可选的，所述滤波器还包括过线孔，所述至少一个体声波谐振器包括第一体声波谐振器；所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述至少一个体声波谐振器的压电层的上表面，所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；或者，所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述衬底的上表面，所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的下电极。
[0007]可选的，所述第一体声波谐振器与所述电容器串联连接；所述第二金属层的一端电性连接除所述第一体声波谐振器的下电极之外的第一导电结构，所述第一导电结构位于所述压电层与所述衬底之间；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。
[0008]可选的所述第一体声波谐振器与所述电容器并联连接；所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；所述第二金属层的一端电性连接所述第一体声波谐振器的下电极；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。
[0009]可选的，所述第二金属层与所述第一体声波谐振器的下电极为一体成型结构。
[0010]可选的，所述第二金属层与所述第一导电结构为一体成型结构。
[0011]可选的，所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影与所述第一金属层不重叠，且与所述第二金属层在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种滤波器，包括电容器和至少一个体声波谐振器；其中，所述电容器包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述至少一个体声波谐振器的衬底的下表面，所述第二金属层位于所述至少一个体声波谐振器的压电层的上表面；所述第一金属层、所述第二金属层、所述衬底以及所述压电层相互重叠的区域形成电容区，所述电容区在所述衬底的下表面上的正投影与所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。
[0013]可选的，所述滤波器还包括过线孔，所述至少一个体声波谐振器包括第一体声波谐振器；所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述至少一个体声波谐振器的压电层的上表面，所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；或者，所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述衬底的上表面，所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的下电极。
[0014]可选的，所述第一体声波谐振器与所述电容器串联连接；所述第二金属层的一端电性连接除所述第一体声波谐振器的上电极之外的第二导电结构，所述第二导电结构位于所述压电层的上表面；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端、压电层以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。
[0015]可选的，所述第一体声波谐振器与所述电容器并联连接；所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的下电极；所述第二金属层的一端电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端、所述压电层以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。
[0016]可选的，所述第二金属层与所述第一体声波谐振器的上电极为一体成型结构。
[0017]可选的，所述第二金属层与所述第二导电结构为一体成型结构。
[0018]可选的，所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影与所述第一金属层不重叠，且与所述第二金属层在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。
[0019]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种多工器，包括如上任一项所述的滤波器。
[0020]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种射频前端模组，包括如上任一项所述的滤波器。
[0021]在本专利技术实施例提供的滤波器、多工器以及射频前端模组中，电容器的第一金属层设置在衬底的下表面，电容器的第二金属层设置在衬底的上表面或者压电层的上表面，从而将电容器与体声波谐振器制备成为一体。通过在体声波滤波器芯片上集成电容的方式，可以在提高体声波滤波器性能的前提下，不显著增加芯片面积，大幅度减小体声波滤波器或模组封装的尺寸。
[0022]此外，在本实施例中，第一金属层设置在衬底的下表面，其与第二金属层隔着衬底或者隔着衬底和压电层所形成的电容不会产生寄生谐振，不会在带外产生谐振峰，因而不会恶化滤波器特定频段的带外抑制效果。而且本实施例的这种设置方式所形成的电容区的电容值比较小，与现有的分立电容元件相比，本实施例的设置方式可以更好的控制电容值的精度。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例一提供的滤波器的示意图一；
[0024]图2是本专利技术实施例一提供的滤波器的示意图二
[0025]图3是本专利技术实施例一提供的滤波器的局部剖面示意图一；
[0026]图4是图3中的A1
‑
A1向剖面视图；
[0027]图5是图3中的B1
‑
B1向剖面视图；
[0028]图6是本专利技术实施例一提供的滤波器的局部剖面示意图二；
[0029]图7是本专利技术实施例一提供的滤波器的局部剖面示意图三；
[0030]图8是本专利技术实施例二提供的滤波器的局部剖面示意图一；
[0031]图9是图8中的A2
‑
A2向剖面视图；
[0032]图10是图8中的B2
‑
B2向剖面视图；
[0033]图11是本专利技术实施例二提供的滤波器的局部剖面示意图二；
[0034]图12是本专利技术实施例二提供的滤波器的局部剖面示意图三。
[0035]说明书中的附图标记如下：
[0036]100本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，其特征在于，包括电容器和至少一个体声波谐振器；其中，所述电容器包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述至少一个体声波谐振器的衬底的下表面，所述第二金属层位于所述衬底的上表面；所述第一金属层、所述第二金属层以及所述衬底相互重叠的区域形成电容区，所述电容区在所述衬底的下表面上的正投影与所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括过线孔，所述至少一个体声波谐振器包括第一体声波谐振器；所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述至少一个体声波谐振器的压电层的上表面；所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；或者，所述过线孔由所述衬底的下表面贯穿至所述衬底的上表面，所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的下电极。3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述第一体声波谐振器与所述电容器串联连接；所述第二金属层的一端电性连接除所述第一体声波谐振器的下电极之外的第一导电结构，所述第一导电结构位于所述压电层与所述衬底之间；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。4.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述第一体声波谐振器与所述电容器并联连接；所述第一金属层的一端穿设于所述过线孔，以电性连接所述第一体声波谐振器的上电极；所述第二金属层的一端电性连接所述第一体声波谐振器的下电极；所述第一金属层的另一端、所述第二金属层的另一端以及所述衬底相互重叠的区域形成所述电容区。5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述第二金属层与所述第一体声波谐振器的下电极为一体成型结构。6.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，所述第二金属层与所述第一导电结构为一体成型结构。7.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述至少一个体声波谐振器的谐振区在所述衬底的下表面上的正投影与所述第一金属层不重叠，且与所述第二金属层在所述衬底的下表面上的正投影不重叠。8.一种滤波器，其特征在于，包括电容器和至少一个体声波谐振器；其中，所述电容器包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述至少一个体声波谐振器...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜波，王华磊，霍振选，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：